标准解读
GB/T 20229-2006《磷化镓单晶》是中国关于磷化镓(GaP)单晶材料的质量标准。这一标准详细规定了磷化镓单晶的分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存要求,旨在确保该材料的质量可控性与一致性,满足半导体器件制造等行业的需求。以下是标准的主要内容概览:
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范围:明确了本标准适用的磷化镓单晶类型,包括未掺杂及特定掺杂的单晶,适用于半导体器件如LED、激光二极管等的制造。
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规范性引用文件:列出了执行本标准时所依据的其他标准和文件,这些文件对于理解并实施标准中的各项要求至关重要。
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术语和定义:对标准中使用的专业术语进行了界定,帮助读者准确理解各条款内容。
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分类:根据磷化镓单晶的直径、导电类型(如N型、P型)、掺杂浓度等指标进行分类,便于用户根据具体应用需求选择合适的产品。
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技术要求:
- 外观质量:规定了单晶表面应无明显缺陷,如裂纹、夹杂等。
- 尺寸和形状:详细说明了单晶直径、长度及其允许偏差,确保尺寸一致性。
- 晶体质量:包括位错密度、微缺陷等参数,要求达到一定的高标准以保证材料性能。
- 电学性能:规定了电阻率、载流子浓度等电学参数的测试方法及合格范围。
- 化学纯度:设定了磷化镓单晶中杂质元素的最大含量限制,以确保材料的高纯度。
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试验方法:描述了如何进行外观检查、尺寸测量、晶体质量评估、电学性能测试以及化学成分分析的具体步骤和要求。
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检验规则:包括产品检验的类别(如出厂检验、型式检验)、抽样方案、判定规则等,确保产品质量符合标准要求。
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标志、包装、运输和储存:规定了产品标识信息、包装材料与方式、运输条件以及储存环境的要求,以防产品在流通和储存过程中受损或性能下降。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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文档简介
ICS29.045H83中华人民共和国国家标准GB/T20229-一2006磷化家单晶Galliumphosphidesinglecrystal2006-04-21发布2006-10-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会
GB/T20229—2006前本标准由中国有色金属工业协会提出本标准由信息产业部(电子)归口。本标准起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所.本标准主要起草人:孙聂枫、周晓龙、孙同年。
GB/T20229—2006磷化家单1范围本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的·型磷化镖单晶键及单品片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、财存等、本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化镖单品材料(以下简称单品)。规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勒误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1555,半导体单品品向测定方法GB/T2828(所有部分)计数抽样检验程序GB/T4326非本征半导体单品霍耳迁移率和霍耳系数测量方法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GJB3076磷化家单品片规范要求3.1牌号磷化家单品的牌号表示方法为:HPLEC-GaP-口()-(表示晶向表示导电类型,括号内的元素符号表示掺杂剂表示磷化家单品表示高压液封直拉法示例:HPLEC-GaP-N(S)-111),表示高压液封直拉法掺硫n型(111)品向磷化镖单品3.2磷化单晶键特性3.2.1磷化镖的导电类型为n型。3.2.2磷化镖单品键的掺杂剂、霍耳迁移率和电阻率应符合表1的规定.表1磷化家单晶的导电类型、掺杂剂、电学参数载流子浓度/迁移率/电阻率/导电类型掺杂剂Lcm'/(V·s门cm-(n·cm)2×101~8×10!二10010~10°
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