标准解读

《GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法》与前版《GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法》相比，主要在以下几个方面进行了调整和完善：

  1. 技术内容更新：新版标准对测量原理、测试设备的要求、以及实验操作步骤进行了细化和明确，以适应技术进步和仪器设备的发展，提高了测试的准确性和可重复性。

  2. 精度要求提升：针对测量精度，2009版标准对测试结果的准确度和精密度提出了更严格的要求，确保了测试数据的可靠性和对比性，有助于提高半导体材料性能评估的一致性。

  3. 术语和定义：对部分专业术语进行了修订或新增，使其更加科学、规范，便于读者理解和应用，同时也与国际标准相接轨。

  4. 试验方法优化：改进了光电导衰减法的具体实施步骤，包括样品制备、信号采集与处理等方面，旨在减少测试过程中的误差来源，增强测试方法的实用性和有效性。

  5. 环境条件控制：加强了对测试环境条件（如温度、湿度、电磁干扰等）的控制要求，明确了这些因素对测试结果可能产生的影响及相应的补偿措施，提升了测试环境的标准化水平。

  6. 数据处理与分析：提供了更详尽的数据处理方法和分析指导，包括统计分析方法的应用，帮助用户更好地理解测试数据，进行有效的质量控制和性能评估。

  7. 标准适用范围：虽然基本适用范围保持不变，仍专注于硅和锗材料，但新版标准考虑到了新材料和新工艺的发展，对一些特殊类型的半导体材料或结构也给出了适用性说明。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 1553-2023
  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
©正版授权
GB/T 1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法_第1页
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GB/T 1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法_第3页
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文档简介

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T1553—2009

代替

GB/T1553—1997

硅和锗体内少数载流子寿命测定

光电导衰减法

Testmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulkgermanium

andsiliconbymeasurementofphotoconductivitydecay

2009-10-30发布2010-06-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

硅和锗体内少数载流子寿命测定

光电导衰减法

ＧＢ／Ｔ１５５３—２００９

中国标准出版社出版发行

北京复兴门外三里河北街１６号

邮政编码：１０００４５

网址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

电话：６８５２３９４６６８５１７５４８

中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷

各地新华书店经销

开本８８０×１２３０１／１６印张１字数２４千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

书号：１５５０６６·１３９５５２

如有印装差错由本社发行中心调换

版权专有侵权必究

举报电话：（０１０）６８５３３５３３

书

犌犅／犜１５５３—２００９

前言

本标准代替ＧＢ／Ｔ１５５３—１９９７《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》。

本标准与原标准相比，主要有如下变化：

———新增加少子寿命值的测量下限范围；

———删除了有关“斩切光”的内容；

———本标准将ＧＢ／Ｔ１５５３—１９９７中第７章“试剂和材料”和第８章“测试仪器”并为第６章“测量仪

器”；

———本标准增加了“术语”章和“体寿命”的解释；

———本标准在“干扰因素”章增加了对各干扰因素影响的消除方法。

本标准的附录Ａ为规范性附录。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。

本标准主要起草人：江莉、杨旭。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ１５５３—１９７９、ＧＢ５２５７—１９８５、ＧＢ／Ｔ１５５３—１９９７。

Ⅰ

书

犌犅／犜１５５３—２００９

硅和锗体内少数载流子寿命测定

光电导衰减法

１范围

１．１本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体

内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

１．２本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特

殊的条形尺寸和研磨的表面，见表１。

表１单位为毫米

类型长度宽度厚度

Ａ１５．０２．５２．５

Ｂ２５．０５．０５．０

Ｃ２５．０１０．０１０．０

１．３本标准可测的最低寿命值为１０μｓ，取决于光源的余辉，而可测的最高寿命值主要取决于试样的尺

寸，见表２。

表２单位为微秒

材料类型Ａ类型Ｂ类型Ｃ

ｐ型锗３２１２５４６０

ｎ型锗６４２５０９５０

ｐ型硅

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