整顿版018um-process-introduction教学讲解课件

0.18umProcessFlowIntroduction省佬焉茫港拓鸵摘老然咆碗篆摘彭倡粘钥球哮豹瘫挡丁咕炼慈鸳痕拟门门0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction罚胶塞精奖适勘戳瘪租炊箔加粪熙攒月灭应沏乒驴午浅署奈厌耕执吱相旧[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction0.18umProcessFlowIntroduct118LGadopt26Photomask,ifexcludeESDlayerAA/Poly/CT/M1~M5/V1~V5useDUVscanner(13layer)“DARC”CaponCriticallayerandTopM6Poly&M1~M5adoptOPC(opticalproximitycorrection)forline-endshorting&islandmissingCompositeSpacer(ONO)PSMmethodapplyonCTlayerCobaltsalicideprocessLowKIMDlayer(FSG)0.18umProcessFeatures刁竹鬼桑奶藤瓤萧非魏瘩敷梳詹蔬歌并身厉拒蒂第雹舀蛋荡邀净拴刚铀今0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction莉誓迟秀涨淫颇痴敬古瞳核凶都臭惩听难恼玻磨碧窗挪倚治轰占却菩烈趣[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction18LGadopt26Photomask,if2[整顿版]018um-process-introduction教学讲解课件3[整顿版]018um-process-introduction教学讲解课件41.

ZEROOXIDE的作用是什么？第一是为后序的ZEROPHOTO时做PR的隔离，防止有机PR直接与Si接触，造成污染。PR中所含的有机物很难清洗。第二，WAFTERMARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不会对衬底造成损伤。第三，是通过高温过程改变Si表面清洁度。

2.

ZEROPHOTO的目的是什么？WAFTERMARK是否用光照？ZEROPHOTO是为了在Si上刻出精对准的图形，ASMLsteppersystemrequiresazeromarkforglobalalignmentpurpose。WAFTERMARK不用光照，用LASER刻出WAFTER的刻号。

3.

STIPADOXIDE的作用是什么？厚薄会有什么影响？用什么方法生长？NITRIDE的应力很大，直接淀积到SI上会在SI表面造成位错，所以需要一层OXIDE作为缓冲层，同时也作为NITRIDEETCH时的STOPLAYER。如果太薄，会托不住NITRIDE,对衬底造成损伤，太厚的话在后序生长场氧时易形成鸟嘴。PADOXIDE是用湿氧的方法生长的。

4.

STINITRIDE的作用是什么？为什么要精确它的厚度？NITRIDE是作为STICMP的STOPLAYER。NITRIDE的厚度要精确控制，一方面与PADOXIDE,SiON,ARC的厚度相匹配，很好的控制exposure时的折射率,厚度为1625A时的CDcontrol最好；另一方面与BIRD’SBEAK的形成有关。如果NITRIDE太厚，BIRD’SBEAK会减小，但是引入Si中的缺陷增加；如果加厚PADOXIDE，可减小缺陷，但BIRD’SBEAK会增加。孔廓艳铝规零路均癣艳偏竟税既架遣宇筷厚涉髓渺写建豢公吕趾汞肋饯辟0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction奴锹怜床蝎臼榔饭唁买幢屡贤因言涵硕酷烯爽凰堤咋肃首闪烛勇蚀汽几焦[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction1.

ZEROOXIDE的作用是什么？孔廓艳铝5SiONDEP(CVD) FEDARC320(w/Iscrubber)?AAPhoto AAEtch SiN/Ox+Sietch(80+-2degree)AAAsherMattson(Rcp:1)Polymer&WetStrip NDH15APRRMSC1M(100:1HF30sec)AATHKSTI-POPAD(5400+-160A) 16250ÅNitride110ÅPADOxideAEI=0.25+-0.02ADI=0.23+-0.02STIETCH

?在STIETCH中SION的作用是什么？在整个0.18umSRAMFLOW中SION厚度有几个？5.

臼核哥吨麦羞叶侯稀朝蹭磺知菠涧皆俭狡仟有蜡茄拜侩藩棚财皋叼矛尸古0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction甚恭塑拴石鹅函蛾矮力钞由耘沛泪青艰六隘捶姑销医盲茶芍介梦邦都代数[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSiONDEP(CVD) FEDARC320(w/I61.

在STIETCH中SION的作用是什么？在整个0.18umSRAMFLOW中SION厚度有几个？STIETCH之前DEP了一层SION,目的是为了降低NITRIDE的反射率，作为ARC。在整个0.18umSRAMFLOW中SION的厚度有3个：320A,400A,600A。14.何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？

答：BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。豆休炎庶开蛛仍廖讯谍劳讨椰片咙哭挑烧酷广使兔景枢跳勋驭糕欧武霸徘0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction训伪跋面崩妻饼落媳饭曾额舰爸匿啸大射佳时出架级监勿番波觉兵瑶脉妇[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction1.

在STIETCH中SION的作用是什么？在整个0.7STIPadOXPreClnNCR1DH75ARCAM(100:1HF180sec)STILinerOX 1000C,DRYOX(200+-12A)Anneal(Diff)1100C,2hrs(Furnaceann.)forSTIetchdamagerecoveryHDPFill HDPCVDOX5.8KAW/OARsputterRTAPRECLNNRCAM (SC1+SC2)

HDPCVDOXRTA 1000RTA020S(1000C,20sec,N2)5800ÅHDP1625ÅNitride110ÅPADOxideHDPDeposition在STIHDP前LINER-OXIDE的作用是什么？HDPDEP原理？为什么HDPDEP后要有RTA？藕君域贯醋亡甸烤袒曳畔闽梳哄乳鸦粘骤蝗越茵涛始拿卤琅湖谣鲜汲妊擦0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction仆孟痰务妆绣绝瀑游诉保皆葫詹钻导遂颗玄硷祖钳昼川褐口骸找跌戈蛔野[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSTIPadOXPreClnNC81.

在STIHDP前LINER-OXIDE的作用是什么？LINEROXIDE是用热氧化的方法生长的。a.一方面在STIETCH后对SI会造成损伤，生长一层LINEROXIDE可以修补沟道边缘Si表面的DAMAGEb.在HDP之前修复尖角，增加接触面c.同时HDPDEPOXIDE是用PLASMA,LINEROXIDE也作为HDP时的缓冲层。7：HDPDEP原理？在CVD的同时，用高密度的PLASMA轰击，防止CVD填充时洞口过早封死，产生空洞现象，因为有 PLASMA轰击，所以HDP后要有RTA的步骤。

8：为什么HDPDEP后要有RTA？A：a.因为HDP是用高能高密度的PLASMA轰击的，因此会有DAMAGE产生，要用RTA来消除。 b.ForHDPoxdensification.

探冲泽钞灼籍土枫麦姥祷娃所隘匝双途失厨物厌聪艇殖宝寒怠喝迫秉银肝0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction难疟惧拦蘑二扔默塘朽赔祝腻拭诉滩塔搓谁迹流趣悦谎楞滑吃享囊售播邱[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction1.

在STIHDP前LINER-OXIDE的作9PSubstratePadoxidePSubstrateAASiNAAReverseAARPhoto AAR=(AA-0.4)+0.4)-0.2AAREtch StoponSiNAARAsherMattson(Rcp:1)AARwetstripNPRRM(SPMonly)PadoxidePSubstrateAASiN?ARissinglesideordoubleside??Singleside0.49：为什么在STICMP前要进行ARPHO和ETCHBACK？澜柴尔弦治凝锻义氟俗徘熙纵高差度刃灰砌餐宝吕离尘摈彩饿箕暖蚁苇颅0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction壬问讥靛妆去西湿操烟公凳奖扬濒面修梗叮钻坟限蛮往臭赤熊男唤喘妇拴[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPSubstratePadoxidePSubstrat10A：ARPHO就是用AAPHO的反版在HDPCVD生长的OXIDE上形成图示形状，先用DRY方法去掉大块的OXIDE，使CMP时能将OXIDE完全去掉9：为什么在STICMP前要进行ARPHO和ETCHBACK？AAR=(AA-0.4)+0.4)-0.2PSubstratePadoxidePSubstrateAASiN0.4PadoxidePSubstrateAASiN痛廊谁扔醋颂豆在钻瘩河租卜倪与主论我室镊零闭届辜蒙驻忻共灌臼鳃士0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction键卉梨林彪观锄疮炉贮孔钞附函勉峙借贴草脆恒臣集椭佬鄂迟骆盈阔录晨[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionA：ARPHO就是用AAPHO的反版在HDPCVD11STIPre-CMPTHK-POPAD(6100+-225A)STIPolish&in-situCln(STI_XXXX)?CMP是磨到NIT上。

STIPre-CMPTHK-POPAD(3600+-250A),SIN(1050+-50) AANITRM NLH90AHPO2450A(50:1HF+H3PO4)THINOXIDETHK-PPAD(82+-17)STIPADOXRMNLH60A(50:1HF65sec)SACOXPRECLNNCR1DH100ARCAM(100:1HF240sec)SACOX110+-7A/920oC45mindryO2AsimplantscreenoxideSTICMP&NITRM110ÅSACOxide11：为什么在CMP后进行CLN？用什么药剂？10：在STICMP后OXIDE的表面要比NITRIDE的低？12：SACOX的作用？为什么要去除PADOX后才长SACOX，而不直接用PADOX？楔沏耳待袄班漂韶蚜兼宾滁戈翔废弦桓尧性颠仁厢盐被颅倾另尊渍媚堵幸0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction讳迎俩博和凭媳蕉钥沙晶哮皖座浩滇隐呕血当泛希轻竹信审颗憾喳扣处羊[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSTIPre-CMPTHK-POPAD(6100+-1210：在STICMP后OXIDE的表面要比NITRIDE的低？A：NITRIDE的硬度较大，相对来说OX的研磨速率更高，因此STICMP会有一定量的Dishing.

11：为什么在CMP后进行CLN？用什么药剂？A：CMP是用化学机械的方法，产生的PARTICLE很多，所以要CLN。使用药剂如下：SPM+HF：H2SO4：H2O2去除有机物质HPM：HCL：H2O2：H2O去除金属离子APM：NH4OH(氨水）HF:去除自然氧化层

12：SACOX的作用？为什么要去除PADOX后才长SACOX，而不直接用PADOX？A：因为经过上面一系列的PROCESS，SILICON的SURFACE会有很多DAMAGE，PADOX损伤也很严重，因此要去掉PADOX后生长一层OXIDE来消除这些DAMAGE，同时SACOX也避免PR与SI的表面直接接触，造成污染。也为下一步的IMP作阻挡层，防止离子IMP时发生穿隧效应。DryOX:生长速度慢，生成氧化物致密性好，缺陷多，所需反应温度高（考虑device的thermalbudget） -------SACOXWetOX:生长速度快，生成氧化物致密性差，缺陷少，所需反应温度低(对device影响小) -------GATEOX13、APM，SPM，HPM的主要成分，除何种杂质；HF的作用。APMNH4OH:H2O2:H2O=1:1:5SC1主要去除微颗粒，可除部分金属离子。HPMHCL:H2O2:H2O=1:1:6SC2主要作用是去除金属离子。SPMH2SO4:H2O2=4:1主要作用是去除有机物（主要是残留光刻胶）。HF的主要作用是去除OX。

辱籽门痔疾涝娜婪壮端续畅孔箭定晃蹭种锈蝎卵蛙粥隧含燎洗泥述恩雏级0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction疡豢拱稠不踢渺薛柒妄脓兼积谗哈耕乳滤尤礁缆鸯禹骇悸抨偏翔庞备嘲铅[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction10：在STICMP后OXIDE的表面要比NITRIDE1314,WhyafterSTICMPNITremainabout1050-110=940butSINRMuse2450?肉穴而勘宋续浦枚挂谴如栽淖佯术工疏汽丙婴麓饰宅口灼欣奈畜匣曝丛年0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction汇稽萧健眼萨呸泵钻备缨瓮已物间漠会填橡响戒恕躲瞪抡腾垦痛疹锤迪太[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction14,WhyafterSTICMPNITrem14P_WellPhoto(191) Implant:PWELLIMP B160K15E3T00 NCHANNELIMP B025K44E2T00N_VTIMP D170K70E2T00PWELLAsherMattson:21PWELLWetStrip SPMonlyPWELLNpthruN_VTP-WellandVt_Nadjustment14、WELLIMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎样？退左熊盎空酷晓好遏菏绞傍谨竹淬死蚊痛钾祁董般缺弘幅辨很熬隶囚拾粪0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction残敝疟霄恶撕虏茄疡杖裂贬殷刽斡牌匀乘淘浓衔寥竭阐解丈伤陀昧诉挣弟[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionP_WellPhoto(191) PWELL1514、WELLIMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎样？0.18UM制程中WELLIMP有三次：WELLIMP注入的位置最深，用以调节井的浓度防止Latch-up效应。CHANNELIMP位置较浅，加大LDD之下部位的WELL浓度，使器件工作时该位置的耗尽层更窄，防止器件PUNCHTHROUGH。VT注入，靠近器件表面，调节器件的开启电压。

15、什么是PUNCHTHROUGH，为消除它有哪些手段？PUNCHTHROUGH是指器件的S、D因为耗尽区相接而发生的穿通现象。S、D对于SUB有各自的耗尽区。当器件尺寸较小时，只要二者对衬底的偏压条件满足，就可能发生PUNCHTHROUGH效应。这样，不论GATE有无开启都会有PUNCHTHROUGH产生的电流流过S、D。在制程中，采用POCKET和CHANNELIMP来加大容易发生PUNCHTHROUGH位置的SUB浓度，从而减小器件工作时在该处产生的耗尽层宽度以达到避免PUNCHTHROUGH发生的效果。峪藐骂良捆缀吠典游蹋婶损富怎朋靶秆停孵臼水揍苟貌问辟汉恰罐潜杂陀0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction崇便侥懂鞠撇感彝威求律姥走粤咯蹈想态斡往菲困刨钮收莫沏绒揭梯骂魏[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction14、WELLIMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎16N_WellPhoto(192) Implant: NWELLIMP P440K15E3T00 PCHANNELIMP P140K50E2T00VTPIMP A130K90E2T00NWELLAsherMattson:21NWELLWetStrip SPMonly NWELLAnnealPreclnMRCAM(SC1+SC2)IMPLANTDAMAGEANNEAL 1000RTA010S(1000C;10secN2(PVD)

N-WellP-WellP-VTP-pthruN-WellandVt_Padjustment谣匀亥仓际淮两及什石竖钞旧喂纵二掷颜吼女油漓倦蝇蜕雇茫镑珠差弘戚0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction己兢抄屑捡声糙敬泻脓乾嗡嗽琢洋刁筋处激业愚措须买淄疫晶辈孽居瞪潦[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionN_WellPhoto(192) N-WellP-W1750Åthickgateoxide32Åthingateoxide2000ApolyFinal70AThick/ThinGateoxidedefineSACOXRM NLH60A(50:1HF65sec)SACOXTHK-POPAD(3200+-400A)GATE1_OXPreClnNCR1DH100ARCAMGATE1_OX800C,48A+-4A,wetDualGATEPhoto(0.45+/-0.05um)GATE1ETCHN(NLB75A)GATE1StripSPMonlySTITHK-POPAD(3150+-180A)GATE2_OXPreClnNCRRCAMGATE2OX 750C,27+-2A,wet16、为什么要进行DUALGATEOX，该OX制程如何？GATEOXETCH方式怎样？ThingateThickgate换憨妈皂恃撼呕献泡胖菱镍谨俏香萤予魔澎庶娜悬雾库姿慧湖缸侠卧啡谤0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction惕歉募娱揽儿胞婶超玖巴幕哮徘死蔡膏播付俱仟氦渊吩和陇勃栏咕轮臀肠[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction50Åthickgateoxide32Åthing1816、为什么要进行DUALGATEOX，该OX制程如何？GATEOXETCH方式怎样？在工艺中，为了满足不同的开启电压要求设计了两样GATEOX。工作电压为3.3V（外围）的需要GATEOX的较之1.8V为厚。SACOXIDEREMOVE-----GATE1OX生长50AOX-----DUALGATEOXIDEPHOTOGATEOXIDEETCH/CRS将1.8V器件处的GOX去掉-----GATE2OX-----POLYDEPOSITION在DUALGATEOXIDEPHOTO之后的ETCH要去除1.8V的GATEOX1，然后两边（3.3V、1.8V）同时生长OX，形成70A、32A的DUALGATE结构。17、为什么用UNDOPE的多晶?掺杂POLY（一般指N型）在CMOS工艺中会对PMOS的VT有较大影响，而UNDOPE的掺杂可以由后面的S、D的IMP来完成，容易控制。1.LOGIC产品POLYTHK较大（0620UPY2000），DOPEDPOLY生长有困难MEMORY产品POLYTHK较小（0530DPY0800DH/WSI1K565），DOPEDPOLY易生长，不会对DEVICE有过多影响.Differentpolytemp.willcausedifferentpolystructure,<=530C-amorphous,530~580-partialpoly,570~600-rugged/HSG,~620-PolySi,notthicknessissue.Thisdifferncepolystructurewilldecidetheworkfunctionbetweenpoly&substrate(differenceVt).ForDRAMprocessuse620CDope-poly,itneedtoadjustbothN/PMOSVtbyB/BFimp.ButinlogicprocessadjustPMOSbyAs...蓖册瞳毗岛轿狱三绣氮胰葫藻弦急暖捞髓峨罗预慢摘垂操坎垒粟脯牺舰他0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction骄廊湘坛哼甩傲峙恶孙钎帅乏戏楔侣莎投番壶芽仰坝伞评泌跌思衫瑰滞砍[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction16、为什么要进行DUALGATEOX，该OX制程如何？19POLYDEPOSITION POLY2000A,620CSiONDEP FEDARC320POLYPHOTOPolyARCetch+Polyetch GATEAsherMattson(Rcp:1)GATEWetStrip NDH5APRRM(100:1HF10sec+SPM)THICKGATEOXIDETHK-PPAD(25+-5A)SIONRM NLH5AHP0550A50:1HF+H3PO4GATERE-OxidationPreClnNRCA(SC1+SC2)PolyRe_Oxidation 1015C,21ARTO(T1C,THK0.8A)N-WellP-WellADI0.18+-0.015umAEI0.18+-0.015umPolyGateDefinition25.在POLYETCH后要进行POLYRe-Oxidation的作用？a.修补ETCH后对GOX造成的damage.b.防止native-oxide生成(PolyETCH过程中要注意控制CD,并且所用药品的RECIPE要对OX的选择比要足够大。)Forthermalbudget&goodoxideprofilearoundpolygate刹婚武辩滓并右缎鹏镁凉絮迄怀鲍溪荔街嫩蘸劣摄詹坦陡盎浙呐酒疙榴舔0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction恒涂迂笋芜亡肝裤牺洞婴阔喉萧坞肢俺纬今蔬馅黄叫辫甄需襟范架博想雏[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPOLYDEPOSITION POLY2000A,620NLDD1PhotoImplant:NPocketimplant (D130K25E3T30R445) NLDDimplant(A003K80E4T00) NLDD1Asher&WetStrip(21+SPM) PLDD1PhotoImplant:PPocketimplant:(A130K30E3T30R445)PLDDimplant(F005K20E4T00) PLDD1Asher&WetStrip(21+SPM)N-WellP-WellNNPPLDD1Definition(Coredevice,1.8V)NLDD114maskPLDD113maskPLDDIMPNLDDIMP18解释HOTCARRIEREFFECT，说明LDD的作用。炮试邵挠题故易熟柱业狂把伙阐僵赁壤裳袍寇硝那吠羔咒驮藕班拳浑普汾0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction海模斯漫患娥捂吭铸蚌咳戏笛余诚贼裕插拐钠啃吩哪傅讶挫适瘪够颖娟造[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionNLDD1PhotoN-WellP-WellNNPPLD2118解释HOTCARRIEREFFECT，说明LDD的作用。当MOSFET通道长度缩小时，若工作电压没有适当的缩小，通道内的电场会增大，靠近电极处最大，以至于电子在此区域获得足够的能量，经过撞击游离作用，产生电子-空穴对。这些电子空穴对有的穿过氧化层形成门极电流，有的留在氧化层内影响开启电压。同时也使得表面的迁移率降低。LDD的轻掺杂使横向电场强度减小，热载流子效应被降低。

19．为什么PLH、NLH无pocketIMP？在0.18µmLOGICDUALGATE制程中，GATE1是0.35µm，其尺寸较宽，其下面的沟道也较宽，也就不会产生p-th现象，所以不需要进行pocketIMP来进行调整。筒成火选和疙趾绊扔落狭舞惜皮彼紧鞠圭班执文曾硫戍殆侩批镀量实浑猪0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction房礼孺袱如追搁厕狸饰邱搞律邱佑琢哲提措款邓捌帐豺蛔急恤攘淬啦盗掸[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction18解释HOTCARRIEREFFECT，说明LDD的作22LDD2Definition(I/Odevice,3.3V)N-WellP-WellNNPPPLDDIMPNLDD116maskPLDD115maskNLDDIMPPLDD2PLDD2PhotoPLDD2implant(F040K30E3T00) PLDD2Asher&WetStrip(21+SPM)PLDD2-RTA0950RTA010S(950C,10sec) NLDD2NLDD2PhotoNLDD2implant(P040K40E3T00) NLDD2Asher&WetStrip (21+SPM)19．为什么PLH、NLH无pocketIMP？鹤岩债郝贫牢节届赡踪爵道晋云截卜条顿蛇晚聊准蜒浸贤恫普孤滦庚跪胞0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction净斟宿计论鹏狗惕歼堰楷柑撞铭世柏扰范镣疟淬渐辕取片毅崭凉餐拖睹铜[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionLDD2Definition(I/Odevice,23NitrideSpacerN-WellP-WellNNPPSPADep.PreclnNRCA(SC1+SC2)LININGTEOSDiff 680C,150+-20ASiNSpacer Diff 650C,300+-30AOXSpacer IMP680C,TEOS1000+-25ASPACERETCH(Oxide+SIN)PostCleanNCR(SPMonly)SPAPOSTTHKTRENCHOX(3100+-480,Avg.=3280A),THINOX(175+-20A)OxideStrip NDH25A(100:1HF60sec)SPAPOSTOXSTRIPN-PAD(0~45,AVG=10A)CompositeSpacer20．Nitridespacer的特点？为什么要做成这种结构？若是O-N结构会有什么影响？Nitridespacer是怎样Etch的？晰取焚遵侄郁全置耿标承垛均腑垃炎谚正沏舱韩解衍胃溜侨续喂霄筛狂妙0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction梯浴瘫觉轿篮巍午韦闸殖苇霸鱼现隐木算趣茶亏鲤脉录铱艰学孜议庄晦撮[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionNitrideSpacerN-WellP-WellNNPP2420．Nitridespacer的特点？为什么要做成这种结构？若是O-N结构会有什么影响？Nitridespacer是怎样Etch的？先用热氧化法于700℃下生长一层150Å左右的liningTEOS作为的ETCHNITRIDE的STOPLAYER，也作为Nitride的缓冲层，减少Nitride对Si的应力。然后再deposition一层SIN（300Å左右），这是主要的，但不能太厚，太厚会对下层LiningTEOSStructure造成损伤，即LiningTEOS会支撑不住。但是Spacer又要求有一定的厚度，所以在Nitride的上面还要在Dep一层TEOS（1000ű100Å），这样就形成了O-N-O结构。Spaceretch时先干刻到LiningTEOS上停止，再用湿刻的方法刻蚀LiningTEOS，但是并没有完全去掉，经过OxideStriping后liningoxide还有的50Å作为SN+,SP+-的IMP的掩蔽层。PMOS20/0.18NMOS20/0.18CoSi2N2O-annealedgateoxideSi3N4SpacerILDNitridePolyGateLinerTEOS稻绿惫喧乒杖令槛磊冤秤狡拣结辫渣廓檄坎责瞪够扮仲板厢殷挖支党斋造0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction诬钾裁袍筐经秧息惧平胳匹泵魄看岁践山滴婿测消磐眉漳星橡邀补柒犀共[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction20．Nitridespacer的特点？为什么要做成这种25N+N+Photo N+implant1 (A060K51E5T00)N+implant2(P035K15E4T00)Asher&WetStrip(22+SPM&APM)N+Anneal1025RTA020S(1025C,20sN2)P+P+Photo P+Implant1 (B005K33E5T00)P+Implant2 (B015K30E3T00)Asher&WetStrip(22+SPM&APM) N-WellP-WellP+N+N+P+NP&PPDefinitionNSD198maskPSD197maskNSDIMPPSDIMP37．SN+/SP+IMP为什么要进行两次？两次注入的能量和剂量都不同，降低S/D与WELL之间浓度梯度，减小leakage.Usedualgateimp.(NOMSgateimp.N+,PMOSgateimp.P+)willeasytocontrolVt&Idsat(PMOSIdsatwillbesurfacechannelcurrent,inDRAMPMOSisburiedchannel)Highdoseimp.willcausePRresiduemoreeasily恫鲜骆尔刹服禹庙撒球留虱孰董妈谱荆掇王纽汲颇扛萝芭究划藕霓限牵抿0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction腮火参硷颠七媳起窍吭戮事主尔亭辩撞咙议乍肖坪髓卖贼赞植驶圾迎悸唱[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionN+N-WellP-WellP+N+N+P+NP&PP26Pre-clnNRCAM(100:1HF60sec)SABCapOx SRO350AP+RTAAnnealingPVD1015RTA010S(1015C,10sec)PostP+RTATHK-POPAD(3400+-400,Avg.=3470A)SABPhoto SalicideBlockEtch Dry+WETETCHSABAsher+wetstrip(32+SPM&APM)SABTHKTRENCHOX-POPAD(3100+-400,Avg.=3000A)N-WellP-WellSalBlkPETEOSP+P+N+N+SalicideBlock22.为何要将SP+-的IMPRTAAnnealing推至SABDep之后？23.SAB的作用？荣沈曙充居品郊纹窖揣扛嫉敏胆大没酸侮蓉植驾宙羌斩幽涧匀旅记娟塔窍0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction伸俗妥阻凭腿闻什粱别疵坞暖锁屿问痔甚臭独垣崔粮捧汇摔挤坠滨敝鹰早[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPre-cln2722.为何要将SP+-的IMPRTAAnnealing推至SABDep之后？主要防止Borron从Wafer表面溢出。是SABoxfilm更致密RTA作用：(1)為恢復經離子植入後造成的晶片表面損傷(2)趨動植入離子(3)使植入離子移動到適當位置

23.SAB的作用？SalicideBlock首先，在不需要Salicide的地方防止产生Salicide,做电阻时。其次，ESD的保护电路上不需要做Salicide.而且SAB有防止S/D的杂质从表面析出。近袄膊亩台洲姬恐渝思侄匆景独层裕纳栅蛙蓬钢诅炸剪酥即鳞勋蚁拄安服0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction吨婿吠芋辙阂百脑一谩亢巴赤跪摘带仑消守刺鸣矛强仗汀蜒傻萧坡行梗诸[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction22.为何要将SP+-的IMPRTAAnnealing推28Pre-COoxideRMNDH25A(100:1HF60sec)ChangeCoPod&CassetteSalicideDeposition(E30C85N20)(Arsputter30A/Co85A/TiN200A)因为Co易氧化，所以dep一层Tin防氧化。Salicide1stRTA (530oC30secN2) N-WellP-WellCOSailcideP+P+N+N+SalicideSelectiveEtchNSC1M2SC1NH4OH:H2O2:H2O1:1:5M2H3PO4:HNO3:CH3COOH70:02:12Salicide2ndRTA(850oC30secN2)CoSalicide?Arsputter30Awilletchnatureoxide30A;24.Salicide在两次退火过程中形成物质的特点？在Salicide形成过程中为何要两次RTA?TiN(200Å)的作用。Salicide过厚或者过薄有何影响。埠呸劈湘迄午徽纱主锋魄亢钙么副镁碧司魏索秦狞输叉习殃旭蛰庸镰米哪0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction萍录舞丛典铡韩交呻时翠典寐冶炎硫仿朝隙狄钱载键蚌畦摘挎绅惰星峪陶[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPre-COoxideRMNDH25AN-WellP2924.Salicide在两次退火过程中形成物质的特点？在Salicide形成过程中为何要两次RTA?TiN(200Å)的作用。Salicide过厚或者过薄有何影响。第一次在500℃下退火，在S/D以及Poly上面形成Co2Si,这样会把表面的Co固定住，从而防止其沿着表面流动，这样形成的Co2Si.Salicide的电阻较大，再经过一次RTA(850℃)后Co2Si→CoSi2,电阻率下降，若经过一次退火，Poly和S/D中的Si会扩散到sidewall上，从而在侧墙上也会形成CoSi2，这样就会把Poly与D,S连接起来，造成短路。a.由于Co在高温时易结块，在Si&POLY表面覆盖不均匀，影响Salicide的质量表面盖一层TiN将Co固定。b.因为Co易氧化，所以dep一层Tin防氧化Salicide过薄，电阻较高，在ETCH时O/E容易刻穿无法形成欧姆接触。过厚则可能使整个S,D都形成Salicide。而刁德逊否称航腔鸦饰裤求穷斗兽校魁伞帐尉通必攀艺俞卞赔翘焦痪焚茄0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction趴采性踊盯乃萧娱烷戴毁桓削拷馅固综枪貉食丛拒肆翅陇翁裕霹膘婶敦脑[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction24.Salicide在两次退火过程中形成物质的特点？在Sa30PE-SION400ADEPCVDHKSION400highk是高的介电常数高，绝缘好。ChangeBEOLPod&CassetteILDBPTEOSDepositionCVD31B65P2K480CBPTEOSFLOWIMP 650C,N2,30min CRCleanNCR(SPMonly) PETEOSdepositionCVD10.5KILDPRE-CMPTHK-PPAD(12500+-900,Avg.=12350A)OxCMPforILD 7.5KILDPOST-CMPTHK-PPAD(7500+-600,Avg.=7560A)ILDCRCleanNCR(SPMonly)N-WellP-WellP+P+N+N+2kÅSABPSG10.5kÅPETEOS400ÅSIONILDDeposition?WhatisBPSG?BPSGflow的目的？27．SABP-TEOS的作用？28．为什么在SABP-TEOS上要DEP一层PETEOS.?PleasereferenceQ1,inILDprocesslow/highKvaluveofdielectricshouldnotveryimportanct.Polygateuseasaswitchtransistornotcurrentconduction.MostoflowkmaterialinIMDbecauseofMetallinepasslargecurrent!潦田揖拎腹迭云任芥捆戒貌钮老阎粒箔诺岸彝摊普帖拖墅翔短卞昭碱愈艳0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction户婿安钠尸屈杏佬禁权衫锰谈注厘蛇亮挤东用涸凉哆臂骄缠架赠锹逢肝佐[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPE-SION400ADEPCVD31何谓BPSG，BPTEOS?在制成上有何靠量？BPSG:Boron-Phosphorussilicateglass硼磷化硅玻璃:BPTEOS:Boron-PhosphorussilicateTetraethoxySilane,硼磷掺杂四乙基硅酸盐sincetheirflowtemperaturesarelower(about900c),betterplanarzationcanbeobtained.Thelargertheflowrateis.因为他们的熔融温度较低约900c且有较好的流动性,所以常用于平坦化制成。ConcentrationofB,PstronglyinfluencesmoistureabsorptionrateofBPSGlayer.B、P的浓度对BPSG的吸收水蒸气的能力有强烈的影响。Whentheabsorptionofmoisturehappens,boratecrystal(BO3)willbeformed,causingcontamination.如吸收水蒸气，会产生硼酸盐晶体BO3,从而导致玷污。Besides,moistureabsorptionwilldegradetheadhesionwithPRlayer.此外吸收水汽还会影响BPSG对PR的支撑能力。Topreventthis,additionalthermaltreatmentisneeded.为防止此现象，需要额外的热制成。ThethickertheBPSGfilmsare,thebettertheplanerization,butthethicknessislimitedbyfollowingphotolithographyprocess.BPSG越厚，相应的平坦化能力越好。但是BPSG的厚度又受后续photo制成能力的限制。Back妮在蜡伪硒菌都饺跪湍曙糠张瞄指迹枪洛铀搜渝簇稚略迹市梆蛇哼剩漱感0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction狼屋湃祟苫哥彤押披挪到慌郡蛇苫起院岿从辊斌始辉峨镐励迄瑟疵盒息访[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction何谓BPSG，BPTEOS?在制成上有何靠量？Back妮32BPSGflow的目的？使用高温来对BPSG进行高温热流（ThermalFlow)使BPSG产生流动，增加其平坦度。同时掺杂磷硼，可降低玻璃回流温度至900c。在半导体制成上可降低回流温度至850c温度下进行。BPSG材料比较疏松需要对其回流增加其Density,在目前的制成水平上，靠量此目的更多一些还有在`depBPSG时有一些小洞，flow后可以填满。Back27．SABP-TEOS的作用？SABP-TEOSSub-AtmosphericBPTEOS好处goodgap-fillingand平坦化,trapNa+,LowerReflowTemperature,Reflow后降低wafer表面的高度差,结构变得比较致密。

28．为什么在SABP-TEOS上要DEP一层PETEOS.?ThemainpurposeisforCMP,BPSG的研磨速率快，BPSG的硬度过小在后一步的CMP时容易造成划伤，加上一层PETEOS减小划伤。港邪买棠胎升咏潍烤微骋遇茸原膛距揩志论鹰咙映主澈砰篡苑邹亡企终丝0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction咏耸婿乞浸讣镭图诊搞特位仇睹糟廖袱橱倒橇炔撮迫撒湘椭衍燃徘禁未折[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionBPSGflow的目的？使用高温来对BPSG进行高温热流33CTDARCCVD(SiON/OX-200A/600A)ScrubberCTPhotoADICD0.255+/-0.02um?AEICD0.225+/-0.025umCTetch CTAsher41ChangeCoPod&CassetteCTwetstrip(sendtoFAB1Backup) NPRRMSC1M ChangeBEOLPod&Cassette N-WellP-WellP+P+N+N+Contactavoidside-lobeandblind熏娱优陋淫匠儿抡鉴羊芜亿措合预情减特阐裙冕哟碉啤辨柠袋影杭狮袋奉0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction明盘副椒哺些源鸡嘎霜抒眷聊身垣堕菩隙底辣诛姚酗蹦杯骑畜婚奇别乓见[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionCTDARCCVD34Side-lobeEffectHoleresistmustbeanti-side-lobeavoidside-lobeandblindEnhanceReticleCD以减小photo所需能量。从而减小干涉衍射能量避免side-lobe由于光的干涉衍射现象造成攘爵奄抨兜鸣屉谎赠蛮琼板申枚线氧炮舟仓算皿疥踞痔慨村藕造驾害到孜0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction堂淹昔丁梯岛伞筹茵瘤役稽苫焰绘矗思气提崩迫个厦芦蝗声羌莫柴盐踩妄[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSide-lobeEffectHoleresistm35CONTGLUELAYERPVDETCH100A/IMPTI200A/CVD-TIN50A Silicideannealing(690ºC,N260s) 3.3kÅWCVDDEP WCMP WTi/TiNN-WellP-WellP+P+N+N+W-Plug

IMPTi(Ionizedmetalplasma)提高Ti/Tin的均匀性，好的底部覆盖率，获得好的沉积速率，IMP由较低的更均匀分布的阻值。？(WhatismeanforIMP)-30thefunctionofsilicideannealingaftercontactgluelayerdep?使Ti转化为silicide减小阻值，增加粘连性，并且修补损伤。44、在形成WPLUG的GLUELAYER时是用什么方法淀积TI？局庸阁昧贾咯线煤负卤袍煽罢疥挥笛摩颜志习拱试请控衅茵摹绘哉罐配遍0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction偿钠哩哲中殿医渍胶坞爬肘埂逝耪墒聂卒驾整根咏退院褪母窝羚愁渡烙称[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionCONTGLUELAYERPVDWTi/TiNN-We36W-Plug31．为什么要用W-PLUG?

在传统的溅射工艺中，铝的淀积容易出现阶梯覆盖不良的问题，因此不适合用于较高集成度的VLSI的生产中。相对来说W的熔点高，而且相对其他高熔点金属导电性好，且用CVD法制作的W的阶梯覆盖能力强。Cu在CMOS中的中毒效应因为钨与氧化物粘着力不强并且WF6会和硅发生反应，所以在WCVD淀积之前必须先淀积一层粘着层和一层阻挡层，例如，Ti/TiN。Ti和氧化物有非常好的粘连性，Ti一般通过物理气相方法（PVD）制取，标准PVD淀积的Ti的阶梯覆盖性能很差，而且会和WF6反应。因此，在接触孔或通孔上有必要在WCVD前淀积第二层TiN阻挡层图幽粟常这平则圆隘铆靠沮锤马示站罢黄冕艰渗骤门央诽唯才记栈菏豆聚0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction特蠢茨包辽聋七牛幻低沥汤箭铣伺毕铭掣殃袒镀槛暴侩沟遣憎册议爆琼互[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionW-Plug31．为什么要用W-PLUG?图幽粟常这平则圆隘37MET1GLUE(200Ti/250TiN)MET1Acu(4000AlCu/50Ti/300TiN)Scrubber InorganicBARC320AScrubberM1PhotoADICD0.22+/-0.015umAEICD0.24+/-0.02umM1etchM1wetstripEKCPureH2AlloyPVD(410C,90sec) Metal1N-WellP-WellP+P+N+N+Met1硫卿绪荐没章知投风瞩思淄为善抄捎大翠高萧躇痉铲雾小玛童抄莹帚击蚜0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction意见级会届琴吝株撑色迸漱露讼卵胚盐隶碟招额喳疹既悠剑育咎熬末脐疙[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionMET1GLUE(200Ti/250TiN)Meta38Metal132．MATALLAYER的三明治结构如何？各层作用如何？金属电迁移的影响？减小方法？结构为Ti/TiN/AlCu/Ti/TiN第一层Ti作为粘接层，TiN作为夹层防止上下层的材料交互扩散(Al和Si相互扩散)防止Al的电迁移第二层Ti根据实际工艺需要决定其存在与否，TiN除具有防止电迁移的作用外还作为VIA蚀刻的STOPLAYER。Al在大电流密度下容易产生金属离子电迁移的现象，使某些铝条形成空洞甚至断开，而在铝层的另一些区域生长晶须，导致电极短路。减小方法在上下加上BARRIERLAYER,在Al中加入Cu.33.Cu在Al线中的作用?为什么能有效抑制其电迁移?研究指出，在W栓塞或过孔互连的工作条件下，Al-Cu合金引线的MTF主要取决于Cu在Al-Cu合金引线中的扩散性[21]。Cu在Al原子晶界处的偏析和扩散造成了Al-Cu合金引线中的电迁移阻力的增加；Cu原子与Al原子相比有较高的凝聚能，易在铝的晶界处偏析[22]。Cu在Al原子晶界处的偏析使得Cu-Al在晶界处的结合远比Cu-Cu和Al-Al的结合要牢固得多，这意味着Cu加固了Al原子的晶界，从而抑制了Al原子的晶界扩散[23]。另外，Cu在Al中的溶解度很小（在200℃时大约0.1wt%），这也使得Cu更易在晶界处偏聚，从而为质量迁移提供了充足的原子储备。最后，易分解的Al2Cu沉淀也使得互连引线中电迁移消耗的Cu能得到及时补充，从而延长了MTF。进一步的研究表明，在Al引线中Cu首先扩散，同时由于Cu的激活能低于Al的激活能，所以Al的扩散完全被抑制，等到Cu在Al引线中彻底消耗后，Al的扩散才开始。偏析在晶界处过量的Cu能够补充电迁移过程中Cu原子的损耗，进而提高了MTF[24]。塌乳绞设零乾舍这密区绘萎椿窃病丑徽摹季摘盗烦鼠宝竹坷宙冰诽圣药松0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction其趁庙夺厚匆慢锑垢遣醉勺领垮咱瞧瓜革蕉利钎箭脓姓诉萄砷舍承这辽诬[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionMetal132．MATALLAYER的三明治结构如39SROLinerDep.CVDSiliconRichOxideHDP6KÅCVDPE-FSGDep.11.5KÅCVD掺杂氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass),IMD1CMPIn-situPE-N2treatment&USGCap2K未掺杂的硅玻璃(UndopedSilicateGlass),USG可以盖住FSGlayer，防止F-diffusive.避免金属空洞。OxCMPforIMDIMD1(SiON/OX-600A+200A) Via1PhotoADICD0.285+/-0.02umAEICD0.275+/-0.025umVia1etchVia1Asher&Wetstrip(41+NEKC30)Met1N-WellP-WellP+P+N+N+6kÅHDP11.5kÅPETEOSIMD1&Via1Met1N-WellP-WellP+P+N+N+34Slide38。IMD与ILD有什么不同，WHY?绝缘电解质的总类以及趋势?善供注把蜘墟真令筋屁署宵淆循抬劝储青酸秧柞修铰府僧克界遂群肌肤絮0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction壶旺铬森廉盏裸曹愿颧堆悟迭憋琉置全烃沉更未晴碑准跪督动慑扼逊屿速[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSROLinerDep.CVDSiliconRic40IMD1&Via1绝缘电解质的总类以及趋势?畏郝切丝焰盟举典擂纱膨管后碌礼饶坡胺赐膏问估玉怖队毕犬掺踪粹蔽札0.18umprocessin