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文档简介

隧穿晶体管（TFET）—高能效电子开关报告人：刘强导师：任伟教授日期：2014.10.8主要内容2023/1/1621.隧穿晶体管工作机制2023/1/163原理阐述GN+N+P掺杂1.2V1.2VN-GN+P++1.2V1.2V关断状态关断状态加栅极电压加栅极电压1.隧穿晶体管工作机制2023/1/165原理阐述特点：1.隧穿过程不受温度的一级影响；2.要增大隧穿概率，需要：2.隧穿晶体管的性能改良2023/1/166增大的方法1.减小栅氧厚度2.多栅与环栅2.隧穿晶体管的性能改良2023/1/167增大的方法3.减少体厚：可以保证继续减小栅长2.隧穿晶体管的性能改良2023/1/169漏电流的产生漏电流的产生：降低掺杂浓度2.隧穿晶体管的性能改良2023/1/1610III-V族半导体栅极电压Vg

如何有窄的Eg和有效质量较小的载流子？GroupIII-V-semiconductor-based

TFETsSi、Ge是间接带隙半导体，而GaAs、InAs、InSb等是直接带隙半导体，可以提供较高的迁移率。2.隧穿晶体管的性能改良2023/1/1611TFET的缺点缺点1：工作电流太小缺点2：工作频率低可应用于高温中频低功耗电路。参考文献2023/1/1613[2]UygarE.Avci,IanAYoung,.HeterojunctionTFETscalingandresonant-TFETforsteepsubthresholdslopeatsub-9nmgate-length.[C].Vol[13],IEEEint.InternationalElectronDeviceMeeting,2013Vol[13]:96-100.[1]AdrianM.Ionescu,Heike.Riel,.Tunnelfield-effecttransistorsasenergy-efficientelectronicswitches[J].Nature,2011:Vol[479]329-337.[3]WeiCao,DebinaSarkar,YasinKhatami,JiahaoKang,KaustavBanerjee,.Subthreshold-swingphysicsoftunnelfie

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