标准解读
《GB/T 20229-2022 磷化镓单晶》相比《GB/T 20229-2006 磷化镓单晶》, 主要体现在以下几个方面的更新与调整:
-
技术指标的优化:新版标准对磷化镓单晶的纯度、晶体结构、位错密度等关键性能指标进行了重新定义和优化,以适应近年来半导体材料技术进步和应用需求的提升。这些调整旨在提高材料的综合性能和适用范围。
-
检测方法的改进:随着分析技术和仪器的进步,新标准引入了更精确、更高效的检测手段和评估方法,用于评价磷化镓单晶的质量。这包括但不限于更先进的光谱分析、显微技术及物理性能测试方法,确保测试结果的准确性和可靠性。
-
生产规范的细化:为保证单晶生长过程的稳定性和一致性,新标准细化了生产过程中的控制参数和操作规程,如温度控制、气氛控制、提拉速度等,进一步提升了产品质量控制水平。
-
环保和安全要求的增强:考虑到环境保护和生产安全的重要性,新标准加入了更多关于原材料使用、生产过程管理及废弃物处理的环保与安全规定,符合当前社会对可持续发展的要求。
-
标准适用范围的明确:对标准的适用范围进行了明确界定,可能包括不同尺寸、用途的磷化镓单晶,以及在特定电子器件或光电子领域的应用指导,使得标准的指导意义更为明确和实用。
-
术语和定义的更新:为了与国际标准接轨并反映技术发展,新标准对一些专业术语和定义进行了修订或增补,提高了标准的通用性和理解度。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2022-03-09 颁布
- 2022-10-01 实施
文档简介
ICS29045
CCSH.83
中华人民共和国国家标准
GB/T20229—2022
代替GB/T20229—2006
磷化镓单晶
Galliumphosphidesinglecrystal
2022-03-09发布2022-10-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T20229—2022
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替磷化镓单晶与相比除结构调整和编辑性
GB/T20229—2006《》,GB/T20229—2006,
改动外主要技术变化如下
,:
更改了适用范围见第章年版的第章
a)(1,20061);
增加了术语和定义一章见第章
b)“”(3);
更改了牌号的表示方法见第章年版的
c)(4,20063.1);
更改了掺杂型磷化镓单晶锭的载流子浓度电阻率要求见年版的
d)n、(5.1.1,20063.2.2);
增加了型半绝缘型磷化镓单晶锭的电学性能要求见
e)p、(5.1.1);
删除了磷化镓单晶锭直径的要求见年版的
f)(20063.2.4);
增加了磷化镓单晶锭的位错密度要求见
g)(5.1.3);
删除了磷化镓单晶锭无孪晶线的要求见年版的
h)(20063.2.5);
更改了磷化镓单晶研磨片位错密度的要求见年版的
i)(5.2.1,20063.3.2);
增加了磷化镓单晶研磨片表面取向的要求见
j)(5.2.2);
更改了直径磷化镓单晶研磨片的厚度及允许偏差要求见年版的
k)50.8mm(5.2.3,20063.3.4);
增加了磷化镓单晶研磨片几何参数中翘曲度总厚度变化总指示读数的要求见
l)、、(5.2.3);
增加了直径磷化镓单晶研磨片的几何参数要求见
m)63.5mm、76.2mm(5.2.3);
更改了磷化镓单晶研磨片表面质量的要求见年版的
n)(5.2.4,20063.3.3);
更改了试验方法见第章年版的第章
o)(6,20064);
更改了组批检验项目取样及检验结果的判定见第章年版的第章
p)、、(7,20065);
更改了标志的要求见年版的
q)(8.1,20066.1);
更改了包装的要求见年版的
r)(8.2,20066.2、6.3);
更改了随行文件的要求见年版的
s)(8.5,20066.5);
增加了订货单内容见第章
t)(9);
增加了规范性附录磷化镓单晶位错密度的测试方法见附录
u)“”(A)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所有研国晶辉新材料有限公司有色金属技
:、、
术经济研究院有限责任公司
。
本文件主要起草人孙聂枫王阳李晓岚刘惠生李素青王书杰邵会民史艳磊张路许兴
:、、、、、、、、、、
付莉杰张晓丹姜剑
、、。
本文件于年首次发布本次为第一次修订
2006,。
Ⅰ
GB/T20229—2022
磷化镓单晶
1范围
本文件规定了磷化镓单晶的牌号技术要求试验方法检验规则标志包装运输贮存和随行文
、、、、、、、
件及订货单内容
。
本文件适用于制作光电微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片
、。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
半导体单晶晶向测定方法
GB/T1555
计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样
GB/T2828.1—20121:(AQL)
计划
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T4326
硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6618
硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6620
硅片表面平整度测试方法
GB/T6621
硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T6624
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