标准解读

《GB/T 20726-2015 微束分析 电子探针显微分析X射线能谱仪主要性能参数及核查方法》与《GB/T 20726-2006 半导体探测器X射线能谱仪通则》相比,主要存在以下几方面的差异和更新:

  1. 适用范围扩展:2015版标准不仅针对半导体探测器X射线能谱仪,更聚焦于电子探针显微分析(EPMA)中的X射线能谱仪,覆盖了更专门的仪器类型和应用领域。这表明新标准在原有基础上,对微束分析技术进行了更深入和细致的规定。

  2. 性能参数细化:新标准详细列出了电子探针显微分析X射线能谱仪的主要性能参数,包括但不限于分辨率、精度、稳定性等,并明确了这些参数的测量和评估方法。相比2006版的通则性描述,2015版提供了更为具体的技术指标和测试要求。

  3. 核查方法的标准化:2015版标准引入了详细的核查方法,指导用户如何定期检查和验证仪器的关键性能,确保其长期稳定性和准确性。这为实验室的质量控制和校准工作提供了实操指导,增强了结果的可比性和可靠性。

  4. 技术进步的反映:鉴于2006年至2015年间X射线能谱技术和电子探针显微分析技术的进步,新标准融入了最新的科研成果和技术发展,如对更高效的数据采集系统、更高级的信号处理算法的考量,以及对新型探测器特性的描述等。

  5. 国际接轨:2015版标准在制定过程中参考了更多的国际标准和先进国家的规范,旨在提升国内标准与国际水平的一致性,促进技术交流和国际贸易。

  6. 安全与环境要求:虽然未直接提及具体内容,但随着科技发展,新标准可能也加强了对操作安全、辐射防护以及环境保护方面的要求,体现了对实验人员健康和环境保护的重视。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2015-10-09 颁布
  • 2016-09-01 实施
©正版授权
GB/T 20726-2015微束分析电子探针显微分析X射线能谱仪主要性能参数及核查方法_第1页
GB/T 20726-2015微束分析电子探针显微分析X射线能谱仪主要性能参数及核查方法_第2页
GB/T 20726-2015微束分析电子探针显微分析X射线能谱仪主要性能参数及核查方法_第3页
GB/T 20726-2015微束分析电子探针显微分析X射线能谱仪主要性能参数及核查方法_第4页
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文档简介

ICS7104099

G04..

中华人民共和国国家标准

GB/T20726—2015/ISO156322012

代替:

GB/T20726—2006

微束分析电子探针显微分析X射线

能谱仪主要性能参数及核查方法

Microbeamanalysis—Selectedinstrumentalperformanceparametersforthe

specificationandcheckingofenergydispersiveX-rayspectrometers

foruseinelectronprobemicroanalysis

(ISO15632:2012,IDT)

2015-10-09发布2016-09-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T20726—2015/ISO156322012

:

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替半导体探测器射线能谱仪通则

GB/T20726—2006《X》。

本标准与相比主要变化如下

GB/T20726—2006,:

中文名称修改为微束分析电子探针显微分析射线能谱仪主要性能参数及核查方法

———:X;

增加了部分术语和定义见

———(3.2、3.2.1、3.2.2、3.3~3.5、3.12、3.13);

修改了部分术语和定义见年版

———(3.8~3.11,20062.4~2.7);

删除了仪器本底的术语和定义见年版

———(20062.8);

增加了第五章其他性能参数的核查见第章

———:“”(5);

增加有助于理解本标准的必要的参考文献见参考文献

———()。

与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下

:

微束分析电子探针显微分析术语

———GB/T21636—2008(EPMA)(ISO23833:2006,

IDT)。

本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC38)。

本标准主要起草单位中国科学院地质与地球物理研究所

:。

本标准主要起草人曾荣树徐文东毛骞马玉光

:、、、。

本标准于年月日首次发布本次为第一次修订

200781,。

GB/T20726—2015/ISO156322012

:

引言

近年来通过改进探测器的探头晶体和射线入射窗口新材料的制备工艺以及应用先进的脉冲处

,X

理技术在射线能谱仪技术上取得的进展增强了能谱仪的总体性能特别是在高计数率和低

,X(EDS),

能量低于区域由于原来的标准未包含硅漂移探测器技术需要进行修订即使在相

(1keV)。(SDD),。

当高的计数率条件下硅漂移探测器性能也可与探测器相媲美更大的有效探测面积也使其具有

,Si-Li,

高计数率下测量能力该标准更新了评价此类现代探测器的性能参数

。。

能谱仪的特性以往通常用高能状态下能量的分辨率来表示定义为谱峰半高宽

,Mn-Kα(FWHM)。

为了表示在低能量范围的特性生产厂家通常给出碳或氟峰的半高宽或者零峰的半高宽一些生产

,K。

商也用峰背比标示即用55谱线中峰与基线的比值或硼谱线中峰与谷的比值来确定同一个量时常

,Fe,

有不同的定义相对于高能量区而言能谱仪在低能端的灵敏度很大程度上取决于探测晶体和射线

。,X

入射窗口的设计但是生产商通常不标示谱仪性能对能量的依赖关系而低能端的高灵敏度对于分析

。,

轻元素组分非常重要

为满足全球范围内制定射线能谱仪规范的最低要求本标准进行了修订能谱法是分析

X(EDS),。

固体和薄膜化学成分最常用的方法之一依据本标准规定的同一参数可对不同设计的能谱仪性能进

。,

行比较也有助于针对特定的任务选择适用的能谱仪另外本标准也便于对不同实验室的仪器标准与

,。,

分析结果进行比对依照规定[1]这些实验室应按规定的程序定期核查仪器的校准状

。ISO/IEC17025,

态本标准可作为所有相关测试实验室制定相似操作程序的指南

。。

GB/T20726—2015/ISO156322012

:

微束分析电子探针显微分析X射线

能谱仪主要性能参数及核查方法

1范围

本标准规定了表征以半导体探测器前置放大器和信号处理系统为基本构成的射线能谱仪

、X

特性最重要的性能参数本标准仅适用于基于固态电离原理的半导体探测器能谱仪本标准规

(EDS)。。

定了与扫描电镜或电子探针联用的性能参数的最低要求以及核查方法至于实

(SEM)(EPMA)EDS。

际分析过程在[2]和[3]中已有规范不在本标准范围之内

,ISO22309ASTME1508,。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

微束分析电子探针显微分析术语

ISO23833(EPMA)[Microbeamanalysis—Electronprobe

microanalysis(EPMA)—Vocabulary]

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

ISO23833。

注除和外这些定义都按[2][4]和中

:3.1,3.2,3.2.1,3.2.2,3.11,3.123.13,ISO22309,ISO18115-1ISO23833

相同或相似的形式规定

31

.

能谱仪energy-dispersiveX-rayspectrometer

同时记录整个射线谱来测定射线强度作为辐射能量函数的装置

X,X。

注能谱仪包括固态探测器前置放大器和脉冲处理器探测器将射线光子能转换为电脉冲并经前置放大器

:、。X,

进行信号放大脉冲处理器根据波幅将脉冲分类并形成射线强度对能量的直方图分布

。X。

32

.

计数率countrate

每秒射线光子数

X。

321

..

输入计数率inputcountrateICR

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