光刻与刻蚀工艺流程课件

1、光刻、显影工艺简介光刻胶( Photo-resist )概述+PR 和 PR的区别描述光刻工艺的步骤四种对准和曝光系统光刻胶概述高分辨率 High Resolution；高光敏性 High PR Sensitivity精确对准 Precision Alignment光刻胶是TFT制作的基本工艺材料之一：由树脂、感光化合物、溶剂 3 个基本部分组成；具有光化学敏感性：被紫外光、电子束、X射线、电子束等曝光光源照射后，发生光化学反应，溶解度发生变化；+PR & -PRNegative Photo-resist负性光刻胶负胶Positive Photo-resist正性光刻胶正胶曝光后不可溶解曝光后

2、可溶解显影时未曝光的被溶解显影时曝光的被溶解便宜高分辨率+PR & -PR基本原理正胶工艺负胶工艺基板处理涂胶 + 烘烤曝光显影、光刻+PR & -PR 树脂分子结构正胶：曝光时切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以曝光后光刻胶在随后的显影处理中溶解度升高，曝光后溶解度几乎是未曝光时的10倍；更高分辨率（无膨胀现象）在IC制造应用更为普遍；负胶：曝光时树脂聚合体主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体溶解度降低；由于光刻胶膨胀而使分辨率降低；其主溶剂，如二甲苯等会引起环境和安全问题；详细光刻工序基板清洗、烘干 目的：去除污染物、颗粒； 减少针孔和其它缺

3、陷；提高光刻胶黏附性；PR涂布 小尺寸：旋涂； 中大尺寸：丝网印刷&滚轮 Mask制作、曝光 auto CAD / Corel-draw； 小型曝光机：中型曝光机 预烘 110 C ； 坚膜 135 C ； 退胶 NaOH ； 光刻胶涂布-辊涂法 辊涂法主要是利用圆筒滚动的方法来转移光刻胶，如图所示，利用辊筒1和辊筒2的转动将光刻胶转移在刻有精细凹槽的辊筒2上，再通过辊筒2和辊筒3之间的挤压将辊筒2上凹槽里的光刻胶转移至基片上。这种方法的最大优点是可以实现流水线式运作，自动化程度高，生产效率也比较高。但是转移光刻胶均匀性不好，辊涂后的基片上也容易留下辊筒凹槽的痕迹，而且仪器清洗困难，辊筒也容易

4、损坏，设备的购买成本和维护成本比较高 ；光刻胶涂布-旋转涂布法 旋转涂布也称为甩胶，用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行，是利用高速旋转的离心力作用，将光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉，最终获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制，通常这种方法可以获得优于2%的涂布均匀性（边缘除外）。光刻胶涂布的厚度与转速、时间、胶的特性有关系，此外旋转时产生的气流也会有一定的影响。同时也存在一定的缺陷：气泡、彗星(胶层上存在的一些颗粒)、条纹、边缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。 预 烘（前烘）目的：促使胶膜内溶剂充分地挥发，使胶膜干燥，以提高光刻胶在基片上的粘附性和均匀性，以及提高胶膜的耐磨性而不玷污mask；前烘温度过高或时间太长：会导致光刻胶中的树脂分子发生光聚合或交联，造成显影困难，图形边缘锯齿严重。反之：预烘烤不充分，光刻胶中的溶剂仍会有部分残留在胶膜中，曝光时会导致胶膜与掩膜版粘连，损害掩膜版；同时也影响到显影的质量，光刻胶在显影时容易脱落，光刻图形不完整。 Mask制作 ！ 注意：正图 / 反图 ！ 曝光时间差异a) 、9sb) 、10s (9.36m ) c) 、11s (10.44m )d) 、12s