电子电路线上培训考试第一期附有答案

电子电路线上培训考试第一期[复制]基本信息：[矩阵文本题]*姓名：________________________员工编号:________________________您的部门：[单选题]*○PSU研究所○SPU研究所○HVU研究所○MFU研究所○ENU研究所○RFU研究所○PCB设计部○硬件资源部○其他电子电路设计基础1.理想电容两端的电压不会突变，但实际电容两端的电压会突变[判断题]*对(正确答案)错答案解析：分析实际电容等效模型，等效esr作用2.负载越重，实际电压源越偏离理想电压源的性能。[判断题]*对(正确答案)错答案解析：输出电压U=Us（额定）-Io*r；负载越重，Io越大。3.如果现实世界导体随意可得，而绝缘体稀少难得，会是好事。[判断题]*对错(正确答案)答案解析：类比分析，如果空气不是绝缘体而是导体4.用5V/2A的充电器给5V/1A的手机充电，会充坏手机。[判断题]*对错(正确答案)答案解析：不会。因为充电器是恒压源，5V/2A指的是最大输出电流为2A，给5V/1A的手机充电时输出电流只有1A。5.超导体连接到带电理想电感两端，会发生什么现象？[单选题]*A、电流保持不变(正确答案)B、电流越来越大发生短路C、电流逐渐衰减答案解析：KVL：L（di/dt）=0，所以电流变化率为06.电阻的计算公式[单选题]*A、R=I/UB、R=U/I(正确答案)C、R=U*I答案解析：欧姆定律7.两个电容器，电容为3uf和6uf，他们的额定工作电压分别为30V和20V，并联后的等效电容和额定电压分别是[单选题]*A、9uf，50VB、9uf，20V(正确答案)C、2uf，50VD、2uf，20V答案解析：电容并联容值相加，电压取最小值8.电感的单位是[单选题]*A、特斯拉B、法拉C、亨利(正确答案)D、韦伯答案解析：特斯拉是磁通密度；法拉是电容量；韦伯磁通量9.电阻是一种电路元件，在电路中[单选题]*A、储存电能B、消耗电能(正确答案)C、储存和释放电能D、不消耗电能答案解析：电感和电容才储存电能，电阻只消耗电能10.一个额定电压为5V的电压源，其内阻为100mΩ，如果要在输出电流为1A时保证输出电压为5V，那么空载时输出电压应为多少？[单选题]*A、4.9VB、5VC、5.1V(正确答案)D、0V答案解析：输出电流为1A时，电压源内阻上的压降为100mΩ*1A=0.1V。因此空载电压应为5V+0.1V=5.1V11.热阻越小，芯片散热能力越强[判断题]*对(正确答案)错答案解析：热阻越小，散热越好12.0Ω电阻的阻值就是0Ω[判断题]*对错(正确答案)答案解析：0Ω电阻的阻值只是接近0Ω，不是完全等于0Ω13.将低通滤波器中的电阻换成电感，仍构成低通滤波器[判断题]*对(正确答案)错答案解析：将电感和电容阻抗公式带入，仍可得电容上电压随输入频率增加而减小。14.电阻、电容、电感三种原件中，阻抗值与信号频率无关的器件是？[单选题]*A、电容B、电感C、电阻(正确答案)15.纯电感电路中电感上的电流与电压的相位关系是[单选题]*A、电流滞后电压90°(正确答案)B、电压滞后电流90°C、同相D、反相答案解析：电感上的电流滞后电压，电容上的电流超前电压16.纯电感电路中电容上的电流与电压的相位关系是[单选题]*A、电流滞后电压90°B、电压滞后电流90°(正确答案)C、同相D、反相答案解析：电感上的电流滞后电压，电容上的电流超前电压17.感抗的单位是[单选题]*A、亨利B、毫亨C、欧姆(正确答案)D、微亨答案解析：感抗单位为欧姆18.在纯电容电路中，电容器的电容量为10UF，对于100HZ的交流电的容抗为[单选题]*A、1ΩB、10ΩC、159.2Ω(正确答案)D、500Ω答案解析：Xc=1/（2*Pi*f*C）19.电容器在电路中具有的特性有*A、通交流、阻直流(正确答案)B、通直流、阻交流C、通高频、阻低频(正确答案)D、通低频、阻高频20.由一个电阻和一个电容，可以构成以下哪些种类电路？*A、低通电路(正确答案)B、带通电路C、带阻电路D、高通电路(正确答案)答案解析：带通需要两个电阻和两个电容，带阻需要再加入电感二极管、三极管和MOS管21.根据下列哪项参数来区分普通二极管和快恢复二极管（）[单选题]*A、恢复时间trr(正确答案)B、正向压降VfC、反向耐压D、正向电流答案解析：trr越小，恢复时间越快，可以据此来区分二极管是普通整流二极管还是快恢复二极管。22.NPN三极管的工作区域是根据下列哪项参数来判定的（）[单选题]*A、基极电流IbB、基极电压VbC、集电极电流IcD、集电极和发射极的电压Vce(正确答案)答案解析：三极管的工作区间是根据CE间的压降来判断，铜通常＜0.3V认为其饱和，等于电源电压则为截止。23.下列哪项参数符号是描述MOS管的漏极源极间对的耐压（）[单选题]*A、VGSthB、IdC、Vds(正确答案)D、Rds答案解析：Vds描述MOS的漏源极电压，VGSth是MOS的开启电压，Id为漏极电流，Rds为漏源极电阻。24.MOS管是用下列哪项参数来控制其导通和关断（）[单选题]*A、漏极栅极电压VGDB、漏极源极电压VDSC、栅极源极电压VGS(正确答案)D、栅极源极电流IGS答案解析：MOS的通断是由GS电压决定。25.下列器件哪些可以用在开关电源的输出整流（）*A、肖特基二极管(正确答案)B、快恢复二极管(正确答案)C、超快恢复二极管(正确答案)D、整流桥E、普通整流二极管(正确答案)答案解析：整流桥和普通整流二极管只能工作于工频。26.选取MOS时一般是根据下列哪些参数进行选取（）*A、最大耐压(正确答案)B、最大电流(正确答案)C、封装外形(正确答案)D、导通内阻(正确答案)E、寄生结电容大小(正确答案)答案解析：以上选项均为选型MOS时需要考虑的因素。27.电压超过MOS管的手册标称耐压后，MOS一定会被击穿[判断题]*对错(正确答案)答案解析：标称耐压为其长时间安全工作允许的最大电压，并不是击穿电压，每个MOS的击穿电压并不同，甚至不同的工作状态击穿电压也可能不一样。28.MOS的驱动完全不需要电流，只需要电压即可（）[判断题]*对错(正确答案)答案解析：由于结电容的存在，驱动MOS时需要给MOS结电容充电，此时就需要驱动