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文档简介

1、文档历.表格索索1引2产品概综文档历.表格索索1引2产品概综开发3.低功省电模式PWRKEY 管脚开关USB接串RI信.43 /口5天线射频信号线Layout 参考设5天线射频信号线Layout 参考设6耗.7物理尺8和生.包9附录A 参考文附录BGPRS编码方附录CGPRS多时附录DEDGE调制和编码方4 /口表格表1:BG36 支持的频段和GNSS 功表格表1:BG36 支持的频段和GNSS 功表 2:主要性能参表3:I/O 参数定表4:管脚描5:工作模6:VBAT 管脚和地管7:PWRKEY 管脚描8:RESET_N 管脚描9:(U)SIM 接口管脚描10:USB 管脚定11:UART1

2、 管脚描12:UART2 管脚描13:UART3 管脚描14:串口逻辑电15:PCM*和 I2C*接口管脚定16:NETLIGHT 管脚描17:NETLIGHT 的工作状US 管脚定表 19:RI 指示方表20:GNSS 性表 21:主天线管脚定表 22:模块工作频表 23:模块工作频表24:GNSS 频表 25:主天线要表26:BG36 极限参表 27:BG36 电源额定表28:BG36 工作温表29:BG36 耗. 表 31:BG36 接收灵敏表 32:ESD 性能参数(温度:25C ,湿度33:卷带包34:参考文35:术语缩36:不同编码方37:不同等级的多时隙分配38:EDGE 调制和

3、编码方表5 /索图1:功能框2:管脚分配图(俯视图3:模索图1:功能框2:管脚分配图(俯视图3:模块供电电路参考设4:开集驱动参考开机电5:按键开机参考电6:开机时序7:关机时序8:RESET_N 开集驱动参考复位电9:RESET_N 按键参考复位电10:RESET_N 复位时序11:8-PIN 12:6-PIN 座参考电路座参考电路13:USB 接口参考设14:电平转参考电15:电平转换参考电图16:使用外部 CODEC 的PCM 参考简图17:NETLIGHT 参考设US 参考电图19:USB_BOOT 接口参考电20:射频参考电21:两层 PCB 板微带线结22:两层 PCB 板共面波导

4、结23:四层 PCB 板共面波导结构(参考地为第三层24:四层 PCB 板共面波导结构(参考地为第四层25:GNSS 天线参考电26:UF.L-R-SMT 连接器尺寸:毫米27:UF.L-LP 连接线系28:安装尺寸:毫米29:BG36 俯视及侧视图尺30:BG36 底层尺寸(俯视图封装(俯视图钢网设计(俯视图33:模块俯视34:模块底视35:回流焊温度曲36:载带尺37:卷盘尺6 /1引 1.1. 安全须! 7 /1引 1.1. 安全须! 7 /2产品概念2.1. BG36是一款支持半双工LTE(LTECat.M1,LTECat.NB1 也支GNSS1和语2)功能 2产品概念2.1. BG3

5、6是一款支持半双工LTE(LTECat.M1,LTECat.NB1 也支GNSS1和语2)功能 CatM1&B1/B2/B3B ,B13/B18/B19/B2 LTE-TDD:B39仅Cat.M1支持备及个人追踪服务、可穿戴服务、安防系统、无机、工业级PDA、智能抄表、无8 / 3BG36 GSM 仅支持分组交换(Packet Switch模GSM频段分集接2.2. 主要性下表描述了BG36Class3(23dBm2.7dB)forClass3(23dBm2.7dB)forLTE-TDDClass4(33dBm2dB)Class4(33dBm2dB)2.2. 主要性下表描述了BG36Class

6、3(23dBm2.7dB)forClass3(23dBm2.7dB)forLTE-TDDClass4(33dBm2dB)Class4(33dBm2dB)Class1(30dBm2dB)Class1(30dBm2dB)forClass E2 (27dBm3dB) f Class E2 (27dBm3dB) ClassE2(26dBm3dB)SM8508-PSK SM900 8-18008-ClassE2(26dBm3dB)forPCS19008-LTECat.M1和LTE支持 GMSK 和 8-PSK下行编码格式:CS1-4和MCS1-上行编码格式:CS1-4和MCS1-PAPPassword

7、Authentication Protocol) CHAPChallenge Handshake Authentication Protocol)9 /性说支持 默认波特率为 115200bps支持 RTS CTS 硬件流控波特率为 115200bps GNSS数据或NEMA支持 默认波特率为 115200bps支持 RTS CTS 硬件流控波特率为 115200bps GNSS数据或NEMA8/8.1,Windows 10,Windows CE 5.0/6.0/7.0,Linux 2.6/3.x/4.1, Android 4.x/5.x/6.0 等操作系统3GPPTS27.0073GPPTS

8、27.005AT 正常工作温度:-35C75C USB接口和DFOTA所有器件完全符合EU RoHS备10 /“*” ) 2)表示当模块工作在此温度范围时,模块仍能保持正常工作状态,具备语音、2.3. 功能框 器SAUSB 11/ 2.3. 功能框 器SAUSB 11/ 备2.4. 备2.4. 参考文12 /“*” 3应用3应用UART 接口 13 /口3.1. 管脚分 14 / 3.1. 管脚分 14 / 备3.2. 管脚描下表详细描述了BG3615 /类描所备3.2. 管脚描下表详细描述了BG3615 /类描所1) 由存在二极管压降,PWRKEY 管脚输出电压为0.8V“*” 地集S地集S

9、8号9符合USB2.0号符合USB2.016 /VILmin=- 1.8V3.0V。1.8V 3.0V 1.8V(U)SIM: 3.0V(U)SIM: VILmin=- 1.8V3.0V。1.8V 3.0V 1.8V(U)SIM: 3.0V(U)SIM: 1.8V 3.0V 地VILmin=- 17 /VILmin=- VILmin=- VILmin=- VILmin=- VILmin=- VILmin=- VILmin=- 418 /PCM* 5VILmin=- 6 7 1VILmin=-1.8V电源域,默认上5VILmin=- 6 7 1VILmin=-1.8V电源域,默认上 VILmin

10、=- 19 / 2 2备20 /“*” 3.3. 工作模TAU e-I-DRX 3.4.3 章节 3.3. 工作模TAU e-I-DRX 3.4.3 章节 。 然;备3.4. 3.4.1. 21 /在e-I-DRX 模式下,模说 ;备3.4.2. 省电模式 ;备3.4.2. 省电模式 在PSM TAU PSM,并接受模块使用PSM,则网络通过为模块分配活动时间值来确认PSM活动时间值,例如当模块中的条件发生变化时,模块将在 TAU 过程中请求所需的值。 如下方式可从PSM备(e-I-TAUe-I-DRX 22 /关于 AT+CPSMS 命详细信息请参考文档2e-I-DRX 模块提供寻呼时间窗长

11、度;此时模块应根据接收到的 e-I-DRX 长度和寻呼时间窗长度使用 当网用正常的DRX 备3.5. 供电电3.5.1. e-I-DRX 模块提供寻呼时间窗长度;此时模块应根据接收到的 e-I-DRX 长度和寻呼时间窗长度使用 当网用正常的DRX 备3.5. 供电电3.5.1. VV3,地23 /管脚管脚描最小典型最大详细信息请参考文档 23.5.2. BG36 的供电范围为 3.34.3V,需要确保输入电压不低于 3.3V。为减少电压跌落,建议靠近 VBAT 管 模块时,VBAT_BB和VBAT_RF需要采用星型走线。VBAT_BB1mm,VBAT_RF走线 +3.5.2. BG36 的供电

12、范围为 3.34.3V,需要确保输入电压不低于 3.3V。为减少电压跌落,建议靠近 VBAT 管 模块时,VBAT_BB和VBAT_RF需要采用星型走线。VBAT_BB1mm,VBAT_RF走线 +3.5.3. 参考文档命令可以用来监测、查询当管脚的电压。24 /3.6. 开/3.6.1. PWRKEY 集 路来控制PWRKEY 管脚。在 Turn on Close to 25 /管脚3.6. 开/3.6.1. PWRKEY 集 路来控制PWRKEY 管脚。在 Turn on Close to 25 /管脚管脚描DC特备见备 备3.6.2. PWRKEY 650ms 26 /PWRKEY管脚之

13、前,需保证VBAT 电压稳定。建议从VBAT 上电到拉低PWRKEY管脚之间的时间间隔不少于 30ms。见备 备3.6.2. PWRKEY 650ms 26 /PWRKEY管脚之前,需保证VBAT 电压稳定。建议从VBAT 上电到拉低PWRKEY管脚之间的时间间隔不少于 30ms。S3.6.2.2. AT请参考文档 23.7. 复位功 S3.6.2.2. AT请参考文档 23.7. 复位功 27 /管脚管脚作DC特描 er-down Close to 备28 /确保PWRKEY和RESET_NClose to 备28 /确保PWRKEY和RESET_N3.8. (U)SIM。 地参考文档2AT

14、+QSIMDET8-pin(U)SIM Card 11:8-pin29 /管脚管脚备3.8. (U)SIM。 地参考文档2AT+QSIMDET8-pin(U)SIM Card 11:8-pin29 /管脚管脚备如果不需要用 USIM_PRESENCE 管脚作为6-pin(U)SIMCard12:6-pin在(U)SIM 接口电路设计中,为了确保信号线布线远离RF VBAT 座的地与模块的USIM_GNDUSIM_VDD与USIM_GND不小于 0.5mm,且在 USIM_VDD 与USIM_GND 之间的旁路电容不超过 1uF,并且靠近 ESD性能,建议 的近 如果不需要用 USIM_PRES

15、ENCE 管脚作为6-pin(U)SIMCard12:6-pin在(U)SIM 接口电路设计中,为了确保信号线布线远离RF VBAT 座的地与模块的USIM_GNDUSIM_VDD与USIM_GND不小于 0.5mm,且在 USIM_VDD 与USIM_GND 之间的旁路电容不超过 1uF,并且靠近 ESD性能,建议 的近 的3.9. USBBG36提供一个USB接口,该接口符合USB 2.0规范,支持高速(480Mbps)和全速(12Mbps) 30 /8USB电源,用于USB 9。Test Po Minimize these NM ESD Close to 在USB接口电路设计中,为了确保

16、USB USB 的 ESD 防护器件尽量靠近 USB 接口放置。8USB电源,用于USB 9。Test Po Minimize these NM ESD Close to 在USB接口电路设计中,为了确保USB USB 的 ESD 防护器件尽量靠近 USB 接口放置。备31 /管脚描备串 串 32 /管脚管脚描备管脚管脚描备管脚管脚描备VV0VV 33 /参最小最大VV0VV 33 /参最小最大 备PCM*和 I2C*接口4567 备PCM*和 I2C*接口456734 /管脚管脚备 备网络状态指示 35 /名状描管脚管脚备网络状态指示 35 /名状描管脚管脚描备“*” 模块状态指示S 表S

17、模块状态指示S 表SS36 /管脚管脚描备RI 客户可以用 URC信息,物理RI备 考文档 2。USB_BOOTRI 客户可以用 URC信息,物理RI备 考文档 2。USB_BOOT 37 /名管脚描备状RI信 备38 / 备38 / 44.1. 基本描基于高通先进的 e 技术,BG36 集成了多星座 。,支持 BG36模块支持标准NMEA-0183协议,默认通过USB接口输出NMEA语句(数据更新率:1Hz)请参考文档 3。4.2. GNSS44.1. 基本描基于高通先进的 e 技术,BG36 集成了多星座 。,支持 BG36模块支持标准NMEA-0183协议,默认通过USB接口输出NMEA

18、语句(数据更新率:1Hz)请参考文档 3。4.2. GNSSsopenXTRA*ssopenXTRA*ss39 /参描条典型openXTRA*sopenm备4.3. LayoutopenXTRA*sopenm备4.3. Layout模GNSS信 路径 天线参考设计和天线注 事项请参考5章40 / “*” 5天线5.1. 5.1.1. 5.1.2. 41 /发接管脚管脚描备口5天线5.1. 5.1.1. 5.1.2. 41 /发接管脚管脚描备口 5.1.3. 5.1.4. Layout 对于用户PCB 而言,所有的射频信号线的特性阻抗应控制在50。一般情况下,射频信号线的阻抗由50时微42 /

19、5.1.3. 5.1.4. Layout 对于用户PCB 而言,所有的射频信号线的特性阻抗应控制在50。一般情况下,射频信号线的阻抗由50时微42 /图23:四层 PCB 板共面波导结构(参考地为图23:四层 PCB 板共面波导结构(参考地为第三层43 / 与射频管脚相邻的GND 管脚不做热焊盘,要与地充分接触; 与射频管脚相邻的GND 管脚不做热焊盘,要与地充分接触;关于射频Layout45.2. GNSS 44 /名管脚描备 备45 / 类频 备45 / 类频5.3. 天线安5.3.1. VSWR:增益5.3. 天线安5.3.1. VSWR:增益(LTE极化:RHCP 或 Linear主动

20、天线总增益: 18dBi(典型值)46 /天线类要5.3.2. 安装天线使用的RF连接5.3.2. 安装天线使用的RF连接 47 /48 /48 /6电气、可靠性及射频性能6.1. 极限参 V6VVV6.2. VLTE Cat.M1 I6电气、可靠性及射频性能6.1. 极限参 V6VVV6.2. VLTE Cat.M1 IV49 /参描条最典最参最最6.3. 工作温备6.4. 8 (串口和USB不连接6.3. 工作温备6.4. 8 (串口和USB不连接(串口和USB不连接50 /参描条典型) 2) 表示当模块工作在此温度范围时,模块仍能保持正常工作状态,具备语音、功率等参数的值可能会超出 3G

21、PP 标准的范围。当温度返回至正常工作温度范围时,模块的各项指标仍符合 3GPP 标准。参最典最LTECat.M1 LTECat.M1 51 /频最最6.6. 52 /制频主分 Cat.NB1灵敏度/制频主分3GPP6.6. 52 /制频主分 Cat.NB1灵敏度/制频主分3GPP6.7. 静电放 表 32:ESD 性能参数(温度:,湿度:6.7. 静电放 表 32:ESD 性能参数(温度:,湿度:53 /测试管接触放空气放7物理尺寸7.1. 54 /7物理尺寸7.1. 54 / 55 / 55 /封装和钢56 /封装和钢56 /备57 /备57 /所7.3. 备58 / 7.3. 备58 /

22、 8和生产 8和生产 备8.2. 生产焊 证模块印膏质量,BG360.18mm。详细信息请参考文档5。 59 /考 IPC/JEDECJ-STD-033 规范。Liquids200160n 13 0s8.3. 60 /Liquids200160n 13 0s8.3. 60 /CoverDirectionof-61 / CoverDirectionof-61 / 表 33:卷带包装尺寸:370mm350mm尺寸:表 33:卷带包装尺寸:370mm350mm尺寸:380mm250mm62 /模MOQfor最小包装:最小包装9参考文档Qdsds BitsPer CircuitSwitchedCleartoD9参考文档Qdsds BitsPer CircuitSwitchedCleartoD63 /术描序文档名备EnhancedFull ic Full GlobalSystemforMobileH

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