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文档简介
1、内存条的的发展在计算机机诞生初初期并不不存在内内存条的的概念,最早的的内存是是以磁芯芯的形式式排列在在线路上上,每个个磁芯与与晶体管管组成的的一个双双稳态电电路作为为一比特特(BIIT)的的存储器器,每一一比特都都要有玉玉米粒大大小,可可以想象象一间的的机房只只能装下下不超过过百k字字节左右右的容量量。后来来才出线线现了焊焊接在主主板上集集成内存存芯片,以内存存芯片的的形式为为计算机机的运算算提供直直接支持持。那时时的内存存芯片容容量都特特别小,最常见见的莫过过于2556K1biit、11M44bitt,虽然然如此,但这相相对于那那时的运运算任务务来说却却已经绰绰绰有余余了。 内存存条的诞诞生
2、 内存存芯片的的状态一一直沿用用到2886初期期,鉴于于它存在在着无法法拆卸更更换的弊弊病,这这对于计计算机的的发展造造成了现现实的阻阻碍。有有鉴于此此,内存存条便应应运而生生了。将将内存芯芯片焊接接到事先先设计好好的印刷刷线路板板上,而而电脑主主板上也也改用内内存插槽槽。这样样就把内内存难以以安装和和更换的的问题彻彻底解决决了。 在8802886主板板发布之之前,内内存并没没有被世世人所重重视,这这个时候候的内存存是直接接固化在在主板上上,而且且容量只只有644 2256KKB,对对于当时时PC所所运行的的工作程程序来说说,这种种内存的的性能以以及容量量足以满满足当时时软件程程序的处处理需要
3、要。不过过随着软软件程序序和新一一代8002866硬件平平台的出出现,程程序和硬硬件对内内存性能能提出了了更高要要求,为为了提高高速度并并扩大容容量,内内存必须须以独立立的封装装形式出出现,因因而诞生生了“内内存条”概念。 在8802886主板板刚推出出的时候候,内存存条采用用了SIIMM(Sinnglee Inn-liineMMemoory Moddulees,单单边接触触内存模模组)接接口,容容量为330piin、 2566kb,必须是是由8 片数据据位和11 片校校验位组组成1 个baank,正因如如此,我我们见到到的300pinn SIIMM一一般是四四条一起起使用。自19982年年P
4、C进进入民用用市场一一直到现现在,搭搭配8002866处理器器的300pinn SIIMM 内存是是内存领领域的开开山鼻祖祖。 随后后,在119888 119900 年当当中,PPC 技技术迎来来另一个个发展高高峰,也也就是3386和和4866时代,此时CCPU 已经向向16bbit 发展,所以330piin SSIMMM 内存存再也无无法满足足需求,其较低低的内存存带宽已已经成为为急待解解决的瓶瓶颈,所所以此时时72ppin SIMMM 内内存出现现了,772piin SSIMMM支持332biit快速速页模式式内存,内存带带宽得以以大幅度度提升。72ppin SIMMM内存存单条容容量一般
5、般为5112KBB 22MB,而且仅仅要求两两条同时时使用,由于其其与300pinn SIIMM 内存无无法兼容容,因此此这个时时候PCC业界毅毅然将330piin SSIMMM 内存存淘汰出出局了。 EDDO DDRAMM(Exxtenndedd Daate Outt RAAM 外外扩充数数据模式式存储器器)内存存,这是是19991 年年到19995 年之间间盛行的的内存条条,EDDO DDRAMM同FPPM DDRAMM(Faast Pagge MModee RAAM 快快速页面面模式存存储器)极其相相似,它它取消了了扩展数数据输出出内存与与传输内内存两个个存储周周期之间间的时间间间隔,在
6、把数数据发送送给CPPU 的的同时去去访问下下一个页页面,故故而速度度要比普普通DRRAM快快1530%。工作作电压为为一般为为5V,带宽332biit,速速度在440nss以上,其主要要应用在在当时的的 4886及早早期的PPenttiumm电脑上上。 在119911 年到到19995 年年中,让让我们看看到一个个尴尬的的情况,那就是是这几年年内存技技术发展展比较缓缓慢,几几乎停滞滞不前,所以我我们看到到此时EEDO DRAAM有772 ppin和和1688 piin并存存的情况况,事实实上EDDO 内内存也属属于722pinn SIIMM 内存的的范畴,不过它它采用了了全新的的寻址方方式。
7、EEDO 在成本本和容量量上有所所突破,凭借着着制作工工艺的飞飞速发展展,此时时单条EEDO 内存的的容量已已经达到到4 16MMB 。由于PPenttiumm及更高高级别的的CPUU数据总总线宽度度都是664biit甚至至更高,所以EEDO DRAAM与FFPM DRAAM都必必须成对对使用。 SDDRAMM时代 自Inntell Ceelerron系系列以及及AMDD K66处理器器以及相相关的主主板芯片片组推出出后,EEDO DRAAM内存存性能再再也无法法满足需需要了,内存技技术必须须彻底得得到个革革新才能能满足新新一代CCPU架架构的需需求,此此时内存存开始进进入比较较经典的的SDR
8、RAM时时代。 第一一代SDDRAMM 内存存为PCC66 规范,但很快快由于IInteel 和和AMDD的频率率之争将将CPUU外频提提升到了了1000MHzz,所以以PC666内存存很快就就被PCC1000内存取取代,接接着1333MHHz 外外频的PPIIII以及KK7时代代的来临临,PCC1333规范也也以相同同的方式式进一步步提升SSDRAAM 的的整体性性能,带带宽提高高到1GGB/ssec以以上。由由于SDDRAMM 的带带宽为664biit,正正好对应应CPUU 的664biit 数数据总线线宽度,因此它它只需要要一条内内存便可可工作,便捷性性进一步步提高。在性能能方面,由于其
9、其输入输输出信号号保持与与系统外外频同步步,因此此速度明明显超越越EDOO 内存存。 不可可否认的的是,SSDRAAM 内内存由早早期的666MHHz,发发展后来来的1000MHHz、1133MMHz,尽管没没能彻底底解决内内存带宽宽的瓶颈颈问题,但此时时CPUU超频已已经成为为DIYY用户永永恒的话话题,所所以不少少用户将将品牌好好的PCC1000品牌内内存超频频到1333MHHz使用用以获得得CPUU超频成成功,值值得一提提的是,为了方方便一些些超频用用户需求求,市场场上出现现了一些些PC1150、PC1166规规范的内内存。 尽管管SDRRAM PC1133内内存的带带宽可提提高带宽宽到
10、10064MMB/SS,加上上Inttel已已经开始始着手最最新的PPenttiumm 4计计划,所所以SDDRAMM PCC1333内存不不能满足足日后的的发展需需求,此此时,IInteel为了了达到独独占市场场的目的的,与RRambbus联联合在PPC市场场推广RRambbus DRAAM内存存(称为为RDRRAM内内存)。与SDDRAMM不同的的是,其其采用了了新一代代高速简简单内存存架构,基于一一种类RRISCC(Reeducced Insstruuctiion Sett Coompuutinng,精精简指令令集计算算机)理理论,这这个理论论可以减减少数据据的复杂杂性,使使得整个个系统
11、性性能得到到提高。 在AAMD与与Inttel的的竞争中中,这个个时候是是属于频频率竞备备时代,所以这这个时候候CPUU的主频频在不断断提升,Inttel为为了盖过过AMDD,推出出高频PPenttiumm以及PPenttiumm 4 处理器器,因此此Rammbuss DRRAM内内存是被被Inttel看看着是未未来自己己的竞争争杀手锏锏,Raambuus DDRAMM内存以以高时钟钟频率来来简化每每个时钟钟周期的的数据量量,因此此内存带带宽相当当出色,如PCC 10066 10666 MMHz 32 bitts带宽宽可达到到4.22G BBytee/seec,RRambbus DRAAM曾一
12、一度被认认为是PPenttiumm 4 的绝配配。 尽管管如此,Rammbuss RDDRAMM 内存存生不逢逢时,后后来依然然要被更更高速度度的DDDR“掠掠夺”其其宝座地地位,在在当时,PC6600、PC7700的的Rammbuss RDDRAMM 内存存因出现现Inttel8820 芯片组组“失误误事件”、PCC8000 Raambuus RRDRAAM因成成本过高高而让PPenttiumm 4平平台高高高在上,无法获获得大众众用户拥拥戴,种种种问题题让Raambuus RRDRAAM胎死死腹中,Rammbuss曾希望望具有更更高频率率的PCC10666 规规范RDDRAMM来力挽挽狂澜
13、,但最终终也是拜拜倒在DDDR 内存面面前。 DDDR时代代 DDDR SSDRAAM(DDoubble Datta RRatee SDDRAMM)简称称DDRR,也就就是“双双倍速率率SDRRAM”的意思思。DDDR可以以说是SSDRAAM的升升级版本本, DDDR在在时钟信信号上升升沿与下下降沿各各传输一一次数据据,这使使得DDDR的数数据传输输速度为为传统SSDRAAM的两两倍。由由于仅多多采用了了下降缘缘信号,因此并并不会造造成能耗耗增加。至于定定址与控控制信号号则与传传统SDDRAMM相同,仅在时时钟上升升缘传输输。 DDDR 内内存是作作为一种种在性能能与成本本之间折折中的解解决方
14、案案,其目目的是迅迅速建立立起牢固固的市场场空间,继而一一步步在在频率上上高歌猛猛进,最最终弥补补内存带带宽上的的不足。第一代代 DDDR2000 规规范并没没有得到到普及,第二代代PC2266 DDRR SRRAM(1333MHzz时钟2倍数数据传输输2666MHHz带宽宽)是由由PC1133 SDRRAM内内存所衍衍生出的的,它将将DDRR 内存存带向第第一个高高潮,目目前还有有不少赛赛扬和AAMD K7处处理器都都在采用用DDRR2666规格的的内存,其后来来的DDDR3333内存存也属于于一种过过度,而而DDRR4000内存成成为目前前的主流流平台选选配,双双通道DDDR4400 内存
15、已已经成为为8000FSBB处理器器搭配的的基本标标准,随随后的DDDR5533 规范则则成为超超频用户户的选择择对象。 DDDR2时时代 随着着CPUU 性能能不断提提高,我我们对内内存性能能的要求求也逐步步升级。不可否否认,紧紧紧依高高频率提提升带宽宽的DDDR迟早早会力不不从心,因此JJEDEEC 组组织很早早就开始始酝酿DDDR22 标准准,加上上LGAA7755接口的的9155/9225以及及最新的的9455等新平平台开始始对DDDR2内内存的支支持,所所以DDDR2内内存将开开始演义义内存领领域的今今天。 DDDR2 能够在在1000MHzz 的发发信频率率基础上上提供每每插脚最最
16、少4000MBB/s 的带宽宽,而且且其接口口将运行行于1.8V 电压上上,从而而进一步步降低发发热量,以便提提高频率率。此外外,DDDR2 将融入入CASS、OCCD、OODT 等新性性能指标标和中断断指令,提升内内存带宽宽的利用用率。从从JEDDEC组组织者阐阐述的DDDR22标准来来看,针针对PCC等市场场的DDDR2内内存将拥拥有4000、5533、 6667MHHz等不不同的时时钟频率率。高端端的DDDR2内内存将拥拥有8000、110000MHzz两种频频率。DDDR-II内内存将采采用2000-、2200-、2240-针脚的的FBGGA封装装形式。最初的的DDRR2内存存将采用用
17、0.113微米米的生产产工艺,内存颗颗粒的电电压为11.8VV,容量量密度为为5122MB。 内存存技术在在20005年将将会毫无无悬念,SDRRAM为为代表的的静态内内存在五五年内不不会普及及。QBBM与 RDRRAM内内存也难难以挽回回颓势,因此DDDR与与DDRR2共存存时代将将是铁定定的事实实。 PCC-1000的“接班人人”除了了PC一一1333以外,VCMM(ViirXuual Chaanneel MMemoory)也是很很重 要的的一员。VCMM即“虚虚拟通道道存储器器”,这这也是目目前大多多数较新新的芯片片组支持持的一种种内存标标准,VVCM内内存主要要根据由由NECC公司开开
18、发的一一种“缓缓存式DDRAMM”技术术制造而而成,它它集成了了“通道道缓存”,由高高速寄存存器进行行配置和和控制。在实现现高速数数据传输输的同时时,VCCM还维维持着对对传统SSDRAAM的高高度兼容容性,所所以通常常也把VVCM内内存称为为VCMM SDDRAMM。VCCM与SSDRAAM的差差别在于于不论是是否经过过CPUU处理的的数据,都可先先交于VVCM进进行处理理,而普普通的SSDRAAM就只只能处理理经CPPU处理理以后的的数据,所以VVCM要要比SDDRAMM处理数数据的速速度快220以以上。目目前可以以支持VVCM SDRRAM的的芯片组组很多,包括:Inttel的的8155
19、E、VVIA的的6944X等。 3RDRRAM Inntell在推出出:PCC-1000后,由于技技术的发发展,PPC-1100内内存的8800MMBss带宽已已经不能能满足需需求,而而PC-1333的带宽宽提高并并不大(10664MBBs),同样样不能满满足日后后的发展展需求。Inttel为为了达到到独占市市场的目目的,与与Rammbuss 公司司联合在在PC市市场推广广Rammbuss DRRAM(DirrecttRammbuss DRRAM)。 Raambuus DDRAMM是:RRambbus公公司最早早提出的的一种内内存规格格,采用用了新一一代高速速简单内内存架构构,基于于一种RRI
20、SCC(Reeducced Insstruuctiion Sett Coompuutinng,精精简指令令集计算算机)理理论,从从而可以以减少数数据的复复杂性,使得整整个系统统性能得得到提高高。Raambuus使用用4000MHzz的166bitt总线,在一个个时钟周周期内,可以在在上升沿沿和下降降沿的同同时传输输数据,这样它它的实际际速度就就为4000MHHz228000MHHz,理理论带宽宽为 (16bbit24400MMHz8)11.6GGBss,相当当于PCC-1000的两两倍。另另外,RRambbus也也可以储储存9bbit字字节,额额外的一一比特是是属于保保留比特特,可能能以后会会作为:ECCC(ErrroIIChheckkingg annd CCorrrecttionn,错误误检查修修正)
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