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文档简介
3.1.1BJT的结构简介3.1.2BJT的电流分配与放大原理>3.1.3BJT的特性曲线3.1.4BJT的主要参数3.1半导体三极管(BJT)3.1.1BJT结构简介三极管的构造核心:一块有两个相互联系的PN结单晶;示意图如下
发射区发射极,用E或e表示(Emitter)发射结(Je)基极,用B或b表示(Base)集电极,用C或c表示(Collector)集电区基区
集电结(Jc)
两种类型的三极管两种BJT类型NPN型和PNP型及其符号3.1.1BJT简介BJT制造工艺:合金法、扩散法3.1.2BJT的电流分配与放大原理
结构特点:•发射区的掺杂浓度最高;•集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;•基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图三极管的放大原理归结为外部条件:发射结正偏,集电结反偏内部机制:载流子传输
发射区:发射载流子(IE)基区:载流子复合(IB’)与扩散集电区:收集扩散载流子(InC)并存在反向漂移电流(ICBO)
载流子的传输过程3.1.2BJT的电流分配与放大原理1.内部载流子的传输过程以上看出,三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)都参与导电,故称为双极型三极管。或BJT(BipolarJunctionTransistor)。(以NPN为例)
载流子的传输过程通常inC>>ICBO
为电流放大系数,与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,一般
=0.90.992.电流分配关系3.1.2BJT的电流分配与放大原理iC=inC+ICBOiB=iB’-ICBOiE=iB+iC(1)三个电极电流总关系
(2)基极电流传输系数(3)共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示;(2)共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。(1)共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示;BJT的三种组态3.三极管的三种电路组态(原型电路)3.1.2BJT的电流分配与放大原理电压增益(电压放大倍数)电流增益互阻增益互导增益信号源负载3.放大作用简释
(1)模拟信号的放大(补1.2.1)3.1.2BJT的电流分配与放大原理若vI=20mV使当则电压放大倍数IBiE=-1mA,iC=iE=-0.98mA,vO=-iC•
RL=0.98V,=0.98时,(2)共基极放大3.1.2BJT的电流分配与放大原理RLecb1k共基极放大电路VEEVCCVEBIEIC+-vI+vEBvO+-+iC+iEIB+iB两个条件(1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。(2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。思考1:可否用两个二极管相连构成一个三极管?思考2:可否将e和c交换使用思考2:外部条件对PNP管和NPN管各如何实现?IE=IB+ICIC=βIBIC=αIE综上所述,三极管的放大作用,是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。3.1.2BJT的电流分配与放大原理一组公式+-bce共射放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE
iB=f(vBE)
vCE=const(2)当VCE≥1V时,集电结进入反偏状态(∵VCB=VCE–VBE>0);集电结收集电子,使基区复合减少,达到相同的IB需要更大VBE,表现为特性曲线右移。这是正常使用状态vCE=0VvCE=0VvCE
1V(1)当VCE=0V时,相当于C和E短接,表现为PN结的正向伏安特性曲线。1.共射电路输入特性曲线3.1.3BJT的特性曲线①死区
②非线性区③线性区
(3)输入特性曲线分为三个部分3.1.3BJT的特性曲线(1)共发射极直流电流放大系数
=IC/IBVCE=const1.电流放大系数
3.1.4BJT的主要参数
=IC/IBvCE=const3.1.4BJT的主要参数(2)共发射极交流电流放大系数 =IC/IE
VCB=const
(4)共基极交流电流放大系数α
α=IC/IE
VCB=const当BJT工作于放大区时,≈、≈,可以不加区分。3.1.4BJT的主要参数(3)共基极直流电流放大系数
ICEO即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。3.1.4BJT的主要参数(3)穿透电流在特性曲线上表现(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功率损耗PCM注意:任何时候晶体管功耗PC=ICVCE
3.极限参数3.1.4BJT的主要参数V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压V(BR)EBO——集电极开路时发射结的反向击穿电压
V(BR)CEO——基极开路时集射间的击穿电压,它与穿透电流直接联系几个击穿电压有如下关系
V(BR)CBO>V(BR)CEO>V(BR)EBObceVCCICEO3.1.4BJT的主要参数——3.极限参数(3)反向击穿电压
BJT构造与BJT类型
BJT的电流分配关系
BJT的放大作用:条件、机理
BJT
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