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文档简介
第二章
门电路※
TTLIC结构、原理和电气特性
※
CMOSIC原理和电气特性2.1分立元件门电路一、二极管门电路
二、三极管反相器
三、DTL门电路一、二极管门电路二极管与门二极管或门Vo=A·
BVo=A+B二、三极管反相器
1.电路形式
2.
静态工作情况3.
箝位电路作用4.
带负载能力分析电路形式:
T起开关作用:T截止;
T饱和和
作用:抑制正向干扰静态工作情况:时,T基极,T可靠截止,时,求证,T饱和,输出箝位电路作用:和
作用时刻:作用:a.
为一个恒定值(一定负载范围内)
b.带载能力
c.开关速度
带负载能力分析:
时,外拉电流时,灌入电流
三、DTL门电路
电路静态工作分析:不同输入电平下,值确定比较大小DTL门电路的改进电路
图(a)电路:电平移动,被箝位被反向偏置
图(a)DTL门电路的改进电路图(b)电路:处于放大状态,属具有放大环节的DTL门。管输入,输出,使管图(b)DTL门电路的改进电路图(c)电路:
,分相级,有源负载
图(C)输出级为推拉结构※静态功耗下降;※输出阻抗对称性;※动态响应加快;
2.2TTL标准系列门电路
一、原理电路
※电路结构:输入级-逻辑与中间级-分相输出级-驱动※静态工作情况:,深饱和,,截止和正偏置,倒置放大,,饱和和截止
※电位电流关系:
二、电气特性讨论1.电压传输特性
ab段:截止区,,截止bc段:线形区,通,截止cd段:转折区,,通de段:饱和区,,深饱和
门阈值电压-转折区中间电压2.输入特性3.输入负载特性4.输出特性4.输出特性5.平均传输时间三、应用注意四、例题分析
例1.例2.例3.2.3TTL其他系列IC(CT2000—4000)CT1000—4000系列重要参数电路参数CT1000200030004000阈值电压(V)1.41.41.11.010639.5平均功耗(mW)1022192功率延迟积10013257192.4其他类型的TTLIC应用三、其他逻辑功能门电路2、2-2输入与或非门74S513.异或门74S86一.高阈值逻辑电路(HTLIC)
1.HTLIC特点
电源电压+15V
阈值电压高达7V
输出逻辑摆幅大约达13V
静态功耗大约为30~55mW/每门
平均传输时间长,约为160~200ns
2.5其他类型的BJT门电路2.典型电路3典型参数阈值电压无源结构有源结构二、发射极耦合电路ECLIC特点速度快:为0.75~2.0ns扇出系数大,25输出可实现线或逻辑摆幅小,约为0.8v静态功耗大,每门约为25~40mW电源电压:2典型电路逻辑表达式:逻辑符号:3、线或结构应用三、集成注入逻辑电路(IILIC)IILIC特点集成度高,功耗低,单元工作电流仅为1nA多集电极输出结构,可以“线与”输出摆幅低,约为0.6v速度慢,约为20~30ns扇出小,32.典型电路管共基接法:为本级恒流源,向管提供电流;又作为前级的集电极负载。管为多集电极管:实现入、出信号的反相;输出可线与。3.典型应用HTL、ECL、IILIC比较HTLECLIIL逻辑摆幅~13V0.8V(-0.9V~-1.75V)0.6V(0.7V~0.1V)8~10253160~2000.7~2.0线或20~30线与2.6CMOS集成门电路
CMOS-ComplementarySymmetryMetal
OxideSemiconductor
输入高阻抗,高达以上功耗低,静态功耗电源电压范围宽在3~18V逻辑摆幅大,达扇出大,No>50抗干扰,抗辐射能力强速度慢一、CMOSIC主要特点二、MOS管特性1.NMOS绝缘栅场效应管结构
B衬底D漏极,S源极,G栅极电源偏置:2.NMOS增强型管转移特性3.NMOS增强型管符号NMOS管PMOS管4.其他MOS管转移特性NMOS耗尽型管PMOS增强型PMOS耗尽型管三、CMOS反相器1、原理电路2.电气特性电压传输特性输入特性电压传输特性输出特性输出特性510150.511.33.40.511.33.45101511060503.具有入端保护电路的CMOS反相器四CMOS门电路1、或非门(CC4001)和与非门(4011)电路其核心电路2、CMOS开漏极电路(OD)原理电路
去掉上部Tp管,使漏极D开路使用条件:外接上拉电阻和电源主要应用:输出线与实现逻辑电平移位
3.CMOS传输门
CMOSTG原理电路和逻辑符号*
管对称,数据可双向传送。*传送模拟量的范围之间。模拟开关原理电路和逻辑符号TG+反相器→模拟开关Sw
4.CMOS三态门(TS)
控制上下沟道的导通和截止,实现三态输出
1
Z001010
1
Z000011或非门和与非门实现的三态电路
0
Z100111用与非门控制电路用传输门TG控制的三态的电路
1
Z
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