电容屏结构设计分析

CopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.电容屏结构设计分析CopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.一.互电容基本介绍1.互电容定义及Tuoch示意图2.互电容等效模型3.互电容检测特点二.电容屏结构设计分析

1.平行板电容器

2.悬浮模型

3.RC常数分析

4.走线阻抗分析5.通道pitch分析

目录Tuoch示意图

透明的导体

有一种透明的导电物质可以使用它叫做“铟锡氧化物”英文名称简写为“ITO（IndiumTinOxide）”PS:玻璃为承载ITO的基材

触控屏ITO导电玻璃构造红色为收！蓝色为发！触控屏实物

CopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.互电容基本介绍两个或多个导体相互耦合而产生的耦合电容被称为互耦电容。驱动通道与感应通道两者之间会产生耦合电容，为TX与RX的互电容。一.互电容定义及Tuoch示意图

工作原理：当手指或其它导体靠近电容感应传感器时，由于人体相当于接地的导体，手指与感应传感器之间形成了一个手指的电容，驱动电极TX与感应电极RX之间电场能量中的一部分流向了手指，感应电极上接收到的感应信号幅度将减少，幅度变化大小与手指电容大小成正比。使用AD转换器检测感应信号幅度变化就可以知道是否有手指的触摸。CopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.

二.互电容电容传感器等效模型：Rd：驱动通道阻抗；Rs：感应通道阻抗；Cx：感应驱动节点互电容Cd：驱动通道对地自电容；Cs：感应通道对地自电容；检测原理：Goodix芯片对电容的检测是基于调制和解调原理来实现的。在待测电容Cx的两端分别接激励信号源和检测电路，工作时激励信号源输出一脉冲群信号对Cx进行调制。随着调制信号的高低电平变化，将会有脉冲电流流过Cx。测量脉冲电流的变化就可以计算出Cx的变化。互电容基本介绍CopyrightGoodixLtd.AllRightsReserved.三.互电容检测方式特点：检测行列交叉处的互电容(耦合电容CM)变化•有手指触摸时互电容减小•行加驱动激励信号,列进行感应每一个扫描周期，行和每列交叉点都需单独扫描检测每一个扫描周期扫描次数：

行数*列数驱动和感应单元之间形成边缘电容行列交叉重叠处会产生耦合电容注意：感应单元的自感应电容依然存在,但不必进行测量互电容基本介绍GT9XX检测特点：1、驱动电极和感应电极结点间存在耦合电容，这个电容称为互电容C，通常为2pf左右。2、GT968有17条驱动，10条感应，每条驱动对于10个感应节点，17*10，因此共有170个结点参与软件运算。3、每个结点通过ITO图形连接至感应通道，因此每个结点与芯片（引脚）感应通道间存在阻抗R。此R等于节点处的ITO电阻+走线电阻+其它电阻。4、GT9XX驱动电极按串行方式逐一产生激励信号。先TX1产生信号，R1-R4接收，然后再TX2产生信号。5、某一驱动产生激励信号时，10条感应线所对应的电路同时对各自的耦合信号进行积分、AD转换。互电容基本介绍

电容屏结构设计分析一.电容：电容量是表征电容器容纳电荷本领的物理量，其单位为法拉(法)，符号F。当电容器两端的电位差或电压(U)为特定值时，储存在电容器电极的电荷量为(Q)，则其电容量为：C=Q/U电容的这个基本公式，可类比于柱形的水容器，Q电量类比于水体积，电势差U类比于水深，横截面积类比于电容量.平行板电容器：平行板电容器的计算公式，当两平行板的面积远大于其间距时，有：C=εS/4πkd其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。

k:静电力常量k＝9.0×109N•m2/C2电容器的电势能计算公式：E=CU2/2一般来说，任何两个彼此绝缘又相互靠近的导体都可构成电容器。电容器的电容是由两个导体的大小和形状、两个导体的相对位置以及极板间的电介质决定的．电容并联公式：Ceq=C1+C2+……+Cn电容串联公式：1/Ceq=1/C1+1/C2+……+1/Cn模型说明：V1模拟驱动信号源C1，C1x触摸屏单个节点本征电容（互电容），该电容的电场是开放的，会随着手指的Touch而被吸走部分电场。C1表示该电容电容不会改变的部分，C1x表示开放的电场导致可被改变的电容。C2手指Touch时，手指与驱动线之间的耦合电容C3手指Touch时，手指与感应线之间的耦合电容Ch人体对触摸屏系统地之间的耦合电容C11.4pV1FREQ=300KHzVAMPL=1VVOFF=0AC=1V00R10.01C21pC30.5p0Ch80pSensorR21GC1x0.1pDriverintrinsiccapacitorI1

电容屏结构设计分析二.悬浮模型：模型分析：Goodix检测电路是基于对感应端的电流/电荷进行检测来判定C1+C1x互电容而floating效应电流并没有流过C1+C1x，是从手指上过来的，会对Touch检测造成影响。理想情况下，Touch检测C1+C1x减小为C1，sensor电流减小，而i1是增加的电流会抵消掉一部分Touch效应。由于Ch无论如何不可能等效为短路至系统地，所以Touch时，i1一定是存在的，我们把这个电流定义为floating效应电流。电流的大小和C2，C3和Ch网络有关，和i1的关系如下：C2越大，通过交流电流的越多，i1越大C3越大，通过交流电流的越多，i1越大Touch检测C1+C1x减小为C1，sensor电流减小，而i1是增加的电流会抵消掉一部分Touch效应。所以C2C3越小越好，会使I1变小，影响更小。

Ch人体对触摸屏系统地之间的耦合电容（C=εS/4πkd）手机拿手上，无悬浮情况下，d变小，Ch越大，交流越容易从手指上流到系统GND上，所以电流直接从手指流入系统GND,使i1越小，即悬浮特性越好。我们希望I1越小越好.C2C3越小越好。

电容屏结构设计分析16三.RC常数在RC充放电电路中，时间常数为τ=R*C，

R：结点至芯片感应通道的阻抗，等于节点处的ITO电阻+走线电阻+其它电阻。C：结点处的互电容Cm与对应寄生电容Cpt或Cpr的总和。

电容充放电完全通常取电压上升99.9%为标准，即5倍RC常数t=5（Cpt+Cm）*Rpt或5(Cpr+Cm）*Rpr

电容屏结构设计分析RC常数分析：1、RC常数直接影响到IC内部积分电路的积分曲线，当RC常数越小，积分时间宽度越小，RC常数越大，积分时间宽度越大。给一个电容充放电，需要5RC常数充到99%电量。R越小，所需5RC越小，电容充放电所需时间越小，屏通道容易充上电。C由屏体结构决定，只能改变R，R越小越好。ITO做厚，R越小，透光性变差。ITO越薄，R变大，透光性变好。我们希望ITO方阻越小越好。屏厂希望R大些，透光性越好。2、RC常数在最佳范围内，如1.5us以内，各结点检测数据将不会有明显的差异（假设ITO膜是完全均匀，走线阻抗一致）。3、当RC超出最佳范围时，数据将会沿感应线方向均匀递减（R增大方向）。 经验表明，支持至5inch以上触摸屏，可能会出现沿感应线方向数据递（从近压合点向远离压合点数据均匀递减），离芯片感应通道越远的感应节点，屏体ITO阻值R越大，导致RC越大，在同样驱动脉冲频率下，节点电容充放电不完全，导致检测到的rawdata数据变小。4、当RC超出最佳范围时，可以通过软件微调积分电路的时间窗口，使得数据递减特性减弱，整屏数据基本接近，达到最佳范围。

电容屏结构设计分析四.走线阻抗

1、正常情况下，所有通道金属走线部分阻抗应该十分接近，但实际上，由于氧化、蚀刻不良等原因经常造成阻抗成倍增大。

2、由RC常数一节知道，感应线的R增大（使得RC超过最佳范围）充放电不完全，会导致数据递减，因此若感应通道走线部分阻抗过大，会使得整条感应线对应的数据比其它感应线整体偏小。

3、驱动线阻抗偏大，会明显导致激励信号传送至ITO图形上的幅度减弱（因为ITO图形的阻抗较小），因此若驱动通道走线部分阻抗过大，会使得整条驱动对应的数据比其它驱动对应的数据偏小。Rawdata值变小。

驱动通道阻抗通过影响驱动信号的频率及幅度来影响Rawdata值的变化。正常情况下，如果采样数据接近，这是由于驱动ITO图案宽，阻抗小，激励信号基本无衰减；另外同一驱动与不同感应形成的结点RC常数接近。

电容屏结构设计分析

五.pitch值分析：