华工教育2020年模拟电子技术随堂练习参考答案

1、模拟电子技术随堂练习参考答案.（单选题）N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。A.带负电 B.带正电 C.不带电答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：C问题解析：.（单选题）将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。A.变窄 B.变宽 C.不变答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：B问题解析：.（单选题）二极管的死区电压随环境温度的升高而（）。A.增大 B.不变 C.减小答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：C问题解析：.（单选题）电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V 的电路是（）。答题：

2、 A. B. C. D.（已提交）参考答案：C 问题解析:.（单选题）电路如图所示，D1 , D2均为理想二极管，设 U1=10V, ui=40sintV,则输出电用O应为（）A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为40VD.最大值为10V,最小值为0V答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：D问题解析：.（单选题）稳压管的动态电阻rZ是指（）。A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：B问题解析：.（

3、单选题）在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是 （）A.PNP管的集电极 B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极 D.NPN管的基极答题： A. B. C. D.（已提交）问题解析:.（单选题）已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V ,VB=-1.4V ,VC=5V，则该管类型为（）A.NPN型错管 B.PNP型错管C.NPN型硅管 D.PNP型硅管答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：A问题解析：.（单选题）如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（）。A.反向 B.近似等于零C.不变 D.增大答题： A. B. C. D.

4、（已提交）参考答案：B问题解析：.（单选题）晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：C问题解析：3.（单选题）晶体管的电流放大系数是指（）。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：B 问题解析：4.（单选题）低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（）。线 300门川军空A. 0.占3000+26 m”p. N答题： A. B. C

5、. D.（已提交）参考答案：B问题解析：.（单选题）某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻 RC,根据图中的数据判断该管处在（A.截止状态B.放大状态C.饱和状态答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：B问题解析：.（单选题）某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管4 .兀=6丫F-!124fiS1 口 心答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：.（单选题）已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为（）。A.0V B. +2V C. -2V D. -1V答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：C问题解析：.（单选题）已知某场效应管的漏