半导体器件习题及答案

1、 8/8半导体器件习题及答案 第1章 半导体器件 一、是非题 (注:请在每小题后 内用表示对,用表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ） 5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ） 6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ） 7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（ ） 8、施主杂质成为离子后是正离子。（ ） 9、受

2、主杂质成为离子后是负离子。（ ） 10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ） 12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =，I B =20A ，因此推算出r be =U BE /I B =20A=35k

3、。（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =，I B =5A ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =。（ ） 18、有人测得当U BE =，I B =10A 。考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到 0.60 60()100 BE be B U r k I ?-= =?- （ ） 二、选择题 (注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_。 A. 负离子 B.

4、 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为_。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 4、N 型半导体中的多子是_。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 5、P 型半导体中的多子是_。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有 很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷 7、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当PN结外加反向电压 时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变 8、二极管正向电压从

5、增大15%时，流过的电流增大_。（A115% B1大于 15% C1小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压_。 （A2增大B2减小；C2基本不变） 9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线_。（A1上移B1下移C1不变）说 明此时反向电流_。（A2减小B2增大C2不变）. 10、在下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流 的大小将是 I=2mA 2mA D.不能确定 图图图 11、图所示电路中电源V=5V不变。当温度为20O C时测得二极管的电压U D=。当温 度上生到为40O C时,则U D的大小将是 A.仍等于 B.

6、大于 C. 小于 D.不能确定 12、设图电路中保持V=5V不变，当温度为20时测得二极管的电流I=2mA。当温度上升 到40时，则I的大小将是。 A. I=2mA B. I2mA 13、图中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流mA, 反向击穿电压为5V,击 穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于 A. 0.1 mA B. mA C. 5mA D. 15 mA 14、二极管的主要特性是 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 15、在下图所示电路中，D1D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮 的灯是_。 A. b B. c C. a 16、

7、二极管电路如下图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电 压V o为_。(设二极管的导通压降0) A.5.6V 图图图图 17、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电 压V o为_(设二极管的导通压降为 18、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电 压V o为_。(设二极管的导通压降为、电路如下图所示。试估算A点的电位为_。（设二极管的正向压降为。） A. 6.7V B. 6V C. D. 20、已知如下图所示电路中V A0V，V B5V，分析二极管的工作状态后，可确定V o 的值为_。（设二极管的正向压降为。

8、） 图图图(a) 图(b) 21、设硅稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为，可求出图(a) 中电路的输出电压V o为_；可求出图(b)中电路的输出电压V o为_；可 求出图(c)中输出电压V o为_；可求出图(d)中输出电压V o为_。 A.0.7V G.13V 图(c) 图(d) 图(a) 图(b) 22、已知D Z1、D Z2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图(a)路中， 输出电压为_；可求得图(b)中输出电压为_。 A. 1V B. 5V C. 6V D. 13V E. 7V 23、二极管的双向限幅电路如右图所示。设v i为幅值大于 直流

9、电源V C1(=V C2)值的正弦波，二极管为理想器件。 则可画出v o的波形为_。 A. a) B. b) C. c) D. d) 24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能 最好的是_。 A. a) B. b) C. c 管号加正向电压时的电流加反向电压时的电流 a)1A b)5mAA c)2mA5A 25、一个硅二极管在正向电压U D=时，正向电流I D=10mA。若U D增大到（即增加10%）， 则电流I D。 A.约为11mA（也增加10%）； B.约为20mA（增大1倍）； C.约为100mA（增大到原先的10倍）； D.仍为10mA（基本不变

10、）。 26、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三 个电极时以测出最为方便。 A.中极间电阻 B.各极对地电位 C.各极电流 27、温度升高时，晶体管的电流放大系数，反向饱和电流I CBO，正向结电压 U BE。 A.变大 B.变小 C.不变 28、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性 曲线之间的间隔将。 A.上移 B.下移 C.左移 D.右移 E.增大 F.减小 G.不变 29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是。 A 发射结正偏，集电结正偏 B 发射结正偏，集电结反偏 C 发射结反偏，集电结反偏 D 发射

11、结反偏，集电结正偏 30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型 是。型硅管型硅管型锗管型锗管 31、某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是。 A.饱和 B.放大 C.截止 D.已损坏 2V 6V 图图 32、三极管的穿透电流I CEO是集-基反向饱和电流的倍. + C. 33、三极管工作在饱和区时，b-e极间为，b-c极间为；工作在放大区时，b-e 极间为，b-c极间为。 A. 扩散电流 B. 漂移电流 34、某三极管的极限参数P CM=150mW，I CM=100mA，V（BR）CEO=30V。若它的工作电压V CE=10V，则工作电流I

12、C不得超过mA（ B. 15mA C. 1mA）；若工作电压V CE=1V， 则工作电流不得超过mA（ B. 15mA C. 1mA）；若工作电流I C=1mA，则 工作电压不得超过V（A. 30V B. 10V C. 1V）。 三、计算题 1.写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D。 图 2.已知稳压管的稳压值U Z6V，稳定电流的最小值I Zmin5mA。求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图 3 电路如图所示，已知u i10sint(v)，试画出u i与u O的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图 4 电路如图所示，已知u i5sint(V)，二极管导通电压

13、U D。试画出u i与u O的波形，并标出幅值。 图 5 电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图 6现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少 （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少 7已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z6V，最小稳定电流I Zmin5mA，最大稳定电流I Zmax 25mA。 （1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值； （2）若U I35V时负载开路，则

14、会出现什么现象为什么 图 8已知稳压管的稳定电压U Z6V，稳定电流的最小值I Zmin5mA，最大功耗P ZM150mW。试求图所示电路中电阻R的取值范围。 图 9.在图所示电路中，发光二极管导通电压U D， 正向电流在515mA时才能正常工作。试问： （1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光 （2）R的取值范围是多少 图 10电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z3V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。试分别画出u O1和u O2的波形。 图 11.有两只晶体管，一只的200，I CEO200A；另一只的100，I CEO10A，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子

15、为什么 12测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 图 13.已知两只晶体管的电流放大系数分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 图 14电路如图所示，晶体管导通时U BE，=50。试分析V BB为0V、1V、三种情况下T的工作状态及输出电压u O的值。 图 15.电路如图所示，试问大于多少时晶体管饱和 图 16电路如图所示，晶体管的50，|U BE|，饱和管压降|U CES|；稳压管的稳定电压U Z5V，正向导通电压U D。试问：当u I0V时u O

16、当u I5V时u O 图17 分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 图 第1章 半导体器件习题答案 一、判断题 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 二、选择题 1 B 2D 3D 4A 5B 6C A 7A E B D 8B 1B 2 9B 1B 2 10C 11C 12. C 13. B 14. C 15. B 16. C 17. B 18. D 19. D 20. C 21G B C A 22. A C 23. A 24. B 25. C 26. B 27. A A B 28. C A E 29. B 30A 31.

17、D 32. B 33. A A A B 34. B A A 三、计算题 ，U O20，U O3，U O42V ，U O5，U O62V 。 6V ，U O25V 。 3. u i 和u o 的波形如图 4.波形如解图所示。 5.波形如图所示 6.（1）两只稳压管串联时可得、和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。 7.（1）当U I 10V 时，若U O U Z 6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故V 33.3I L L O ?+= U R R R U 当U I 15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所

18、以 U O U Z 6V 同理，当U I 35V 时，U O U Z 6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA I ZM 25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 8.稳压管的最大稳定电流：I ZM P ZM /U Z 25mA 电阻R 的电流为I ZM I Zmin , 所以其取值范围为：=-=k 8.136.0Z Z I I U U R 9.（1）S 闭合。 （2）R 的范围为 。 =-=-=700)(233)(Dmin D max Dmax D min I U V R I U V R 10. 解：波形如解图所示 图 图 11.选用100、I CBO 10A 的管子，因其适中、I CEO 较小，因而温度稳定性较好。 12解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示。 管号 T 1 T 2 T 3 T 4