tlv27x系列运算放大器的数据手册

ProductFolderOrderNowTools&SoftwareTechnicalDocumentsSupport&CommunityTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016、轨至轨输出运算放大器1••••••••特性轨至轨输出高带宽：3MHz高压摆率：2.4V/µs电源电压范围：2.7V至16V电源电流：550µA/通道39nV/√Hz输入偏置电流：1pA额定温度范围：3 说明ProductFolderOrderNowTools&SoftwareTechnicalDocumentsSupport&CommunityTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016、轨至轨输出运算放大器1••••••••特性轨至轨输出高带宽：3MHz高压摆率：2.4V/µs电源电压范围：2.7V至16V电源电流：550µA/通道39nV/√Hz输入偏置电流：1pA额定温度范围：3 说明2.7V16V-40°C至+125°C的扩展工业温度范围，是一个低功耗、高带宽系列的理想替代器件，适用于轨至轨输出摆幅的输入电流仅3MHz带宽。5V±5V电源时16V，因此为器件供电。–70°C–工业级：−40°C125°C超小型封装:–(TLV271)–8MSOP(TLV272)TLC72x系列的理想升级版•CMOS输入特性以及低压•该系列所有 SOT-23封装，双通道器件采用MSOP封装，四通道 封装。（TI的MSP430）的工作电源电压范围。2•••••••应用移动电源太阳能逆变器电池供电仪器楼宇自动化器件信息(1)运算放大器−+Copyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated(1)如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购录。附AnIMPORTANTNOTICEattheendofthisdatasheetaddressesavailability,warranty,changes,useinsafety-criticalapplications,intellectualpropertymattersandotherimportantdisclaimers.PRODUCTIONDATA.EnglishDataSheet:SLOS351器件型号封装封装 （标称值）TLV271SOIC(8)4.98mm×3.91mmSOT-23(5)2.90mm×1.60mmPDIP(8)9.81mm×6.35mmTLV272SOIC(8)4.98mm×3.91mmPDIP(8)9.81mm×6.35mmVSSOP(8)3.00mm×3.00mmTLV274SOIC(14)8.65mmx3.91mmPDIP(14)3.90mm×6.35mmTSSOP(14)5.00mm×4.40mmTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016目录123456特性 1应用 1说明 1修订历史 2器件比较表 3规格 48.28.3TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016目录123456特性 1应用 1说明 1修订历史 2器件比较表 3规格 功能框图 16特性说明 17器件功能模式 179应用和实现 应用信息 18典型应用 18系统示例 2绝对最大额定值 4建议运行条件 4热性能信息：TLV271 5热性能信息：TLV272 5热性能信息：TLV274 5电气特性:直流特性 6电气特性：输入特性 6电气特性：输出特性 7电气特性：电源 8电气特性：动态性能 8电气特性：噪声/失真性能 8典型特性 91011电源建议 21布局 21布局指南 21布局示例 22器件和文档支持 23112.412.512.612.7文档支持 23相关 23接收文档更新通知 23社区23商标 23静电放 告 23Glossary 2378引脚配置和功能 14详细说明 168.1概述 1613机械、封装和可订购信息 244 修订历史注：之前版本的页码可能与当前版本有所不同。ChangesfromRevisionD(February2004)toRevisionEPage•械、封装和可订购信息部分 1已删除以下部分的持续总功耗参数：绝对最大额定值 4已删除功耗额定值表 5已删除精简模型信息 21•••2©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20165器件比较表(1)在5V、25°C条件下测得的典型值。3©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated器件(1)VDD(V)VIO(μV)IQ/(μA)IIB(pA)GBW(MHz)SR(V/μs)关断轨到轨(Q)TLV27x2.7至.4—OS/D/QTLC27x3TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20165器件比较表(1)在5V、25°C条件下测得的典型值。3©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated器件(1)VDD(V)VIO(μV)IQ/(μA)IIB(pA)GBW(MHz)SR(V/μs)关断轨到轨(Q)TLV27x2.7至.4—OS/D/QTLC27x3至.73.6——S/D/QTLV237x2.7至.4是I/OS/D/QTLC227x2.7至.23.6—OD/QTLV246x是I/OS/D/QTLV247x2.7625060022.81.5是I/OS/D/QTLV244x2.71030072511.81.4—OD/QTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016规格绝对最大额定值在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）(1)(1)应力超出绝对最大额定值下所列的值可能会对器件造成损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下器件的功能性操作下的任何其它操作，在此并未说明。长时间运行在最大绝对额定条件下会影响器件可靠性。除差分电压外的所有GND而言的。6.2建议运行条件在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）4©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated最小值 标称值 最大值电源电压，VDD单电源2.7 16V双电源±1.35 ±8共模输入电压，VICR0 VDD−1.35V自然通风工作温度范围，TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016规格绝对最大额定值在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）(1)(1)应力超出绝对最大额定值下所列的值可能会对器件造成损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下器件的功能性操作下的任何其它操作，在此并未说明。长时间运行在最大绝对额定条件下会影响器件可靠性。除差分电压外的所有GND而言的。6.2建议运行条件在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）4©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated最小值 标称值 最大值电源电压，VDD单电源2.7 16V双电源±1.35 ±8共模输入电压，VICR0 VDD−1.35V自然通风工作温度范围，TAC后缀0 70°CI后缀-40 125最小值 最大值电压电源，VDD16.5V差分 D–VDD VDDV−0.2 VDD+0.2V电流输入，II-10 10mA输出，IO–100 100mA温度温度，TAC后缀0 70°CI后缀-40 125°C结温，TJ150°C贮存温度，Tstg–65 150°CTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.3热性能信息：TLV271(1)有关传统和最新热指标的IC封装热指标应用报告。6.4热性能信息：TLV272(1)有关传统和最新热指标的IC封装热指标应用报告。6.5热性能信息：TLV274(1)有关传统和最新热指标的 息，请参阅半导体和IC封装热指标应用报告。5©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated热指标(1)TLV274D(SOIC)N(PDIP)PW(TSSOP)14引脚14引脚14引脚RθJA 结至环境热阻9766.3135°C/WRθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻5620.545°C/WRθJB 结至电路板热阻5326.866°C/WψJT 结至顶部特征参数192.1不适用°C/WψJB 结至电路板特征参数4626.260°C/WRθJC(bot)TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.3热性能信息：TLV271(1)有关传统和最新热指标的IC封装热指标应用报告。6.4热性能信息：TLV272(1)有关传统和最新热指标的IC封装热指标应用报告。6.5热性能信息：TLV274(1)有关传统和最新热指标的 息，请参阅半导体和IC封装热指标应用报告。5©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated热指标(1)TLV274D(SOIC)N(PDIP)PW(TSSOP)14引脚14引脚14引脚RθJA 结至环境热阻9766.3135°C/WRθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻5620.545°C/WRθJB 结至电路板热阻5326.866°C/WψJT 结至顶部特征参数192.1不适用°C/WψJB 结至电路板特征参数4626.260°C/WRθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻不适用不适用不适用°C/W热指标(1)TLV272D(SOIC)DGK(VSSOP)P(PDIP)8引脚8引脚8引脚RθJA 结至环境热阻127.2186.649.2°C/WRθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻71.678.839.4°C/WRθJB 结至电路板热阻68.2107.926.4°C/WψJT 结至顶部特征参数2215.515.4°C/WψJB 结至电路板特征参数67.6106.326.3°C/WRθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻不适用不适用不适用°C/W热指标(1)TLV271D(SOIC)DBV(SOT-23)P(PDIP)8引脚5引脚8引脚RθJA 结至环境热阻127.2221.749.2°C/WRθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻71.6144.739.4°C/WRθJB 结至电路板热阻68.249.726.4°C/WψJT 结至顶部特征参数2226.115.4°C/WψJB 结至电路板特征参数67.64926.3°C/WRθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻不适用不适用不适用°C/WTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.6电气特性:直流特性VDD=2.7V、5V±5V（除非另有说明）C0°C70°CI–40°C125°C–40°C125°C。6.7电气特性：输入特性VDD=2.7V、5V±5V（除非另有说明）。6©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated参数测试条件TA最小值 典型值 最大值IIO 输入失调电流VDD=5V，VTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.6电气特性:直流特性VDD=2.7V、5V±5V（除非另有说明）C0°C70°CI–40°C125°C–40°C125°C。6.7电气特性：输入特性VDD=2.7V、5V±5V（除非另有说明）。6©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated参数测试条件TA最小值 典型值 最大值IIO 输入失调电流VDD=5V，VIC=VDD/2，VO=VDD/2，RS=50Ω25°C1 60pA70°C100125°C1000IIB 输入偏置电流VDD=5V，VIC=VDD/2，VO=VDD/2，RS=50Ω25°C1 60pA70°C100125°C1000ri(d) 差分输入电阻25°C1000GΩCIC f=21kHz25°C8pF参数测试条件TA(1)最小值典型值最大值VIO 输入失调电压VIC=VDD/2，RL=10kΩ，VO=VDD/2，RS=50Ω25°C0.5 5mV完整范围7αVIO 失调电压温漂25°C2µV/°CCMRR共模抑制比VIC=0VDD−1.35V，RS=50ΩVDD=2.7V25°C58 70dB完整范围55VIC=0VDD−1.35V，RS=50ΩVDD=5V25°C65 80完整范围62VIC=–5VVDD−1.35V，RS=50ΩVDD=±5V25°C69 85完整范围66AVD 大信号差分电压放大VO(PP)=VDD/2，RL=10kΩVDD=2.7V25°C97 106dB完整范围76VDD=5V25°C100 110完整范围86VDD=±5V25°C100 115完整范围90TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.8电气特性：输出特性VDD=2.7V、5V±5V（除非另有说明）。7©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated参数测试条件TA最小值典型值最大值VOH 高电平输出电压VIC=VDD/2，IOH=–1mAVDD=2.7V25°C2.55 2.58V完整范围2.48VDD=5V25°C4.9 4.93完整范围4.85VDD=±5V25°C4.92 4.96完整范围4.9VIC=VDD/2，IOHTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.8电气特性：输出特性VDD=2.7V、5V±5V（除非另有说明）。7©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated参数测试条件TA最小值典型值最大值VOH 高电平输出电压VIC=VDD/2，IOH=–1mAVDD=2.7V25°C2.55 2.58V完整范围2.48VDD=5V25°C4.9 4.93完整范围4.85VDD=±5V25°C4.92 4.96完整范围4.9VIC=VDD/2，IOH=–5mAVDD=2.7V25°C1.9 2.1完整范围1.5VDD=5V25°C4.6 4.68完整范围4.5VDD=±5V25°C4.7 4.84完整范围4.65VOL 低电平输出电压VIC=VDD/2，IOH=1mAVDD=2.7V25°C0.1 0.15V完整范围0.22VDD=5V25°C0.05 0.1完整范围0.15VDD=±5V25°C–4.95 –4.92完整范围–4.9VIC=VDD/2，IOH=5mAVDD=2.7V25°C0.5 0.7完整范围1.1VDD=5V25°C0.28 0.4完整范围0.5VDD=±5V25°C–4.84 –4.7完整范围–4.65IO 输出电流VO=0.5V（相对于电源轨），VDD=2.7V正电源轨25°C4mA负电源轨25°C5VO=0.5V（相对于电源轨），VDD=5V正电源轨25°C7负电源轨25°C8VO=0.5V（相对于电源轨），VDD=10V正电源轨25°C13负电源轨25°C12TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.9电气特性：电源VDD=2.7V、5V±5V（除非另有说明）。C0°C70°CI–40°C125°C–40°C125°C。6.10电气特性：动态性能在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）。C0°C70°CI–40°C125°C–40°C125°C。6.11电气特性：噪声/失真性能在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）。8©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated参数测试条件TA最小值典型值最大值THD+N 总谐波失真与噪声VDD=2.7V，VO(PP)=VDD/2V，RLTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.9电气特性：电源VDD=2.7V、5V±5V（除非另有说明）。C0°C70°CI–40°C125°C–40°C125°C。6.10电气特性：动态性能在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）。C0°C70°CI–40°C125°C–40°C125°C。6.11电气特性：噪声/失真性能在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）。8©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated参数测试条件TA最小值典型值最大值THD+N 总谐波失真与噪声VDD=2.7V，VO(PP)=VDD/2V，RL=2kΩ，f=10kHzAV=125°C0.02%AV=100.05%AV=1000.18%VDD=5V、±5V，VO(PP)VDD/2V，RL=2kΩ，f=10kHzAV=125°C0.02%AV=100.09%AV=1000.5%Vn 等效输入噪声电压f=1kHz25°C39nV/√Hzf=10kHz35In 等效输入噪声电流f=1kHz25°C0.6fA/√Hz参数测试条件TA(1)最小值典型值最大值增益 带宽RL=2kΩ，CL=10pFVDD=2.7V25°C2.4MHzVDD=5V10V25°C3SR 增益下的压摆率VO(PP)=VDD/2，CL=50pF，RL=10kΩVDD=2.7V25°C1.35 2.1V/µs完整范围1VDD=5V25°C1.45 2.4V/µs完整范围1.2VDD=±5V25°C1.8 2.6V/µs完整范围1.3φm 相位裕度RL=2kΩCL=10pF25°C65°增益裕量RL=2kΩCL=10pF25°C18dBtS 建立时间VDD=2.7V，V(STEP)PP=1V，AV=–1，CL=10pF，RL=2kΩ0.1%25°C2.9µsVDD=5V、±5V，V(STEP)PP=1V，AV=–1，CL=47pF，RL=2kΩ0.1%2参数测试条件TA(1)最小值典型值最大值IDD 电源电流（每个通道）VO=VDD/2VDD=2.7V25°C470 560µAVDD=5V25°C550 660VDD=10V25°C625 800完整范围1000PSRR电源电压抑制比(ΔVDD/ΔVIO)VDD=2.7V16V，VIC=VDD/2，空载25°C70 80dB完整范围65TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.12典型特性1.图形列表9©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedCommon-ModeRejectionRatio(dB)InputBiasandOffsetCurrent(pA)120100VDD=5V,10V8060VDD=2.7V4020010 100 1k 10k 100k 1MFrequency(Hz)频率间的关系300VDD=2.7V,5V,and10V250 200150100500504025105 203550658095110TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20166.12典型特性1.图形列表9©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedCommon-ModeRejectionRatio(dB)InputBiasandOffsetCurrent(pA)120100VDD=5V,10V8060VDD=2.7V4020010 100 1k 10k 100k 1MFrequency(Hz)频率间的关系300VDD=2.7V,5V,and10V250 200150100500504025105 203550658095110125Temperature(C)自然通风温度间的关系说明图编号CMRR 共模抑制比与频率间的关系1输入偏置和失调电流与自然通风温度间的关系2VOL 低电平输出电压与低电平输出电流间的关系,5,7VOH 高电平输出电压与高电平输出电流间的关系,6,8VO(PP) 峰间输出电压与频率间的关系9IDD 电源电流与电源电压间的关系10PSRR 电源抑制比与频率间的关系11AVD 差分电压增益和相位与频率间的关系12增益带宽积与自然通风温度间的关系13SR 压摆率与电源电压间的关系14与自然通风温度间的关系15φm 相位裕度与容性负载间的关系16Vn 等效输入噪声电压与频率间的关系17电压跟随器大信号脉冲响应,19电压跟随器小信号脉冲响应20反相大信号脉冲响应,22反相小信号响应23串扰与频率间的关系24TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20162.82.8TA=125CVDD=2.7V2.42.4TA=40C22TA=0CTA=125CTA=70C1.61.6TA=0CTA=70C1.21.2TA=25CTA=25C0.80.8TA=40C0.40.4VDD=2.7V000 2 46 810121416182022240123 4 5 6 7 8 91011High-LevelOutputCurrent(mA)12Low-LevelOutputCurrent(mA)3.低电平输出电压与4.高电平输出电压与54.543.532.521.510.5054.543.532.521.510.50VDD=5VTA=125CTA=70CTA=0CTA=25CTA=40C0510152025303540455055606570051015202530354045Low-LevelOutputCurrent(mA)High-LevelOutputCurrent(mA)5.低电平输出电压与6.高电平输出电压与10©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedLow-LevelOutputVoltage(V)Low-LevelOutputVoltage(V)Low-LevelOutputVoltage(V)High-LevelOutputVoltage(V)High-LevelOutputVoltage(V)High-LevelOutputVoltage(V)10864200 20 40 60 80 100 120Low-LevelOutputCurrent(mA)7.低电平输出电压与10V=10VTA=40C DD8TA=0C6TA=25C4TA=70C2TA=125C00 20 40 60 80 100 120High-LevelOutputCurrent(mA)8.高电平输出电压与VDD=10VTA=125CTA=70CTA=25CTA=0CTA=40CVCC=5VTTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20162.82.8TA=125CVDD=2.7V2.42.4TA=40C22TA=0CTA=125CTA=70C1.61.6TA=0CTA=70C1.21.2TA=25CTA=25C0.80.8TA=40C0.40.4VDD=2.7V000 2 46 810121416182022240123 4 5 6 7 8 91011High-LevelOutputCurrent(mA)12Low-LevelOutputCurrent(mA)3.低电平输出电压与4.高电平输出电压与54.543.532.521.510.5054.543.532.521.510.50VDD=5VTA=125CTA=70CTA=0CTA=25CTA=40C0510152025303540455055606570051015202530354045Low-LevelOutputCurrent(mA)High-LevelOutputCurrent(mA)5.低电平输出电压与6.高电平输出电压与10©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedLow-LevelOutputVoltage(V)Low-LevelOutputVoltage(V)Low-LevelOutputVoltage(V)High-LevelOutputVoltage(V)High-LevelOutputVoltage(V)High-LevelOutputVoltage(V)10864200 20 40 60 80 100 120Low-LevelOutputCurrent(mA)7.低电平输出电压与10V=10VTA=40C DD8TA=0C6TA=25C4TA=70C2TA=125C00 20 40 60 80 100 120High-LevelOutputCurrent(mA)8.高电平输出电压与VDD=10VTA=125CTA=70CTA=25CTA=0CTA=40CVCC=5VTA=0CTA=40CTA=25CTA=70CTA=125CTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016111098760VDD=10VAV=10RL=2kAV=1VIC=VDD/2TA=125CC=10pFTA=70CLTA=25CTHD=5%VDD=5VT=25CATA=0C4VDD=2.7VT=40CA20101001k10k100k1M10M35101112131415Frequency(Hz)SupplyVoltage(V)频率间的关系120180120TA=25C100135100Phase8090VDD=5V,10V806045GainVDD=2.7V4006045901351802040VDD=5VRL=2k020CL=10pF2040TA=25C0101001k10k100k1M101001k10k100k1M10MFrequency(Hz)Frequency(Hz)频率间的关系图12.差分电压增益和相位11©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedGainBandwidthProduct(MHz)Peak-to-PeakOutputVoltage(V)Power-SupplyRejectionRatio(dB)DifferentialVoltageGain(dB)SlewRate(V/s)SupplyCurrent(mA/ch)Phase()43.532.521.510.504025105 203550658095110125Temperature(C)图13.增益带宽积与32.521.510.502.5 4.5 6.5 8.5 10.5 12.5 14.5SupplyVoltage(V)14.压摆率与SRSR+AV=1RL=10kCL=50pFTA=25CVDD=5VVDDVVDD=2.7VTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016111098760VDD=10VAV=10RL=2kAV=1VIC=VDD/2TA=125CC=10pFTA=70CLTA=25CTHD=5%VDD=5VT=25CATA=0C4VDD=2.7VT=40CA20101001k10k100k1M10M35101112131415Frequency(Hz)SupplyVoltage(V)频率间的关系120180120TA=25C100135100Phase8090VDD=5V,10V806045GainVDD=2.7V4006045901351802040VDD=5VRL=2k020CL=10pF2040TA=25C0101001k10k100k1M101001k10k100k1M10MFrequency(Hz)Frequency(Hz)频率间的关系图12.差分电压增益和相位11©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedGainBandwidthProduct(MHz)Peak-to-PeakOutputVoltage(V)Power-SupplyRejectionRatio(dB)DifferentialVoltageGain(dB)SlewRate(V/s)SupplyCurrent(mA/ch)Phase()43.532.521.510.504025105 203550658095110125Temperature(C)图13.增益带宽积与32.521.510.502.5 4.5 6.5 8.5 10.5 12.5 14.5SupplyVoltage(V)14.压摆率与SRSR+AV=1RL=10kCL=50pFTA=25CVDD=5VVDDVVDD=2.7VTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20163.5100908070605040302010032.5RNULL=1002RNULL=01.5VDD=5VRL=2k1R =50NULL0.5A=OpenLoopV04025105 20355065Temperature(C)809511012510100CapacitiveLoad(pF)100015.压摆率与自然通风温度间的关系100908070605040302010043210VDD=2.7V,5V,and10VTA=25CVDD=5VAV=1RL=2kCL=10pFVI=3VPPTA=25CVI3210VO101001kFrequency(Hz)10k100k0246 8 1012Time(s)141618频率间的关系脉冲响应12©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedInputVoltage(V)oltage(nVEquivalentInputNoise)zSlewRate(V/s)OutputVoltage(V)InputVoltage(mV)InputVoltage(V)PhaseMargin()OutputVoltage(V)OutputVoltage(mV)864VDD=10V,AV=12 V R=2kC=10pFI L L0 VI=6VPP,TA=25C642VO00 2 4 6 8 1012141618Time(s)脉冲响应0.120.08 VDD=5VAV=10.04 V R=2kI L0 CL=10pFVI=100mVPPTA=25C 0.120.080.01VO000.8 1.8Time(s)脉冲响应SRSR+VDD=5VAV=1RL=10kCL=50pFVI=3VTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20163.5100908070605040302010032.5RNULL=1002RNULL=01.5VDD=5VRL=2k1R =50NULL0.5A=OpenLoopV04025105 20355065Temperature(C)809511012510100CapacitiveLoad(pF)100015.压摆率与自然通风温度间的关系100908070605040302010043210VDD=2.7V,5V,and10VTA=25CVDD=5VAV=1RL=2kCL=10pFVI=3VPPTA=25CVI3210VO101001kFrequency(Hz)10k100k0246 8 1012Time(s)141618频率间的关系脉冲响应12©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedInputVoltage(V)oltage(nVEquivalentInputNoise)zSlewRate(V/s)OutputVoltage(V)InputVoltage(mV)InputVoltage(V)PhaseMargin()OutputVoltage(V)OutputVoltage(mV)864VDD=10V,AV=12 V R=2kC=10pFI L L0 VI=6VPP,TA=25C642VO00 2 4 6 8 1012141618Time(s)脉冲响应0.120.08 VDD=5VAV=10.04 V R=2kI L0 CL=10pFVI=100mVPPTA=25C 0.120.080.01VO000.8 1.8Time(s)脉冲响应SRSR+VDD=5VAV=1RL=10kCL=50pFVI=3VTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER201643210864VI2VDD=5V,AV=10RL=2kCL=10pFVI=3VPP,TA=25C6321042VO002468Time(s)1012141602468Time(s)1012 1416图21.反相大信号脉冲响应图22.反相大信号脉冲响应0VDD=2.7V,5V,and10V0.120VI=1VDD/2AV=1RL=2k0.05VDD=5V40VIAV=VI=1RL=2kCL=10pFT=25CA0600.180VI=100mVPPVOT=25CA0.05100Crosstalk012014000.511.522.533.544.5101001kFrequency(Hz)10k100kTime(s)23.反相小信号响应图24.串扰与频率间的关系13©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedInputVoltage(V)InputVoltage(V)OutputVoltage(V)OutputVoltage(V)InputVoltage(V)Crosstalk(dB)OutputVoltage(V)VDD=10VAV=VI=1RL=2kCL=10pFTA=25CVIVOTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER201643210864VI2VDD=5V,AV=10RL=2kCL=10pFVI=3VPP,TA=25C6321042VO002468Time(s)1012141602468Time(s)1012 1416图21.反相大信号脉冲响应图22.反相大信号脉冲响应0VDD=2.7V,5V,and10V0.120VI=1VDD/2AV=1RL=2k0.05VDD=5V40VIAV=VI=1RL=2kCL=10pFT=25CA0600.180VI=100mVPPVOT=25CA0.05100Crosstalk012014000.511.522.533.544.5101001kFrequency(Hz)10k100kTime(s)23.反相小信号响应图24.串扰与频率间的关系13©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedInputVoltage(V)InputVoltage(V)OutputVoltage(V)OutputVoltage(V)InputVoltage(V)Crosstalk(dB)OutputVoltage(V)VDD=10VAV=VI=1RL=2kCL=10pFTA=25CVIVOTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20167引脚配置和功能TLV271：DBV封装5SOT-23俯视图P封装PDIP俯视图VDDOUT15NCININ+GND12348765NCVDDOUTNCGND2IN+34INSOT-23的、DGKP封装PDIP俯视图VDD2OUT2IN2IN+1OUT1IN1IN+GND12348765SOT-23的14©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated引脚I/O说明名称TLV272SOICVSSOPPDIPGND4—负（最低）电源或接地（对于单电源供电）1IN–2I反相输入，通道11IN+3I同相输入，通道12IN–6I反相输入，通道22IN+5I同相输入，通道21OUT1O输出，通道12OUT7O输出，通道2VTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20167引脚配置和功能TLV271：DBV封装5SOT-23俯视图P封装PDIP俯视图VDDOUT15NCININ+GND12348765NCVDDOUTNCGND2IN+34INSOT-23的、DGKP封装PDIP俯视图VDD2OUT2IN2IN+1OUT1IN1IN+GND12348765SOT-23的14©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated引脚I/O说明名称TLV272SOICVSSOPPDIPGND4—负（最低）电源或接地（对于单电源供电）1IN–2I反相输入，通道11IN+3I同相输入，通道12IN–6I反相输入，通道22IN+5I同相输入，通道21OUT1O输出，通道12OUT7O输出，通道2VDD8—正（最高）电源引脚I/O说明名称TLV271SOT-23SOICPDIPGND24—负（最低）电源或接地（对于单电源供电）IN–42I负（反相）输入IN+33I正（同相）输入NC—1、5、8—没有与内部电路连接（可以悬空）OUT16OOutputVDD57—正（最高）电源TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016、PWN封装PDIP俯视图1OUT1IN1IN+VDD2IN+2IN2OUT12345674OUT4IN4IN+GND3IN+3IN3OUT8SOT-23的15©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated引脚I/O说明名称TLV274SOICTSSOPPDIPGND11—负电源或接地（对于单电源供电）1IN–2I反相输入，通道11IN+3I同相输入，通道12IN–6I反相输入，通道22IN+5I同相输入，通道23IN–9I反相输入，通道3TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016、PWN封装PDIP俯视图1OUT1IN1IN+VDD2IN+2IN2OUT12345674OUT4IN4IN+GND3IN+3IN3OUT8SOT-23的15©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated引脚I/O说明名称TLV274SOICTSSOPPDIPGND11—负电源或接地（对于单电源供电）1IN–2I反相输入，通道11IN+3I同相输入，通道12IN–6I反相输入，通道22IN+5I同相输入，通道23IN–9I反相输入，通道33IN+10I同相输入，通道34IN–13I反相输入，通道44IN+12I同相输入，通道41OUT1O输出，通道12OUT7O输出，通道23OUT8O输出，通道34OUT14O输出，通道4VDD4—正电源TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20168 8.1概述550µA3MHz带宽，TLV27x非常适合电8.2功能框图VDDBiasOUTIN+IN?GNDCopyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated16©2004–2016,TexasTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20168 8.1概述550µA3MHz带宽，TLV27x非常适合电8.2功能框图VDDBiasOUTIN+IN?GNDCopyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated16©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20轨至轨输出系列非常适合用于便携式和电池供电型系统。8.3.2失调电压(VOO)(VIO)(IIB)乘以相应增益的总和。使用25中的原理图和1计算输出失调电压：RFIIBRG−VO+RSITLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20轨至轨输出系列非常适合用于便携式和电池供电型系统。8.3.2失调电压(VOO)(VIO)(IIB)乘以相应增益的总和。使用25中的原理图和1计算输出失调电压：RFIIBRG−VO+RSIIB+Copyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated25.输出失调电压模型1+(1+(RFRFIRIRV=VOO IORIB+SRIBFGG(1)8.3.3驱动容性负载10pF的容性负载，TI(RNULL)与放大器输出端串联，如26所示。20Ω的最低RFRGRNULLInput−+OutputCLOADVDD/2Copyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated26.驱动容性负载8.4器件功能模式2.7V(±1.35V)16V(±8V)之间时可以正常工作。典型中显示了随工作条件变化而变化的电气参数。17©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated+VITLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20169 应用和实现注TI不担保其准确性和完整性。TI的客户应负责确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计是否能够实现，以确保系统功能。9.1应用信息16V的电源供电，并提供超低输入偏置电流和TLV27x9.2典型应用2.25k1nF?2.25k1.13kInputOutput4nF+27.TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER20169 应用和实现注TI不担保其准确性和完整性。TI的客户应负责确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计是否能够实现，以确保系统功能。9.1应用信息16V的电源供电，并提供超低输入偏置电流和TLV27x9.2典型应用2.25k1nF?2.25k1.13kInputOutput4nF+27.二阶低通滤波器9.2.1设计要求••••=1V/V低通截止频率=50kHz–40dB/十倍频的滤波器响应在增益与频率响应间的关系图中保持低于3dB的增益峰值9.2.2详细设计流程图27展示了用于低通网络功能的无限增益多反馈电路。使用公式2计算电压传递函数。1ROutputssC1R1RInput1R1RsC2C5(2)该电路将产生信号反转。对于该电路，直流增益和低通截止频率可通过公式3计算得出：GainR4R11RfRCCC3425(3)18©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016典型应用(接下页)WEBENCH®滤波器设计器是一款简单、功能强大且便于使用的有源滤波器设计滤波设计器，TITI供应商合作伙伴提供的无源组件来构建最佳滤波器设计方案。WEBENCH滤波器设计器。用户通过该工具可在数分钟内完成多级有源滤波器解决方案的设计、优化和。9.2.3应用曲线200-20-40-601001k10k(Hz)100k1M50kHz低通滤波器系统示例一般配置RC滤波器（请参阅29和4）。RGRFVDD/2−VOVI+R1C1Copyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated29.单极点低通滤波器=1+RF(VOVI 1 1+TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016典型应用(接下页)WEBENCH®滤波器设计器是一款简单、功能强大且便于使用的有源滤波器设计滤波设计器，TITI供应商合作伙伴提供的无源组件来构建最佳滤波器设计方案。WEBENCH滤波器设计器。用户通过该工具可在数分钟内完成多级有源滤波器解决方案的设计、优化和。9.2.3应用曲线200-20-40-601001k10k(Hz)100k1M50kHz低通滤波器系统示例一般配置RC滤波器（请参阅29和4）。RGRFVDD/2−VOVI+R1C1Copyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated29.单极点低通滤波器=1+RF(VOVI 1 1+sR1C1RG1f=3db2RC(4)1119©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedGain(db)TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016系统示例(接下页)如果需要Sallen-Key滤波器，如30中所示。为了获得最佳结果，放大器的带宽应为滤波器频率带宽的8到10TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER2016系统示例(接下页)如果需要Sallen-Key滤波器，如30中所示。为了获得最佳结果，放大器的带宽应为滤波器频率带宽的8到10倍；请参阅公式5。不使用具有这种特性的放大器可能导致放大器出现相移。C1VI−R1R2C2+RFRGVDD/2Copyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated30.滤波器R1=R2=RC1=C2=CQ=PeakingFactor(ButterworthQ=0.707)1 2RCf3db= RF (RG=1Q2(5)20©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER201610 电源建议2.7V16V（±1.35VTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER201610 电源建议2.7V16V（±1.35V±8V）；–40°C125°C的温度下适用。典中介绍了随工作电压或温度的变化而明显变化的参数。将0.1µF旁路电容器置于电源引脚附近，可减少从高噪声电源或高阻抗电源中耦合进来的误差。有关旁路电容器放置的详细信息，请参阅布局指南。11 布局11.1布局指南(PCB)设计方法。下面给出了一组通用的准则。•—出区域，可移除接地平面以便最小化杂散电容。适当的电源去耦—在每个电源端子上使用一个6.8µF钽电容器与一个0.1µF陶瓷电容器并联。根据应用情•况，也以在若干放大器之间共享钽电容器，但每个放大器的电源端子上应始终使用0.1µF陶瓷电容器。另外，0.1µF电容器应尽可能靠近电源端子。随着此距离增大，连接迹线中的电感会使电容器效率降低。设计0.1英寸。•—接到印刷电路板上是最好的实施方式。—可能紧凑，从而尽量减少所有迹线的长度。应特别注意放大器的反相输入端。它的长度应尽可能短。这有助于最大限度减小放大器输入端的杂散电容。表面贴装无源组件—出于多种原因，建议对高性能放大器电路使用表面贴装无源组件。首先，由于表面贴装组••件的引线电感极低，因此大大减少了杂散串联电感问题。其次，表面贴装组件的小特性自然而然会使布局更紧凑，进而最小化杂散电感和电容。如果使用引线式组件，TI建议尽可能缩短引线长度。21©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedCAUTION电源电压超过16.5V可能会对器件造成 损坏；请参阅绝对最大额定值。TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER201611.2布局示例+VINRGVOUTRF(SchematicRepresentation)PlacecomponentsclosetodeviceandtoeachothertoreduceparasiticerrorsRuntheinputtracesasfarawayfromthesupplylinesVS+RFaspossibleNCNCRGGNDGNDIN?VDDIN+OUTVINUselow-ESR,ceramicbypasscapacitorGNDNCGNDUselow-ESR,bypassVOUTVS?Ground(GND)planeonanotherlayercapacitorCopyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated31.TLV27x布局示例22©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER201611.2布局示例+VINRGVOUTRF(SchematicRepresentation)PlacecomponentsclosetodeviceandtoeachothertoreduceparasiticerrorsRuntheinputtracesasfarawayfromthesupplylinesVS+RFaspossibleNCNCRGGNDGNDIN?VDDIN+OUTVINUselow-ESR,ceramicbypasscapacitorGNDNCGNDUselow-ESR,bypassVOUTVS?Ground(GND)planeonanotherlayercapacitorCopyright©2016,TexasInstrumentsIncorporated31.TLV27x布局示例22©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedTLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER201612 器件和文档支持12.1文档支持12.1.1相关文档时，建议参考下列相关文档。所有这些文档都可从上（除非另有说明）。••••••••《用直观方式补偿跨阻放大器》(SBOA055)《运算放大器增益稳定性，第3部分：交流增益误差分析》(SLYT383)《运算放大器增益稳定性，第2部分：直流增益误差分析》(SLYT374)《在全差分有源滤波器中使用无限增益、MFB滤波器拓扑》(SLYT343)《运算放大器性能分析》(SBOA054)《运算放大器的单电源运行》(SBOA059)《调整放大器》(SBOA067)无铅成品组件的储存 评估(SZZA046)12.2相关2列出了快速。。类别包括技术文档、支持和社区、工具和软件以及申请样片或的快速2.相关12.3接收文档更新通知要接收文档更新通知，请导航至上的器件文件夹。请单击右上角的提醒我TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER201612 器件和文档支持12.1文档支持12.1.1相关文档时，建议参考下列相关文档。所有这些文档都可从上（除非另有说明）。••••••••《用直观方式补偿跨阻放大器》(SBOA055)《运算放大器增益稳定性，第3部分：交流增益误差分析》(SLYT383)《运算放大器增益稳定性，第2部分：直流增益误差分析》(SLYT374)《在全差分有源滤波器中使用无限增益、MFB滤波器拓扑》(SLYT343)《运算放大器性能分析》(SBOA054)《运算放大器的单电源运行》(SBOA059)《调整放大器》(SBOA067)无铅成品组件的储存 评估(SZZA046)12.2相关2列出了快速。。类别包括技术文档、支持和社区、工具和软件以及申请样片或的快速2.相关12.3接收文档更新通知要接收文档更新通知，请导航至上的器件文件夹。请单击右上角的提醒我进行，即可每周接收产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史。12.4社区下列提供到TI社区的连接。的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成TI技术规范，并且不一定反映TI的观点；请参阅TI的《使用条款》。TIE2E™ 社区TI的工程师对工程师(E2E)社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在中，您可以咨询问题、 知识、拓展思路并与 工程师一道帮助解决问题。设计支持 TI参考设计支持可帮助您快速查找有帮助的E2E12.5商标E2EisatrademarkofTexasInstruments.WEBENCHisaregisteredtrademarkofTexasInstruments.Allothertrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.、设计支持工具以及技术支持的信息。12.6静电放告ESD保护。伤。MOS门极静电损12.7GlossarySLYZ022—TIGlossary.Thisglossarylistsandexplainsterms,acronyms,anddefinitions.23©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporated器件文件夹样片与技术文档工具和软件支持和社区TLV271请单击此处请单击此处请单击此处请单击此处请单击此处TLV272请单击此处请单击此处请单击此处请单击此处请单击此处TLV274请单击此处请单击此处请单击此处请单击此处请单击此处TLV271,TLV272,TLV274TLV271,TLV272,TLV2742004–REVISEDNOVEMBER201613 机械、封装和可订购信息对此文档进行修订。如欲获取此数据表的浏览器版本，请参阅左侧的导航。变更，恕不另行通知，也24©2004–2016,TexasInstrumentsIncorporatedPACKAGEOPTIONADDENDUM24-Aug-2018PACKAGINGINFORMATIONAddendumOrderableDevice PackageType Pins EcoPlan MSLPeakTemp DeviceMarking(2) (3) (4/5)SamplesTLV271CD SOIC 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM T271C&noSb/Br)TLV271CDBVR SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHC&noSb/Br)TLV271CDBVRG4 SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHC&noSb/Br)TLV271CDBVT SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHC&noSb/Br)TLV271CDBVTG4 SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHC&noSb/Br)TLV271CDR SOIC 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM T271C&noSb/Br)TLV271ID SOIC 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM T271I&noSb/Br)TLV271IDBVR SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHI&noSb/Br)TLV271IDBVRG4 SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHI&noSb/Br)TLV271IDBVT SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHI&noSb/Br)TLV271IDBVTG4 SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHI&noSb/Br)TLV271IDR SOIC 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM T271I&noSb/Br)TLV271IP PDIP 8 Green(RoHS N/AforPkgType &noSb/Br)TLV272CD SOIC 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM T272C&noSb/Br)TLV272CDG4 SOIC 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM T272C&noSb/Br)TLV272CDGK VSSOP 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM AVF&noSb/Br)TLV272CDGKR VSSOP 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM AVF&noSb/Br)OpTemp(°C)0to700to700to700to700to700to70-40to125PACKAGEOPTIONADDENDUM24-Aug-2018PACKAGINGINFORMATIONAddendumOrderableDevice PackageType Pins EcoPlan MSLPeakTemp DeviceMarking(2) (3) (4/5)SamplesTLV271CD SOIC 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM T271C&noSb/Br)TLV271CDBVR SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHC&noSb/Br)TLV271CDBVRG4 SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHC&noSb/Br)TLV271CDBVT SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHC&noSb/Br)TLV271CDBVTG4 SOT-23 5 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM VBHC&noSb/Br)TLV271CDR SOIC 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM T271C&noSb/Br)TLV271ID SOIC 8 Green(RoHS Level-1-260C-UNLIM T271I&