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文档简介

1、e 1华人民共和国电子行业标准FL 6117SJ 21262-2018MEMS惯性器件芯片在片测试技术要求Technical requirements for MEMS inertial device chip measurement on wafer2018-05-01 实施2018-01 -18 2018-05-01 实施国家国防科技工业局发布SJ 21262-2018SJ 21262-2018SJ 21262-2018SJ 21262-2018本标准由中国电子科技集团公司提出。本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。SJ 21262-

2、2018SJ 21262-2018 b)方法二：幅频特性法。利用动态信号分析仪或扫频仪，对芯片驱动端施加扫频信号，采集芯片 输出信号，得到输出信号的幅频特性曲线，如图6所示，记录幅频特性曲线最高点為对应的谐 振频率么幅值下降3 dB时的两个频率点利A，按照公式(4)计算幅频特性曲线的通频带宽。 =A f(4)式中：通频带宽，单位为赫兹(Hz);A 幅值下降3dB时，对应的幅频特性曲线的高端频率，单位为赫兹(Hz)；fi 幅值下降3dB时，对应的幅频特性曲线的低端频率，单位为赫兹(Hz)。 按照公式(5)计算被测芯片品质因数。式中：品质To谐亨备免梦濃(Hz)； Bw 均赫兹(Hz) o幅频特性

3、法在高误差。5.6. 5.4测试仪器设置I幅频特性法在高误差。5.6. 5.4测试仪器设置I应根据待测芯片测试要求进 扫频点数，扫频信号电压。测试仪器的激励电压、扫频范围，5. 6. 5. 5测试要求同要求。5. 7检验要求5. 7.1测试结束后，将测试结果与产品设计要求进行对比，不符合设计要求的芯片为不合格芯片，对 不合格芯片进行标识。5. 7.2对晶圆进行外观检验，外观应满足5.2.2要求，对外观不合格的芯片进行标识。cooCN-scqlCMPS中华人民共和国cooCN-scqlCMPS电子行业标准MEMS惯性器件芯片在片测试技术要求SJ 21262-2018中国电子技术标准化研究院 编制中国电子技术标准化研究院 发行电话：(010) 64102612 传真：(010) 64102617地址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：www. cesi. cn开本：880X1230 1/16印张：1 字数：24千字2018年5月第一版201

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