标准解读

《GB/T 15870-1995 硬面光掩模用铬薄膜》这一标准详细规定了硬面光掩模行业中使用的铬薄膜的各项技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存要求。然而,您提供的对比标准信息不完整,我无法直接指出与某一特定标准相比的具体变更内容。但可以说明一般情况下,当一个标准更新或与另一个标准相对比时,可能涉及的变更点通常包括:

  1. 技术指标调整:新标准可能会对铬薄膜的厚度、纯度、均匀性、附着力等关键性能指标提出更严格或不同的要求,以适应技术进步或行业需求变化。

  2. 测试方法改进:随着检测技术和分析手段的发展,新标准可能会引入新的测试方法,以提高测量精度或便利性,例如采用更先进的光谱分析技术来评估薄膜质量。

  3. 环保与安全要求:考虑到环境保护和生产安全的日益重视,新标准可能会增加对生产过程中污染物排放、有害物质限制等方面的规定。

  4. 包装、运输和储存规范更新:为确保产品在流通环节中的品质稳定,新标准可能会对包装材料、标识要求、运输条件及储存环境提出新的或更为具体的要求。

  5. 术语和定义的统一:为了与国际标准或行业共识保持一致,新标准可能会对相关术语进行修订或新增,以提升标准的通用性和互操作性。

  6. 质量管理与认证体系:随着质量管理理念的演进,新标准可能会融入更系统的质量控制要求,或者对接国际认可的质量管理体系标准。

由于缺乏具体的对比标准,以上仅为一般性说明,实际的变更内容需要依据完整的标准文档进行详细比对才能确定。


如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1995-12-22 颁布
  • 1996-08-01 实施
©正版授权
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文档简介

中华人民共和国国家标准GB/T15870--1995硬面光掩模用铬薄膜Chromethinfilmsforhardsurfacephotomasks1995-12-22发布1996-08-01实施国家技术监督局发布

GB/T15870-1995本标准非等效采用SEMI标准Semip2-86《硬面光掩模用铬薄膜》。本标准第4章“要求”中4.6按Semip2-86《硬面光掩模用铬薄膜》制定,其余均按我国国情制定。本标准对国家标准GB7237—87(铬版》中3.2的内容进行补充。与GB7237中3.2的重要技术改变之处为:增加磁溅射方法制作的铬膜有关技术指标。本标准由中华人民共和国电子工业部提出本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位:长沙韶光微电子总公司、电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人:吴保华、王亦林、赵雨生、谈仁良

中华人民共和国国家标准GB/T15870-1995硬面光撞模用铬薄膜1范围本标准规定了硬面光掩模用铬薄膜的要求、试验方法、检验规则等内容本标准适用于硬面光掩模用铬薄膜(以下简称铬薄膜)2引用标准下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均为有效。所有标准都会被修订,使用本标淮的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB191一90包装储运图示标志GB2828—87逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)GB2829—87周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查》GB7239—87铬版铬膜和胶膜厚度的测试方法GB7240—87格版铬膜表面反射率的测试方法GB7241—87铬版光密度的测试方法GB/T15871—1995硬面光掩模基板SJ/T10584—94微电子学光掩蔽技术术语3定义本标准采用SJ/T10584中的定义。4要求4.11铬薄膜光密度a)铬薄膜的光密度为2.5士0.3(白光);b)特殊要求,由供需双方商定。4.2铬薄膜厚度a)真空蒸发成膜的低反射率(LRC)铬膜厚度为145nm±15nm;b)磁控滩射成膜的低反射率(SLRC)铬膜厚度为95nm±10nm;)特殊要求,由供需双方商定。4.3铬薄膜反射率a)高反射:R>40%;b)中等反射:15%<R<40%;c)低反

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