标准解读

《GB/T 17866-1999 掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则》这一标准主要规定了半导体制造过程中，用于检测掩模（光罩）缺陷的系统灵敏度分析所需特制缺陷掩模的设计、制作及评估测量的具体方法。然而，您提供的对比项似乎不完整，没有明确指出要与哪个具体的标准或版本进行比较。因此，直接对比变更内容较为困难。

但基于一般标准更新的常规路径，如果将《GB/T 17866-1999》与该领域后续发布的新版标准或国际上同类标准相比，可能的变更点通常会涉及以下几个方面：

  1. 技术进步的吸纳：新标准可能会纳入新的检测技术和设备进展，提高缺陷检测的精度和效率，如更先进的光学或电子束检测技术的规范。

  2. 测试方法的优化：随着对缺陷理解的深入，测试方法可能会得到改进，包括更精确的缺陷尺寸测量、形状识别算法的升级，以及对不同类型缺陷（如粒子、划伤、针孔等）的特定评估方法。

  3. 灵敏度要求的调整：鉴于半导体工艺节点的不断缩小，对掩模缺陷的容忍度要求更加严格，新标准可能会设定更高的灵敏度要求，确保能够有效检测出更微小的缺陷。

  4. 质量控制指标的细化：为了更好地适应高质量生产需求，新标准可能会引入更多详细的质量控制指标和评估参数，确保掩模缺陷检查系统的稳定性和可靠性。

  5. 标准化语言和格式的统一：遵循国际标准化组织的最新指南，新标准在表述、符号使用、计量单位等方面可能进行了规范化调整，便于国际交流与合作。

  6. 环境和安全考量的增强：考虑到环境保护和操作人员安全，新标准可能会增加对检测过程中使用的材料、废弃物处理以及操作安全性的指导。

由于没有具体的对比对象，以上仅为基于标准更新常见趋势的一般性推测。若需具体分析与某特定标准之间的差异，提供完整的标准名称或版本号是必要的。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1999-09-13 颁布
  • 2000-06-01 实施
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GB/T 17866-1999掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则_第1页
GB/T 17866-1999掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则_第2页
GB/T 17866-1999掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则_第3页
GB/T 17866-1999掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则_第4页
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文档简介

ICS31.200L56中华人民共和国国家标准GB/T17866—1999idtSEMiP23.1993掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems1999-09-13发布2000-06-01实施国家质量技术监督局发布

GB/T17866-1999目次前言……………·上范围2引用标准……3特制缺陷的类别4特制缺陷的尺寸定义基本单元与基本子单元6侍制缺陷的识别符号7缺陷单元在芯片图形上的排列规则特制缺陷掩模中芯片布局9测试掩模用于灵敏度评估10测试掩模的名称、比例和标题

GB/T17866--1999本标准等同采用1994年SEMI标准版本“微型构图”部分中的SEMIP23:1993《掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则》（Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems)。SEMI标准是国际上公认的一套半导体设备和材料国际标准.SEMIP23：1993(抢模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则》是其中的一项，它将与如下已经转化的八项国家标准：GB/T15870-1995《硬面光掩模用铬薄膜》(eqvSEMIP2:1986)：GB/T15871-1995《硬面光掩模基板》(neqSEMIP1:1992)；GB/T16527-1996《硬面感光板中光致抗蚀剂和电子束抗蚀剂规范》eqvSEMIP3:1990）GB/T16523—1996《圆形石英玻璃光掩模基板规范》(eqvSEMIP4:1992):GB/T16524—1996《光掩模对准标记规范》(eqvSEMIP6:1988);GB/T16878-1997《用于集成电路制造技术的检测图形单元规范》idtSEMIP19:1992):GB/T16879-1997《掩模曝光系统精密度和准确度的表示准则》(idtSEMIP21:1992)；GB/T16880—1997《光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则》(idtSEMIP22:1993），以及与本标准同时转化的GB/T17864—1999关键尺寸（CD)计量方法》idtSEMIP24:1994)和GB/T17865—1999《焦深与最佳聚焦的测量规范》idrSEMIP25:1994)两项SEMI标准形成一个国家标准微型构图系列。本标准是根据SEMI标准P23：1993《掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则》制定的。在技术内容上等同地采用了该国际标准。本标准从2000年6月1日起实施。本标准由中国科学院提出。本标准由SEMI中国标准化技术委员会归口本标准起草单位：中国科学院微电子中心。本标准主要起草人：陈宝钦、陈森锦、廖温初、刘明

中华人民共和国国家标准掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷撞模和GB/T1999评估测量方法准则Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems1范围本标准的目的是制定一套可用于评估掩模缺陷检查系统灵敏度的测试掩模。这套测试掩模包括：含特制图形缺陷的测试芯片，以及不含特制图形缺陷的参考测试芯片。由于测试芯片是由各种单元集合而成·所以在本标准中，测试芯片是用单元图形、单元图形中的特制缺陷、以及单元的布局来定义的。此外.测试掩模是通过规定测试芯片的排列来定义的。本标准还讲述这套掩模的用法。过去的设备在灵敏度测试中.许多设备生产厂家和用户使用不同的掩模，而且每个厂家和用户各自决定不同的测试方法。在某些情况下·逸今还没有统一的测量方法或灵敏度分析方法。所以·在对各厂家的设备进行灵敏度比较时,在厂家与用户商定规范时,在用户与用户商定规范时.都免不了要发生混汤。所以在评估掩模缺陷检查系统的灵敏度时，最好采用本标准规定的测试掩模2引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性GB/T16880—1997光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则SJ/T10584-1994微微电子学光掩蔽技术术语特制缺陷的类别本标准所述的特制缺陷是利用两种背景图形来定义的。这两种背景图形是a）接触孔图形（contactpattern）；b）线条套圈图形(wiringpattern)图形的设计规则规定为3Pm(在掩模上)。本章对这两种背景图形中的特制缺陷进行分类、定义并编号在接触孔图形中的特制缺陷称为“接触孔缺陷"：在线

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