标准解读

《GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法》是一项国家标准，规定了使用直流四探针技术测定锗单晶材料电阻率的具体方法。该标准适用于圆形或方形截面的锗单晶棒、片材等样品，在室温条件下对其电阻率进行准确测量。

根据此标准，测量过程需遵循以下步骤：

  1. 准备工作：首先确保实验环境稳定，温度控制在（23±2）℃范围内；选择合适的探针间距，并保证四个探针排列成一条直线且接触良好。
  2. 仪器校准：使用已知电阻率的标准样品对测量系统进行校正，以消除设备本身可能带来的误差。
  3. 样品准备：选取待测锗单晶样本，其表面应平整光滑无明显缺陷。对于非圆柱形样品，需要加工成特定尺寸以便于测量。
  4. 放置探针：将四根探针按照预定间距依次紧密贴合地放置于样品表面上，其中两根用于施加电流I，另外两根用来检测电压V。
  5. 数据采集与处理：开启电源使电流通过外侧两个探针流入样品中，同时利用内侧两根探针读取相应位置上的电位差。依据所获得的数据计算出电阻值R，再结合样品几何参数求得体积电阻率ρv。
  6. 重复性检查：为提高结果可靠性，应在不同位置多次重复上述操作并记录数据，最终取平均值作为最终结果。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2011-01-10 颁布
  • 2011-10-01 实施
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GB/T 26074-2010锗单晶电阻率直流四探针测量方法_第1页
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ICS77.040.99H17中华人民共和国国家标准GB/T26074-2010错单晶电阻率直流四探针测量方法Germaniummonocrystal-Measurementofresistivity-DClinearfour-pointtprobe2011-01-10发布2011-10-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化餐理委员会

GB/T26074-2010前本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)归口本标准由南京中错科技股份有限公司负责起草。本标准参加起草单位：北京国品辉红外光学科技有限公司、云南临沧鑫圆错业股份有限公司。本标准主要起草人：张莉萍、焦欣文、王学武、普世坤。

GB/T26074—2010错单晶电阻率直流四探针测量方法范围本标准规定了用直流四探针法测量错单品电阻率的方法本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍绪单品的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍错单品圆片(简称圆片)的电阻率。测量范围为1×10-·cm～1×10°·cm.2方法原理测量原理见图1。排列成一直线的四探针垂直压在半无穷大的试样平坦表面上。外探针1、4间通电流（A）·内探针2.3间电压U（V)。在满足一定条件下.四探针附近试样电阻率.可用公式(1)及公式（2)计算：：··························（1）-（+去-元--)·（2）式中一探针系数：探针1、2间的距离，单位为厘米(cmn)；探针2、3间的距离，单位为厘米（cm）探针3

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