标准解读

《GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法》相比于其前版《GB/T 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法》，主要在以下几个方面进行了更新和调整：

  1. 技术内容的更新：2006版标准根据近二十年来砷化镓材料及半导体测试技术的发展，对电容-电压（C-V）测量的理论基础、测量设备要求、以及数据处理方法等方面进行了修订，以适应更精确、更高效的测量需求。

  2. 测量精度提升：新标准可能引入了更严格的误差控制标准和更先进的校准方法，旨在提高测量结果的准确性和重复性，从而更好地满足现代微电子和光电子器件对砷化镓外延层高质量的要求。

  3. 测试程序优化：针对电容-电压测量的具体操作步骤，2006版标准可能提供了更加详细和规范的操作流程，包括样品制备、测试环境控制、以及测试参数的选择等，以确保测试过程的一致性和可靠性。

  4. 仪器设备要求：考虑到科技进步，新标准可能会对用于测量的电容-电压测试仪、温度控制系统等设备的技术指标提出新的或更高的要求，以符合现代测量技术的标准。

  5. 适用范围调整：虽然两版标准均聚焦于砷化镓外延层载流子浓度的测量，但2006版可能根据新材料、新结构的应用扩展了标准的适用范围，或对特定类型的砷化镓外延层（如不同掺杂类型、不同厚度或特定应用领域的外延层）的测量给出了特别指导。

  6. 术语和定义更新：为了与国际标准接轨并反映行业最新进展，2006版标准可能对相关专业术语和定义进行了修订或增补，以增强标准的通用性和理解度。

  7. 标准化引用文件：新版标准会更新引用的国家标准和国际标准清单，确保所采用的方法和要求与当前的标准化体系保持一致，提升了标准的权威性和兼容性。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2006-07-18 颁布
  • 2006-11-01 实施
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GB/T 11068-2006砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法_第1页
GB/T 11068-2006砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法_第2页
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文档简介

ICS77.040.01H17中华人民共和国国家标准GB/T11068-2006代替GB/T11068—1989砷化家外延层载流子浓度电容-电压测量方法Galliumarsenideepitaxiallayer-Determinationofcarrierconcentrationvoltage-capacitancemethod2006-07-18发布2006-11-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局爱布中国国家标准化管理委员会

GB/T11068-2006本标准是对GB/T11068—1989《砷化家外延层载流子浓度电容-电压测量方法》的修订。本标准在原标准基础上.参考DIN50439《电容-电压法和汞探针测定半导体单品材料掺杂剂的浓度部面分布》编制的。本标准与原标准相比主要变动如下：-原标准规定,在制作高阻衬底样品的欧姆电极时，要在氮气保护及400℃下合金化5min,而经验表明,在350℃～450℃的温度下合金化.都可得到好的欧姆接触电极·故将此项要求改为在350C～400℃及氮气保护下.合金化5min～10min；取消了原标准对环境的要求，因为在通常的实验室条件下.所用仪器和测试方法本身对环境温度和湿度并不十分敏感.特别是成套仪器。但由于载流子浓度与温度有关.故应在测量报告中标明测量时的环境温度；简化了原标准关于电容仪校准的文字表述本标准自实施之日起代替GB/T11068—1989.本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。本标准起草单位：北京有色金属研究总院。本标准主要起草人：王彤涵。本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：-GB/T11068-1989。

GB/T11068-2006砷化家外延层载流子浓度电容-电压测量方法1范围本标准规定了砷化镖外延层载流子浓度电容-电压测量方法.适用于砷化家外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×10.cm-a～5×10！cm-a2术语和定义下列术语和定义适用于本标准2击穿电压breakdownvoltage当反向偏压增加到某一值时,肖特基结就失去阻挡作用,反向电流迅速增大时的电压值22接触面积Contactarca汞探针与试样表面的有效接触面积。23剪垒电容barriercapacitance半导体内垂直于接触面的空间电荷区的电容。势垒宽度barrierwvidth起势全作用的空间电荷区的线性宽度。2.5载流子浓度纵向分布ongitudinaldistributionofcarrierconcentration自半导体表面向体内垂直方向上载流子浓度与深度的对应关系。3原理汞探针与砷化镖表面接触形成肖特基势垒.当反向偏压增大时,势垒区向砷化家内部扩展。用高频小讯号测量某一反向偏压下的势全电容C(F)及由反向偏压增量V(V)引起的势垒电容增量C（F).根据公式(1)和公式(2)可计算出势垒扩展深度（X)和其相应的载流子浓度N（X）N（X）=ceoeA式中：

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