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![第10章 半导体式化学传感器_第3页](http://file4.renrendoc.com/view/31b2e29541bec8b33399a2884b3ac0cc/31b2e29541bec8b33399a2884b3ac0cc3.gif)
![第10章 半导体式化学传感器_第4页](http://file4.renrendoc.com/view/31b2e29541bec8b33399a2884b3ac0cc/31b2e29541bec8b33399a2884b3ac0cc4.gif)
![第10章 半导体式化学传感器_第5页](http://file4.renrendoc.com/view/31b2e29541bec8b33399a2884b3ac0cc/31b2e29541bec8b33399a2884b3ac0cc5.gif)
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文档简介
第10章半导体式化学传感器
10.1气敏传感器
10.2湿敏传感器10.3离子敏传感器主要内容:概述
凡是用半导体材料制作的传感器都属于半导体传感器。半导体式传感器种类很多,其中包括:压阻元件、集成温度传感器、磁敏元件、光敏电阻、霍尔元件等。半导体传感器是典型的物理型传感器,它是利用某些材料的电特征的变化实现被测量的直接转换,如改变半导体内载流子的数目或改变PN结特性。半导体电特性被测量电信号本章主要介绍半导体型的电化学传感器优点:传感器器件采用半导体加工工艺,因而没有相对运动部件,结构简单;半导体材料容易实现集成化、智能化,低功耗,可用于便携式仪器的现场测试;缺点:受温度影响,需采用补偿措施;线性范围窄,性能参数离散性大。概述
半导体式化学传感器是上世纪70年代后期诞生起来的新型传感器,主要是以半导体作为敏感材料,通过物理特性变化实现信号转换。如:气敏、湿敏、离子敏传感器。由于化学传感器转换机理复杂,目前半导体式化学传感器远不及电参数式物理量和其它传感器成熟。气敏元件湿敏元件湿敏传感器半导体电化学传感器10.1气敏传感器
气敏传感器特点灵敏度较高,达10-6~10-3数量级,无需放大;可检测到可燃气体爆炸下限的1/10,用于泄漏报警;
响应速度较慢。
气敏传感器用于检测工业现场、环境气体浓度和成份工业天然气、煤气等易燃易爆的安全监测;容器或管道泄漏的检漏;
酒后驾车的乙醇浓度检测;环境中的有害、有毒气体监测;空气净化、家电用品、宇宙探测;牙医口臭检查。
不同气体需采用各种不同气敏传感器的检测仪器一氧化碳(CO)矿用气体检测仪
天然气、煤气等易燃易爆的安全监测
酒后驾车的乙醇浓度检测二氧化硫(SO2
)测试仪二氧化碳(CO2)检测仪氩气(Ar2
)检测分析仪
容器或管道泄漏的检漏可燃气体检漏仪甲烷遥距测试仪可燃气体检测仪智能型甲烷检测报警仪便携式甲醛检测仪
环境中的有害、有毒气体监测空气质量检测仪由于气体种类很多,性质各不相同,不可能用同一种气体传感器测量所有气体;所以检测不同气体需要选用不同型号的气敏传感器。按半导体的物理特性,可分为电阻型和非电阻型半导体气敏传感器按工作原理分类电阻型气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应,导致敏感元件阻值变化。氧气是具有负离子吸附倾向的气体,被称为氧化型气体——电子接收性气体;氢、碳氧化合物、醇类等是具有正离子吸附倾向的气体,被称为还原型气体——电子供给性气体。10.1.1电阻型半导体气敏传感器氧气氢气---+++半导体电阻变化气体氧化反应还原反应当氧化型气体吸附到N型半导体上,使载流子减少,电阻率上升;当还原型气体吸附到N型半导体上,载流子增多,电阻率下降;当氧化型气体吸附到P型半导体上,载流子增多,电阻率下降;当还原型气体吸附到P型半导体上,载流子减少,电阻率上升;
气体与(N、P型)半导体接触时情况N型半导体多电子;
P型半导体多空穴
氧化型气体接收电子;还原型气体供给电子N--氧N----氢P++空气中—高阻状态由于空气中的氧化的作用,半导体(N型)材料的电子电荷被氧吸附,结果使传导电子减少,电阻增加,使器件处于高阻状态;空气中—氧化作用—氧吸附半导体电子—电阻增加.气敏器件与被测气体接触—电阻减小当气敏元件与被测气体(氢、醇类)接触时,会与传感器表面吸附的氧发生反应,将束缚的电子释放出来,敏感膜表面电导增加,使元件电阻减小。与气体接触时—吸附的气体与氧发生反应—电子释放—电导增加,电阻减小.
以N型半导体为例:通常气敏器件工作在空气中N--氧N--氢--(1)电阻型半导体气敏传感器工作机理电阻型半导体气敏传感器的导电机理用一句话描述:
利用半导体表面因吸附气体引起半导体元件电阻值变化,根据这一特性,从阻值的变化检测出气体的种类和浓度。
电阻型气敏传感器是目前使用较广泛的一种气敏元件。
电阻型传感器主要由敏感元件、加热器、外壳三部分组成。气敏电阻的材料是金属氧化物;合成时加敏感材料和催化剂烧结;按制造工艺分为烧结型、薄膜型、厚膜型
金属氧化物有:N型半导体SnO2Fe2O3
ZnOTiOP型半导体CoO2PbOMnO2CrO3
(2)电阻型半导体气敏传感器结构特征电阻型气敏传感器封装这些金属氧化物在常温下是绝缘的,制成半导体后才显示气敏特性。电阻式气敏传感器可以等效为电阻ABFF’AB电阻型气敏元件及符号
在常温下,电导率变化并不大,达不到检测目的,因此,电阻型结构的气敏元件都有电阻丝加热器。气敏传感器电路符号加热方式分为直热式和旁热式直热式(加热丝与测量丝埋入氧化物中烧结),
特点是成本低,但受气流影响,稳定性差.旁热式(加热丝放在陶瓷管内,管外金属电极涂上氧化物),加热丝与气敏材料不接触,避免测量回路与加热回路的相互影响,减小环境温度的影响.国产同类产品:直热式-QN型;旁热式-MQ型.气敏元件加热作用有两个:一是可以加速气体吸附和氧化还原反应,提高传感器的灵敏度和响应速度;二是烧掉附着在壳面上的油雾、尘埃。
电阻型气敏元件在加热状态下工作加热时间2~3分钟;加热电源一般为5V;加热温度200~450℃。ABFF’(3)电阻型半导体气敏传感器特性参数a.固有电阻Ra气敏元件在洁净空气中的电阻值称为固有电阻Ra
,固有电阻值一般在几十kΩ到数几百kΩ范围内。气敏传感器的分辨率反映气体元件对被测气体的识别以及对干扰气体的抑制能力,即b.分辨率式中,Ugi在规定浓度下,元件在第i种气体中负载电阻上电压。c.灵敏度——
表征气敏元件的灵敏度通常有下列几个参数:电阻灵敏度:气敏元件的固有电阻Ra与在规定气体浓度下气敏元件的电阻Rg之比为电阻灵敏度,即气体分离度:气体浓度分别为g1、g2时,气体元件的电阻Rg1、Rg2之比为气体分离度,可表示为电压灵敏度,气敏元件在固有电阻值时的输出电压Ua与在规定浓度下负载电阻的两端电压Ug之比为电压灵敏度d.时间常数
从气敏元件与某一特定浓度的气体接触开始,到元件的阻值达到此浓度下稳定阻值的63.2%为止所需要的时间称为元件在该浓度下的时间常数。e.恢复时间tr由气敏元件脱离某一浓度的气体开始,到气敏元件的阻值恢复到固有电阻Ra的36.8%为止所需要的时间称为元件的恢复时间tr。(4)电阻型半导体气敏传感器基本测量电路特性气敏传感器测量电路
测量电路是将元件电阻的变化转化成电压电流的变化。测量电路包括加热回路和测试回路两部分:
A、B端为传感器测量电极回路,F、F’引脚为加热回路。
加热电极F、F’电压UH=5V,A-B之间电极端等效为电阻Rs,负载电阻RL兼做取样电阻;
可见输出电压与气敏电阻有对应关系
负载电阻上输出电压为:10.1.2非电阻型半导体气敏传感器非电阻型半导体气敏传感器主要类型:利用MOS二极管的电容—电压特性变化;利用MOS场效应管的阈值电压的变化;利用肖特基金属半导体二极管的势垒变化。非电阻型半导体气敏传感器利用晶体管参数进行气体检测,多为氢敏(氢气敏感)传感器。特点是:用特定材料对某些气体敏感。工艺成熟、易集成、价格便宜,在P型硅氧化层上蒸发一层钯(Pd)金属膜作栅电极。氧化层(SiO2)电容Ca是固定不变的。硅片与氧化层界面电容Cs,总电容C
为Cs与Ca串联,Cs是外加电压的功函数,C也是偏压U的函数。MOS二极管等效电容C随电压变化。金属钯(Pd)对氢气(H2)特别敏感。当Pd吸附H2以后,使Pd电极的功函数下降,使MOS管C—U特性向左平移,利用这一特性用于测定氢气的浓度。MOS二极管元件结构MOS二极管C—U特性MOS二极管气敏元件等效电路
(1)MOS二极管气敏元件(电容—电压)Pd吸附H2后Pd电极的功函数下降
UGS>UT(阈值电压)时栅极氧化层下的硅从P变为N型,N型区将S(源)和D(漏)连接起来,形成导电通道,MOSFET进入工作状态。在电压UDS作用下D-S有电流IDS流过。
IDS随UDS、UGS变化;当UGS<UT时沟道没形成,无漏源电流,IDS=0。UT称为阈值电压UDSD漏G栅S源UGSIDS(2)MOSFET(场效应管)气敏元件钯Pd—MOSFET管结构与工作原理DGSbUTIDSUGSN沟道MOSFET,当栅(G)源(S)间加正向偏压(电场作用下空间电荷区逐渐增大)-----
阈值电压UT大小与材料有关外,与金属与半导体间的功函数有关。Pd对H2吸附性很强,H2吸附在Pd栅上引起Pd功函数降低。Pd—MOSFET器件就是利用H2在钯栅极吸附后改变功函数使UT下降引起漏-源电流的变化检测H2浓度。氢气扩散到钯-硅介质边界时形成电偶层,从而使MOS场效应管的阈值电压下降,当渗透到鈀中的氢气被释放逸散时,阈值电压恢复常态。
Pd10.1.3应用
5V(半定量)信号M
LM3914—LED驱动器集成电路内部电路
条形LED器件封装10.2湿敏传感器绝缘层上电极下电极
湿度是指空气中的水蒸气含量,干燥或潮湿对我们的生活有很大影响,潮湿—发霉,干燥—不舒服。湿度传感器主要应用于温\湿度检测控制,如:军械仓库、粮仓、水果
保鲜等场合。最早人们用头发随湿度变化而伸长或缩短现象做毛发湿度计,逐渐有了电阻湿度计,半导体湿度计是近年来才出现的。湿度通常用绝对湿度和相对湿度表示:绝对湿度:单位空间所含水蒸汽的绝对含量或浓度,用符号AH表示,单位(g/m3)。10.2.1湿度的表示方法露点:当空气中的温度下降到某一温度时,空气中的水汽就有可能转化为液相而凝结成露珠,这一特定温度称为空气的露点或露点温度。
此时空气的水汽分压将与同温度下水的饱和水汽压相等相对湿度:被测气体中蒸汽压和该气体在相同温度下饱合水蒸气压的百分比,一般用%RH表示,无量纲。10.2.2氯化锂湿敏电阻氯化锂湿敏电阻——是一种电解质湿敏电阻氯化锂电阻是利用吸湿性盐类潮解,离子导电率发生变化检测湿度。在氯化锂(LiCl)溶液中,Li和Cl以正负离子的形式存在,锂离子(Li+)对水分子的吸收力强,离子水合成度高,溶液中的离子导能力与溶液浓度成正比。氯化锂湿敏电阻结构晶体吸湿潮解产生离子(离子导电),湿度增加时离子增多(水分子的氢原子具有很强的正电场),导电率上升,电阻率下降。当溶液置于一定湿度场中,若环境RH上升,溶液吸收水分子使离子浓度上升电阻率下降;反之,RH下降,溶液浓度下降电阻率上升。
%RH↑吸湿——浓度↑
R↓%RH↓脱湿——浓度↓
R↑
通过测量溶液电阻R值实现对湿度测量。检测精度达±5%。氯化锂湿敏电阻特性10.2.3半导体陶瓷湿敏电阻半导体陶瓷湿敏电阻——又称半导瓷
用两种以上的金属—氧化物—半导体烧结成多孔陶瓷;多孔陶瓷表面吸收水分的情况可以分为三个阶段:第一阶段,陶瓷在低湿区域或刚接触水汽;第二阶段,进一步吸收水分子或中等湿度环境;第三阶段,大量水汽存在使晶粒界充满水分子。典型半导体陶瓷湿敏传感器负特性湿敏半导体瓷湿敏电阻,电阻随湿度增加而下降。由于水分子中氢原子具有很强的正电场,当水分子在半导体瓷表面吸附时可能从半导体瓷表面俘获电子,使半导体表面带负电,相当表面电势变负,电阻率随湿度增加而下降。正湿敏特性半导体瓷湿敏电阻(例:Fe3O4),材料结构、电子能量状态与负特性不同,总的电阻值升高没有负特性阻值下降的明显。
半导瓷材料有正湿度系数和负湿度系数两种:
湿度上升RH下降VT3截止,VT4导通,J2接通干燥设备,LED2点亮;同时VT2截止,VT1截止,J1失去电流释放,关闭增湿设备;湿度下降RH上升VT3导通,VT4截止,J2释
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