标准解读
GB/T 13389-1992是一项中国国家标准,全称为《掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》。该标准主要规定了如何将掺硼或掺磷的硅单晶材料的电阻率转换为相应的掺杂剂(在这里指硼或磷)浓度的方法和要求,以确保在半导体工业中对材料性能的准确评估与控制。下面是该标准内容的详细说明:
标准适用范围
本标准适用于半导体工业中使用的掺硼或掺磷硅单晶材料,其目的是为了提供一个统一、准确的换算方法,使得通过测量这些单晶的电阻率,能够可靠地推算出材料中的掺杂剂浓度。
主要内容概述
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定义与符号:标准首先明确了涉及的基本术语、单位以及符号,确保所有使用者对关键概念有统一的理解。例如,明确电阻率的定义及其测量方法,以及掺杂剂浓度的表达方式。
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测量原理与方法:阐述了电阻率与掺杂剂浓度之间理论上的关系,基于半导体物理原理,如杂质能级、载流子浓度与电阻率之间的关系。同时,介绍了用于测量电阻率的具体实验方法和技术要求,包括温度控制、样品制备及测试设备的校准等。
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换算公式与系数:提供了详细的数学模型和换算公式,用以将测得的电阻率值转换为掺杂剂的实际浓度。这些公式考虑了掺杂类型(硼或磷)、晶体结构、温度效应等因素,并可能包含特定的修正系数或图表,以提高换算的精确度。
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数据处理与误差分析:指导用户如何正确处理实验数据,包括数据的记录、统计分析以及误差来源的识别与评估,确保换算结果的可靠性。
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质量控制与验证:提出了实施该换算规程时应遵循的质量控制措施,以及如何通过比对实验、标准样品验证等方法来检验换算结果的准确性。
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附录与参考文献:可能包含一些辅助性的计算表格、示例计算或是引用的相关研究文献,以便使用者深入理解和应用该规程。
实施意义
该标准的实施对于保证半导体器件制造过程中材料的一致性和可靠性至关重要。它不仅有助于生产商优化生产工艺,提高产品质量,同时也为科研机构和检测实验室提供了统一的测试与评估依据,促进了技术交流与合作。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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文档简介
UDC669.782-172-415:621.317.33(083.5)H21中华人民共和国国家标准GB/T13389—92掺硼掺磷硅单品电阻率与掺杂剂浓度换算规程1992-02-19发布1992-10-01实施国家技术监督局发布
中华人民共和国国家标准掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T13389-92Practiceforconversionbetweenresistivityanddopantdensityforboron-dopedandphosphorus-dopedsilicon主题内容与适用范围本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单品电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。本标准适用于掺杂剂浓度10”~10”m-(电阻率0.0001~10,000Q·cm)掺硼硅单品和10"~5X10”cm-(电阻率0.0002~4,0000·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算,也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。2引用标准GB6615硅片电阻率的直排四探针测试方法方法提要用公式、表格或曲线图形进行电阻率和掺杂剂浓度之间的换算换算步骥4.11按照图解法、表格法或计算法把电阻率值换算成掺杂剂浓度值。4.1.1图解法4.1.1.1掺硼硅单品使用图1中标有“硼”的曲线4.1.1.2掺硅单品使用图1中标有“磷”的曲线。4.1.2表格法4.1.2.1掺硼硅单晶使用表1。4.1.2.2掺磷硅单品使用表2。4.1.3计算法4.1.3.1掺硼硅单晶按式(1)由电阻率值计算掺杂剂浓度值N-1-330X10%1082×101工PC1+(54.560)510········(M)武中:0-电阻率,Q·cm;-掺杂剂浓度,cm-。4.1.3.22掺磷硅单品按式(2)、式(3)由电阻率值计算掺杂剂浓度值:N-6212X
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