-模电期末自测题(A)

流电流放大系数_,用字母B表示;AI/Mbb叫做.交流电流放大系数_,用字母p表示。.晶体三极管的电流放大作用，是通过改变一基极—电流来控制一集电极—电流的，其实质是以一微小电流控制—较大电流。.硅晶体三极管发射结的导通电压约为0.7V,饱和电压降为」）.3V_,锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3V,饱和电压降为0.“一。.当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定力L正向一电压，集电结必定加正向或零电压。.当晶体三极管的队U“一定时，基极与发射极间的电压U加与基极电流Ib间的关系曲线称为输入特性曲线；当基极电流1b一定时，集电极与发射极间的电压Ue与集电极电流人Ic关系曲线称为输出特性曲线一。.晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特件—相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是一U*的增量和_1b的增量的比值。18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将_较差_;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能—不稳定—。19.按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极_、一共集极和一共基极三种基本放大电路。20.晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管小得多,所以硅三极管的_热稳定性.比锗三极管好。1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为—0.2V—时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为0.7V时，就认为此二极管为硅二极管。2、NPN型晶体三极管的发射区是一N型半导体，集电区是N型半导体，基区是P,型半导体。3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。若晶体三极管的直流电流放大系数P=50,便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为_0.12mA_。.共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极一和一发射极—组成，它不但具有电流—放大、—电压一放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。.晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制_漏极电流—的，所以它的输入阻抗很高。.共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为「80°_,这是放大器的重要特征，称为_放大器的倒相作用_。.常用的耦合方式有_阻容耦合变压器耦合和_直接耦合_三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用—阻容—耦合电路..放大器的静态是指没有输入信号—时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用—估算一方法确定，也可以用一图解—方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有」「、I_和-U一。场效bece应晶体管的静态工作点由—U…—、—T—和—U一确定。GSdDS.晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为_电压—放大和_功率_放大两类。.为了使放大器输出波形不失真，除需设置—适当的静态工作点外，还需要采用—稳定工作点—的方法，且输入信号幅度要适中。.在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生_截止_失真；静态工作点设置太高将产生_饱和_失真。.在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使I。的一正—半周及Uce的负半周失真；静态工作点设置太低时，会使Ic的U半周及Uce的工半周失真。.晶体三极管工作在放大状态时Uce随1b而变化，如果1b增加，贝则,Uce将减小一；如果1b减小，则Uce将_增大一因此，1b可以起调节电压作用。".在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Rb，则静态工作点沿着负载线—上移—，容易出现—饱和失真；若增大Rb，工作点沿着负载线_下移-容易出现—截止一失真。.如果晶体三极管放大器E。增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线一右移。在晶体三极放大器中R；减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变一陡。.对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻一大一些，以减轻信号源的负担，输出电阻一小一些，以增大带动负载的能力。.由于电容C具有一隔直流通交流—的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管c、e极间总电压的—交流一部分。.为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在V+U一，，CCce（或直流负载线的中点一。219、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。管号T1T2T3管号T1T2T3管脚电位（V）①0.76.23电极名称①②0610②③533.7③材料类型场效应管.场效应管从结构上可分为两大类：结型、绝缘栅型MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型_。由于场效应晶体管几乎不存口栅流—，所以其输入直流电阻—很大—。.UGS表示夹断电压，IDSS表示一饱和漏极_电流，它们是耗尽型场效应管的参数。.增强第场效应管当其UGS=0时不存在导电沟道。JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时存在导电沟道，而增强型MOS管则—不存在.导电沟道。.MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大―。.场效应晶体管一般采用自偏压，或栅极偏压）一和一分压式（或分压式自偏压两种偏置电路。放大电路.放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压U0=1V,该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。1.放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强_。.共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。差分放大电路.差分放大电路的输入电压Ui1=1V,Ui2=0.98V,则它的差模输入电压Uid=0.02V,共模输入电压TOC\o"1-5"\h\zU.C=0.99V。11.差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。.两级放大电路，第一级电压增益为40dB,第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为1000倍，总电压增益为60dB。.集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小.零点漂移_。.理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短」输入电流近似为0,称为虚断。.集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。使输入量减小的反馈是负反馈。引入直流负反馈可以稳定静态工作点。负反馈越深，电路的性能越稳定。.同相比例运算放大电路是一个深度的电压串联负反馈电路；反相比例运算放大电路是一个深度的电压并联负反馈电路。.参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。.将交流电转换为直流电的过程称为L整流_。把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为_滤波.。.单相整流电路按其电路结构特点来分，有半波整流电路、全波整流电路和桥式—整流电路。.乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成，其主要优点是效率高。二、选择题二极管.P型半导体中的多数载流子是_R_,N型半导体中的多数载流子是A-。电子空穴正离子负离子.杂质半导体中少数载流子的浓度二―本征半导体中载流子浓度。A.大于B.等于C.小于.室温附近，当温度升高时，杂质半导体中-C—浓度明显增加。载流子多数载流子少数载流子.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C）。.温度.掺杂工艺.掺杂浓度.晶格缺陷.PN结形成后，空间电荷区由（D）构成。.价电子.自由电子.空穴.杂质离子.硅二极管的正向导通压降比锗二极管，反向饱和电流比锗二极管B。大小相等.温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压且，反向电流A-。增大减小不变.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B）。A.减小B.基本不变C.增大.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C）。A.增大B.基本不变C.减小.变容二极管在电路中主要用作（D）。A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器.当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（A）。多数载流子少数载流子既有多数载流子又有少数载流子.如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C）。正常已被击穿内部断路.如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B）。正常已被击穿内部断路.晶体二极管的阳极电位是-20V,阴极电位是-10V,则该二极管处于（A）。反偏，正偏，.偏.当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。A.增大；B.减小；C.不变.在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关三极管.当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（C）。饱和状态放大状态截止状态.当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（C）。截止状态放大状态饱和状态.当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（A）。放大状态.饱和状态；截止状态.晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（C）。随基极电流的增加而增加；随基极电流的增加而减小，与基极电流变化无关，只决定于.当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（C）。A.反向；B.增大；C.中断.当温度升高时，半导体电阻将（B）。增大；b,减小；不变.工作在放大状态的晶体管，流过发射结的是A电流，流过集电结的是B_电流。扩散漂移.晶体管电流由B形成，而场效应管的电流由A形成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管-C—。一种载流子两种载流子大小.晶体管通过改变A来控制C；而场效应管是通过改变B控制D,是一种—F_控制器件。基极电流栅源电压集电极电流漏极电流电压电流.某NPN型管电路中，测得UBE=0V,UBC=-5V，则可知管子工作于（C）状态。A.放大B.饱和C.截止D.不能确定11.根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（B）。A．C．12．输入（A．NPN型低频小功率硅晶体管B.NPN型高频小功率硅晶体管PNP型低频小功率锗晶体管D.NPN型低频大功率硅晶体管C）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号13.在绝对零度（0K）时，本征半导体中B—载流子。数D.高频小信号A.有B.没有C.少数D.多14・在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生DA.负离子B.空穴C.正离子D.半导体中的载流子为D___。A.电子N型半导体中的多子是___^A

P型半导体中的多子是—B。A.电子.。A.电子电子-空穴对B.空穴B.空穴B.空穴C.正离子C.正离子C.正离子D.电子和空穴D.负离子当PN结外加正向电压时，扩散电流A当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。A.大于B—漂移电流。A.大于B.D.小于B.小于在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则u。和ui的相位_B。A.同相B.负离子C.等与C.等于反相C.相差90度D.不确定21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则u。和uii的相位—A_。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定°U22、既能放大电压，也能放大电流的是__4_组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和uii的相位_A。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定24、可以放大电压，但不能放大电流的是_C_组态放大电路。A.共射不确定B.共集C.共基D.25、可以放大电流，但不能放大电压的是—B—组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定26、27、28、29、在共射、A.共射在共射、A.共射在共射、A.共射在共射、A.共射共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是__B___组态。B.共集C.共基D.不确定共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是___B___组态。B.共集C.共基D.不确定共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是___C组态。B.共集C.共基D.不确定共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是__B组态。B.共集30、三极管是_D_器件。C.共基D.不确定

电压控制电压电流控制电压.测量某放大电路负载开路时输出电压为3V，接入2kQ的负载后的输出电阻为（D）kQ。A.0.5B.1.0C.2.0D..为了获得反相电压放大，则应选用（A）放大电路。.共发射极.电压控制电流D测得输出电压为1V4．共集电流控制电流

则该放大电路电极.共基极.共栅极.为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（B）放大电路。A.共发射极B.共集电极C.共基极D.共源极.放大电路如图T3.1所示，已知Rs=Rd，且电容器容量足够大，则该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为（B）。A.u0l=u02BU0l=-u02Cu0l>u02D.u0i<u02.在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（E）。A.PNP型的基极；B.PNP型的集电极；C.NPN型的基极；D.NPN型的发射极E.PNP型的发射极；F.NPN型的基极.在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（B）。A.晶体三极管将深度饱和；B.晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电.在NPN型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（A）。A.晶体三极管将深度饱和；B.晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏。.在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（B）。A.饱和失真；B.截止失真；C.不失真.在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A）。A.饱和失真；B.截止失真.C.不失真.晶体三极管低频小信号放大器能（A）。A.放大交流信号；B.放大直流信号；C.放大交流与直流信号.在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（B）A.偏高；B.偏低；C.适当.画放大器直流通道时，电容应视为（B）A.短路；B.开路；C.不变.在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为uo=（B）。A.icRc；B.-RciC；C.-IcRcD.IbRc.为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（A）。A.发射结正偏，集电结正偏；B.发时结正偏，集电结反偏；C.发射结正偏，集电结零偏.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（C）。A.同相位B.相位差90°;C.相位共为180°；D.不能确定.在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C）。A.电阻的阻值尽可能小；B.提高输入信号的频率；C.加大电容以减小容抗；D.尽可能减小时间常数。.为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（A）的方法。A.减小1bB.减小R°C.提高Ec的绝对值.为调整放大器的静态工作点:使之上移，应该使Rb电阻值（B）。A.增大B.减小；C.不变.如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（C）。A.集电极电流减小；B.集电极电压Uce上升；C.集电极电流增大.在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（B）。A.集电极电压Uce上升；B.集电极电压U下降；C.基极电流不变.在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数伙A）。A.增大；b,减小；C.不变.在室温升高时