实验05实验报告

1、四、实验五-霍尔式传感器实验1:宣流激励时霍尔式传感器位移特性实验实验目的了解霍尔式传感器原理与应用。实验原理根据霍尔效应，霍尔电势UH=KHIB，当霍尔元件处在梯度磁场中运动时，它的电势会 发生变化，利用这一性质可以进行位移测量。实验器械主机箱、测微头、霍尔传感器、霍尔传感器实验模板、移相器/相敏检波器/低通滤波 器模板、双线示波器。实验接线图图5-1霍尔传感器直流激励）位移实验接线示意图五、实验数据记录和数据处理实验数据如下：X为测微头移动距离，Vol为输出电压幅值。-：. 1-2. -2.6-2.4-3.2-3.0-12-2. a-.1-2.2-3120-3100-3030-2960-2

2、870-27S0-2650-2500-2310-2110X：.IL.LJ-1.6-L. 4-1.2-1.0-0.8-o. s-l.-l-0.2Vr (nV-KjO-1530-1350-E-980-o-630-部-2880.00.20.40.60.9LO1.2L41.61. BVlIr10S5221740157Q754924109012701450: II 1;:.:i2.42.62.S3.03.23.43.6a. 80Vr： 3；:FlIf二；.浮24F；.诲；.次i位移嘛h电丘物线-3fl-M-10疝L0ZJO3。-2HXJ-SOM阙微头位移(ee)由图像可见当测微头位移范围在3mm以内时，

3、位移-输出电压曲线基本可视作一条直 线，当测微头位移量超过3mm后，位移-输出电压曲线开始出现较大偏差。当测微头 位移范围为士2mm时，直线拟合方程为y=875.05x-123.05。当测微头位移范围为士4mm 时，直线拟合方程为y=835.97x-133.07灵敏度和非线性误差：当测微头总位移量为2mm时，灵敏度为875.05 (V/m),非线性误差为0.542%当测微头总位移量为4mm时，灵敏度为835.97 (V/m),非线性误差为5.919%六、实验思考题本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化？实验中霍尔元件位移的线性度反映了系统灵敏度的变化。当线性度较大时，说明此时系

4、 统的灵敏度较之前已经发生较大改变，位移-输出电压曲线的非线性进一步增大实验2 ：交流激励时霍尔式传感器位移特性实验一、实验目的了解交流激励时霍尔式传感器的特性。二、实验原理:交流激励时霍尔式传感器与直流激励一样，基本工作原理相同，不同之处是测量电路。三、实验器械主机箱、测微头、霍尔传感器、霍尔传感器实验模板、移相器/相敏检波器/低通滤波 器模板、双线示波器。四、实验接线图图5-2交流激励时霍尔传感器位移实验接线图五、实验数据记录和数据处理实验数据如下：X为测微头移动距离，Vol为输出电压幅值。xM：.l0.4o.eO.S1.01.21.41.61.3VaKiiV)105.700MM213.0

5、00267.000325.000325.000383.0004il,000X(nnj2.42.62.S3.03.23.43.63.S4/ValfiiV)701.000773.00034B.000924.0001(B5. Olflimo(w1175. Olfl13Q6.0(i)1353.000-0.4-0.6-0.B-1.0-1.2-1.4-1.6-1.BVolfiiV)-97.-152.000-S04 000-258.000-315.000-368.000-422.000-476.000 xM-I.：-2.4-2.6-2.8-3.0-3.2-3.4-3.6-3.8:Vai(nV)-603.000-&60.000-37.000-fl颁-731.00