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文档简介
1、编辑本段 TTL 电路介绍TTL 电路是晶体管-晶体辑电路的英文缩写(Transister-Transister-Logic ),是数字集成电路的一大门类。它采极型工艺制造,具有高速度和品种多等特点。 从六十年发成功第一代产品以来现有以下几代产品。第一代 TTL 包括 SN54/74 系列,(其中 54 系列工作温度为-55+125,74 系列工作温度为 0+75) ,低功耗系列简称 lttl,高速系列简称 HTTL。第二代 TTL 包括箝位系列(STTL)和低功耗系列(LSTTL)。第三代为采用等平面工艺制造的先进的 STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL(ALSTTL)。由于 LST
2、TL 和 ALSTTL 的电路延时功耗积较小,STTL 和 ASTTL 速度很快,因此获得了广泛的应用。各类 TTL 门电路的基本性能:编辑本段 TTL 电路分类电路类型 TTL 数字集成电路约有 400 多个品种,大致可以分为以下几类:门电路译/驱动器触发器TTL 电路介绍 TTL 电路分类特性曲线电压传输特性TTL 电路目录计数器移位寄存器单稳、双稳电路和多谐振荡器加法器、乘法器奇偶校验器码制转换器线驱动器/线多路开关器编辑本段特性曲线电压传输特性TTL 与非门电压传输特性 LSTTL 与非门电压传输特性瞬态特性 由于寄生电容和晶体管载流子的出波形如 右。存在四个时间常数 td,tf,ts
3、 和 tr。延迟时间 td下降时间 tf时间 ts上升时间 tr基本单元“与非门”常用电路形式四管单元 五管单元 六管单元主要封装形式双列直插扁平封装效应的存在,输入和输TTL 反相器工作原理,请参照数字电子技术基础第四版 高等教育,电子教研室 主编的 P53 页电路图1、当 Vi=Ve1=0.2v 时 T1 导通,这时 Vb1 被钳制到 0.2+0.7=0.9v,由于 T1 导通,故 Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于 Vb20.7v,所以 T2 导通,侧 Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb40.7v,所以 T4 导通,由于 T2 的导通导致 T3 的基极 Vb3 被钳制到
4、 0V,所以 T3 截止;所以 Vo 输出为低电平。另外由于 T4 的导通,并且发射极接地,反过来有影响到 T4 的基极被钳制到 Vb4=0v+0.7v=0.7v,同样 T2 导通所以 T2 的基极 Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同样 T1 导通 Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。S 电路和区别和TTL 电路是晶体管-晶体辑电路的英文缩写(Transister-Transister-Logic),是数字集成电路的一大门类。它采极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点。CMOS 是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)
5、结构的晶体管简称 MOS 晶体管,有 P型 MOS 管和 N 型 MOS 管之分。由MOS 管的集成电路称为 MOS 集成电路,而由 PMOS 管和 NMOS 管共同的互补型 MOS集成电路即为 CMOS-IC(Complementary MOSegrated Circuit)。CMOS 集成电路的性能特点:微功耗CMOS 电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。高噪声容限CMOS 电路的噪声容限一般在 40%电源电压以上。宽工作电压范围CMOS 电路的电源电压一般为 1.518 伏。高逻辑摆幅CMOS 电路输出高、低电平的幅度达到全电为 VDD,逻辑“0”为 VSS。高输入阻抗-CMOS
6、电路的输入阻抗大于 108,一般可达 1010。出能力-CMOS 电路的扇出能力大于 50。低输入电容-CMOS 电路的输入电容一般不大于 5PF。宽工作温度范围陶瓷封装的 CMOS 电路工作温度范围为- 55 0C 125 0C;塑封的 CMOS 电路为 40 0C 85 0C。1、TTL 电平:2.4V,输出低电平=2.0V,输入低电平=0.8V,噪声容限是 0.4V。2、CMOS 电平:1 逻辑电平电压接近于电源电压,0 逻辑电平接近于 0V。而且具有很宽的噪声容限。TTL 和 COMS 电路比较:1)TTL 电路是电流控制器件,而 coms 电路是电压控制器件。2)TTL 电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS 电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS 电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,集越热,这是正常现象。3)COMS 电路的锁定效应:COMS 电路由于输入太大的电流,的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS 的电流能达到 40mA 以上,很容易烧毁。防御措施:在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。的电源输入端加去耦电路,防止 VDD 端出现瞬间的高压。在 VDD
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