传感器应用技术试卷5

共4第PAGE5共4第PAGE5.1页共4第1.2页1淮阴师范学院2009级测控技术与仪器专业《传感器应用技术》课程考试卷（A）密2011-2012学年1 学期题号一二三题号一二三四总分得分得分一、选择题（每题2分，共计20分）得分1、下列对传感器动态特性的描述正确的是 （ ）号A τ,其响应速度越快号ω学 B 二阶传感器的固有频率 越,ω学 0C τ,其响应速度越快。

ρ ρ ρ ρTT T TA B C D9、对集成温度传感器，下列叙述不正确的是 （ ）A输出线性好B测量精度高C测量温度高D满量程非线性偏离小10、金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由( )来决定的。A、贴片位置的温度变化 B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化 、外接导线的变化得分二、填空题（每空0.5分，共计10分）得分1、一阶传感器的时间常数τ越 ,其响应速度越快;二阶传感ωD 二阶传感器的固有频率 越小,其响应速度越快。ω0

器的固有频率ω0越 ,其工作频带越宽.2、不能采用非接触方式测量的传感器是（ 。

2、在电阻应变片的电桥测量电路中，设R1

=R2

=R4

，单桥臂为应变片时，输出A、霍尔传感器；B、光电传感器；C、热电偶；D、涡流传感器

，则：SVS3、按传输模式光纤可分为 （ ）

半桥差动电路的输出电压为

，电桥的灵敏度为 。VA 普通光纤与通信光纤B 单模光纤与多模光纤

全桥差动电路的输出电压为

，电桥的灵敏度为 S。级 C 阶跃光纤与渐变光纤D 玻璃光纤与塑料光纤 3 0 V班 4、对压电效应的描述正确的是 （ ）当晶体沿一定方向伸长或压缩时在其表面会产生电荷当陶瓷沿一定方向伸长或压缩时在其表面会产生电荷当某些晶体或陶瓷在外电场的作用下发生形变，这种现象叫压电效应

、将机械位移转变为电容量变化时，电容式位移传感器的基本结构可分为型， 型和 型三大类。4、灵敏度是描述传感器的输出量对输入量敏感程度的特性参数。其定义为：传感器 与相应的 之比，用公式表示 。线 D 晶体的压电效应是一种机电耦合效应，是由力学量（应力、应变）与电学量（电

5、某光纤的纤芯折射率为n1,包层折射率n，则数值孔径NA为强度、电位移失量）之间相互耦合产生的。别 5、光敏电阻适于作为 （ 。

26L=20mm,v=5000m/s,f= 。

= ,可测频率系 A光的测量元件 B光电导开关元件C加热元件 D发光元件6、不能用涡流式传感器进行测量的是( )。A 位移 B 材质鉴别 C 探伤 D 非金属材料7、为消除压电传感器电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响，可采用( 。

7、压电材料可分为 和 ，前者为 晶体，后者为极化处后的多晶体。8、传感器线性度公式e

100%

表示的是 。A 电压放大器； B 电荷放大器； C 前置放大器；D 电流放大器8、下图为热敏电阻的ρ-T 特性曲线，试问哪一个是PTC 的ρ-T 特性曲线（ ）

t Y FSFS9、一电容测微仪，通过测量得到的电容变化量为KS=51 2化 格。得分三、简答题（共计10分）得分1、什么叫压电效应？它们适用于制作什么器件？（5分）得分密得分2、什么叫霍尔效应？并说明如何实现电子罗盘。（5分）封

得分得分2一台采用等强度梁的电子秤，在梁的上下两面各贴有两片灵敏系数均为k=2的金属箔式应变片做成秤重传感器。已知梁的L=100mm，b=11mm，h=3mm，梁的弹性模量E=2.1×104N/mm2。将应变片接入直流四臂电路，供桥电压Usr=6V。试求：⑴秤重传感器的灵敏度(V/kg)?；⑵当传感器的输出为68mv时，问物体的荷重为多少？ （10分）bmhL提示：等强度梁的应变计算式为ε=6FL/bmhL得分得分完成：线

四、计算及分析题（共计60分）得分VCC9VR0R1RHR5R4得分VCC9VR0R1RHR5R4D1C1微安表XMM1T1..2C241R2R3R6Q1C33⑴分析电路功能。⑵简要说明电路工作原理⑶若要直接从微安表读出待测物理量，需要做哪些工作？（10分）得分得分3、两根高分子压电电缆相距L=2m50mm，如下图左所示。现有一辆超重汽车以较快的车速压过测速传感器PVDF求：1）估算车速为多少。估算汽车前后轮间距。说明载重量m以及车速v与AB压电电缆输出信号波形的关系。 （10分）PVDF压电电缆ABd公路2PVDF压电电缆ABd公路2mABUT/(25ms/div)压电电缆输出信号波形封

得分得分5、在压力比指示系统中采用差动式变间隙电容传感器和电桥测量电路，4-30

=50V(交流)，频率f=400Hz。sr试求：该电容传感器的电压灵敏度Kscusc

(V/µm)；得分线得分4、简述热电偶冷端补偿的必要性，常用冷端补偿有几种方法?将一灵敏度为0.08mV/℃的热电偶与电位计相连接测量其热电势