光伏太阳能培训资料课件

什么是太阳能光伏技术

太阳是能量的天然来源。地球上每一个活着的生物之所以具有发挥作用的能力,甚至于是它的生存，都是由于直接或间接来自于太阳的能量。太阳能是一种辐射能，太阳能发电就意味着---要将太阳光直接转换成电能，它必须借助于能量转换器才能转换成为电能。这种把光能转换成为电能的能量转换器，就是太阳能电池。我们所生产的太阳能电池只要受到阳光或灯光的照射，就能够把光能转变为电能，它的工作原理的基础是半导体PN结的光生伏打效应。当太阳光或其他光照射半导体的PN结时，就会在PN结的两边出现电压（光生电压），假如从PN结两端引出回路，就会产生电流，太阳能电池就可以工作了。什么是太阳能光伏技术太阳是能量的天然来源。地球上1太阳能电池在整个光伏产业链中的位置晶体硅太阳能光伏产业链主要包括：硅提纯：如徐州中能，洛阳中硅等（最终产品是多晶原生料）拉晶/铸锭切片：如河北晶龙，锦州阳光等（最终产品是硅片）单/多晶电池：如南京中电，天威英利等（最终产品是电池）组件封装：如常州天合，苏州阿特斯等（最终产品是组件）系统工程：如宁波太阳能，南京开元等（最终产品是系统工程）太阳能电池在整个光伏产业链中的位置晶体硅太阳能光伏产业链主要2晶体硅太阳能电池生产的工艺流程ChemicalEtching硅片表面化学腐蚀处理Diffusion

扩散Edgeetch

去边结Anti-reflectivecoating

制做减反射膜Printing&sintering制作上下电极及烧结Celltesting&sorting

电池片测试分筛SolarCellManufacturing电池的生产工艺流程Cleaningprocess

去PSG晶体硅太阳能电池生产的工艺流程ChemicalEtchin3硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）目的：去除硅片表面的杂质残留，制做能够减少表面太阳光反射的陷光结构。原理：

单晶：利用碱溶液对单晶硅各个晶面腐蚀速率的不同,在硅片表面形成类似“金字塔”状的绒面。

Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+

2H2↑

多晶：利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性，对硅进行氧化和络合剥离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，从而形成类似“凹陷坑”状的绒面。

Si+HNO3→SiO2+NOx↑+H2OSiO2+6HF→H2SiF6+2H2O硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）目的：去除硅片表面的杂质残留4绒面微观图硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）100X光学显微镜-单晶

1000X电子扫描镜-单晶100X金相显微镜-单晶1000X电子扫描镜-多晶5000X电子扫描镜-多晶绒面微观图硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）100X光学显微镜5硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）常见清洗不良品现象硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）常见清洗不良品现象6制PN结（扩散）目的：在P型硅表面上渗透入很薄的一层磷，使前表面变成N型，使之成为一个PN结。原理：

POCl3液态源：通过气体携带POCL3分子进入扩散炉管，使之反应生成磷沉淀在表层。磷在高温下渗透入硅片内部形成N区。

4POCL3+5O2=2P2O5+6Cl2↑2P2O5+5Si=4P+5SiO2

扩散后硅片截面示意图POCl3液态源扩散原理图制PN结（扩散）目的：在P型硅表面上渗透入很薄的一层磷，使前7扩散的动态演示扩散的变化方向

1.选择性发射极：在栅线覆盖区域进行重掺（方阻20左右），未覆盖区域进行轻掺（方阻80左右）。

2.发射极浅结：降低表面方块电阻（方阻60以上），减少死层和体内复合，提高电池短波相应能力。制PN结（扩散）扩散的动态演示制PN结（扩散）8去边结目的：去除硅片边缘的N型区域，将硅片内部的N层和P层隔离开，以达到PN结的结构要求。原理：

干法刻蚀（等离子刻蚀）：等离子刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，这些活性粒子与需要被刻蚀区域的Si/SiO2发生反应，形成挥发性生成物而被去除。

去边结目的：去除硅片边缘的N型区域，将硅片内部的N层和P层隔9去边结原理：

湿法刻蚀（背腐蚀）：利用HF-HNO3溶液，对硅片背表面和边缘进行高速腐蚀，以达到去掉边缘层和消除背面绒面的作用。Si+HNO3→SiO2+NOx↑+H2OSiO2+6HF→H2SiF6+2H2O

激光去边：利用激光束的高能量使硅熔化，在硅片背表面划槽，用来隔断N层和P层，以达到分离的目的。去边的发展方向：

由于湿法刻蚀的优势比较明显，相对转换效率较高，因此以后采用湿法刻蚀的厂家将会越来越多。去边结原理：10去PSG（二次清洗）目的：去除硅片表面的P-Si玻璃层（PSG）,为加镀减反射膜做准备。原理：利用HF和硅片表面的P-Si玻璃层反应，并使之络合剥离，以达到清洗的目的。

HF+SiO2→H2SiF6+H2O

去PSG发展方向：

相对来讲，二次清洗是比较简单的工艺，之后的发展应该会如同RENA的设备一样，集成湿法刻蚀设备，从而缩减流程。去PSG（二次清洗）目的：去除硅片表面的P-Si玻璃层（PS11镀减反射膜（PECVD）目的：在硅片前表面均匀的镀上一层高效的减反射膜，并对mc-Si进行体钝化。原理：

PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

直接式PECVD间接式PECVD镀减反射膜（PECVD）目的：在硅片前表面均匀的镀上一层高效12镀减反射膜（PECVD）板式PECVD相关介绍此系统有三个腔体，分别是进料腔，反应腔（包括预热、沉积和冷却三部分）和出料腔。各腔体直接有闸门阀隔开。镀减反射膜（PECVD）板式PECVD相关介绍13镀减反射膜（PECVD）PECVD动态演示镀减反射膜（PECVD）PECVD动态演示14印刷和烧结目的：在电池上下表面各印上电极图形，经烧结与硅片形成欧姆接触。

原理：银浆，铝浆印刷过的硅片，通过烘干有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上，可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。当硅片投入烧结炉共烧时，金属材料融入到硅里面，之后又几乎同时冷却形成再结晶层，也就是在金属和晶体接触界面上生长出一层外延层，如果外延层内杂质成份相互合适，这就获得了欧姆接触。印刷工艺流程：

印刷背电极→烘干→印刷背电场→烘干→印刷正面栅线烧结工艺流程：

印刷完硅片→烘干→升温→降温共晶→冷却印刷和烧结目的：在电池上下表面各印上电极图形，经烧结与硅片形15印刷和烧结烧结完电池片外观：125单晶硅电池125多晶硅电池丝网印刷和烧结发展趋势

1.栅线高精化，利用高精密网版把细栅线做到100u以下。

2.烧结炉的发展追求RTP（快速热处理）印刷和烧结烧结完电池片外观：125单晶硅电池125多晶硅电池16单片测试和分选目的：通过模拟太阳光太阳能电池进行参数测试和分析，将电池片按照一定的要求进行分类。原理：利用太阳能电池的光谱特性，温度特性，输出特性等，通过相关参数的测定和计算，来表达电池的电性能情况。（具体内容非常复杂，这里不再赘述）重要参数光照强度：100mw/cm2转换效率，功率，电池片面积（125单晶为例148.6cm2）的关系：

功率=光照强度*面积*转换效率

短路电流（Isc），开路电压（Voc），填充因子（FF），功率的关系：

功率=Isc*Voc*FF

最大工作电流（Im），最大工作电压（Vm），功率的关系：功率=Im*Vm单片测试和分选目的：通过模拟太阳光太阳能电池进行参数测试和分17精品课件！精品课件！18精品课件！精品课件！19谢谢观看谢谢观看20什么是太阳能光伏技术

太阳是能量的天然来源。地球上每一个活着的生物之所以具有发挥作用的能力,甚至于是它的生存，都是由于直接或间接来自于太阳的能量。太阳能是一种辐射能，太阳能发电就意味着---要将太阳光直接转换成电能，它必须借助于能量转换器才能转换成为电能。这种把光能转换成为电能的能量转换器，就是太阳能电池。我们所生产的太阳能电池只要受到阳光或灯光的照射，就能够把光能转变为电能，它的工作原理的基础是半导体PN结的光生伏打效应。当太阳光或其他光照射半导体的PN结时，就会在PN结的两边出现电压（光生电压），假如从PN结两端引出回路，就会产生电流，太阳能电池就可以工作了。什么是太阳能光伏技术太阳是能量的天然来源。地球上21太阳能电池在整个光伏产业链中的位置晶体硅太阳能光伏产业链主要包括：硅提纯：如徐州中能，洛阳中硅等（最终产品是多晶原生料）拉晶/铸锭切片：如河北晶龙，锦州阳光等（最终产品是硅片）单/多晶电池：如南京中电，天威英利等（最终产品是电池）组件封装：如常州天合，苏州阿特斯等（最终产品是组件）系统工程：如宁波太阳能，南京开元等（最终产品是系统工程）太阳能电池在整个光伏产业链中的位置晶体硅太阳能光伏产业链主要22晶体硅太阳能电池生产的工艺流程ChemicalEtching硅片表面化学腐蚀处理Diffusion

扩散Edgeetch

去边结Anti-reflectivecoating

制做减反射膜Printing&sintering制作上下电极及烧结Celltesting&sorting

电池片测试分筛SolarCellManufacturing电池的生产工艺流程Cleaningprocess

去PSG晶体硅太阳能电池生产的工艺流程ChemicalEtchin23硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）目的：去除硅片表面的杂质残留，制做能够减少表面太阳光反射的陷光结构。原理：

单晶：利用碱溶液对单晶硅各个晶面腐蚀速率的不同,在硅片表面形成类似“金字塔”状的绒面。

Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+

2H2↑

多晶：利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性，对硅进行氧化和络合剥离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，从而形成类似“凹陷坑”状的绒面。

Si+HNO3→SiO2+NOx↑+H2OSiO2+6HF→H2SiF6+2H2O硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）目的：去除硅片表面的杂质残留24绒面微观图硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）100X光学显微镜-单晶

1000X电子扫描镜-单晶100X金相显微镜-单晶1000X电子扫描镜-多晶5000X电子扫描镜-多晶绒面微观图硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）100X光学显微镜25硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）常见清洗不良品现象硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）常见清洗不良品现象26制PN结（扩散）目的：在P型硅表面上渗透入很薄的一层磷，使前表面变成N型，使之成为一个PN结。原理：

POCl3液态源：通过气体携带POCL3分子进入扩散炉管，使之反应生成磷沉淀在表层。磷在高温下渗透入硅片内部形成N区。

4POCL3+5O2=2P2O5+6Cl2↑2P2O5+5Si=4P+5SiO2

扩散后硅片截面示意图POCl3液态源扩散原理图制PN结（扩散）目的：在P型硅表面上渗透入很薄的一层磷，使前27扩散的动态演示扩散的变化方向

1.选择性发射极：在栅线覆盖区域进行重掺（方阻20左右），未覆盖区域进行轻掺（方阻80左右）。

2.发射极浅结：降低表面方块电阻（方阻60以上），减少死层和体内复合，提高电池短波相应能力。制PN结（扩散）扩散的动态演示制PN结（扩散）28去边结目的：去除硅片边缘的N型区域，将硅片内部的N层和P层隔离开，以达到PN结的结构要求。原理：

干法刻蚀（等离子刻蚀）：等离子刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，这些活性粒子与需要被刻蚀区域的Si/SiO2发生反应，形成挥发性生成物而被去除。

去边结目的：去除硅片边缘的N型区域，将硅片内部的N层和P层隔29去边结原理：

湿法刻蚀（背腐蚀）：利用HF-HNO3溶液，对硅片背表面和边缘进行高速腐蚀，以达到去掉边缘层和消除背面绒面的作用。Si+HNO3→SiO2+NOx↑+H2OSiO2+6HF→H2SiF6+2H2O

激光去边：利用激光束的高能量使硅熔化，在硅片背表面划槽，用来隔断N层和P层，以达到分离的目的。去边的发展方向：

由于湿法刻蚀的优势比较明显，相对转换效率较高，因此以后采用湿法刻蚀的厂家将会越来越多。去边结原理：30去PSG（二次清洗）目的：去除硅片表面的P-Si玻璃层（PSG）,为加镀减反射膜做准备。原理：利用HF和硅片表面的P-Si玻璃层反应，并使之络合剥离，以达到清洗的目的。

HF+SiO2→H2SiF6+H2O

去PSG发展方向：

相对来讲，二次清洗是比较简单的工艺，之后的发展应该会如同RENA的设备一样，集成湿法刻蚀设备，从而缩减流程。去PSG（二次清洗）目的：去除硅片表面的P-Si玻璃层（PS31镀减反射膜（PECVD）目的：在硅片前表面均匀的镀上一层高效的减反射膜，并对mc-Si进行体钝化。原理：

PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

直接式PECVD间接式PECVD镀减反射膜（PECVD）目的：在硅片前表面均匀的镀上一层高效32镀减反射膜（PECVD）板式PECVD相关介绍此系统有三个腔体，分别是进料腔，反应腔（包括预热、沉积和冷却三部分）和出料腔。各腔体直接有闸门阀隔开。镀减反射膜（PECVD）板式PECVD相关介绍33镀减反射膜（PECVD）PECVD动态演示镀减反射膜（PECVD）PECVD动态演示34印刷和烧结目的：在电池上下表面各印上电极图形，经烧结与硅片形成欧姆接触。

原理：银浆，铝浆印刷过的硅片，通过烘干有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上，可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。当硅片投入烧结炉共烧时，金属材料融入到硅里面，之后又几乎同