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EOS的原理以及和ESD的区别1、 今天看了一下IPM模块的RDA分析报告，里面有讲到EOS导致IGBT短路。本来一直以为是静电放电引起，也就是常说的ESD。所以上网找了一些EOS与ESD的资料，总结如下：EOS：ElectricalOverStress-指所有的过度电性应力。超过其最大指定极限后，器件功能会减弱或损坏。ESD:ElectricalStaticDischarge-静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。2、 区别：EOS通常产生于：-电源-测试装置*其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒）*很短的EOS脉冲导致的损坏与ESD损坏相似。*损坏表征-金属线会膨胀-通常会发热-功率升高-会出现闭锁情况ESD属于EOS的特例-能量有限-由于静态电荷引起*其过程持续时间为几皮秒到几纳秒*其可见性不强*通常导致晶体管级别的损坏。3、 导致EOS的原因：*由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰*电源（AC/DC）十扰和过电压。*测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。*从其他装置发送的脉冲。*工作流程不甚合理*接地反弹（由于接地点不够，快速电流切换导致电压升高）4、 EOS的避免*电源-确保交流电源配备了瞬态电流抑制器（滤波器）-电源过压保护-交流电源稳压器（可选）。-电源时序控制器，可调整时序-不共用滤波器和稳压器*工作流程-将正确流程存档。-确保针对以下内容进行培训并给出警示标志：

%电源开/关顺序%不可“热插拔”%正确的插入方向-定期检查以确保遵守相关规定*维护-定期进行预防性维护。-确保接头良好紧固，以防止其带来间歇性故障。*培训-确保对所有人员进行培训并及时复习相关内容。*电路板或元件测试-确保不进行热切换。进行测试时使用存储范围捕获信号或电源的瞬态电流。-确保不出现峰值/低频干扰。-确保正确设置测试参数（不会过压）。-确保测试硬件中使用了正确的保险丝。附件为intel的关于这EOS这部分的资料。【添加到收系统分类：测试测量|用户分类：失效分析|来源：整理|

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