模电练习题2021-第1章试题及答案

1、模电练习题2021-第1章试题及答案纯净的半导体称为本征半导体。判断题对错（正确答案）自由电子带负电，空穴带正电。判断题对（正确答案）错自由电子是载流子，空穴不是。判断题对错（正确答案）本征半导体导电性能很差。判断题对（正确答案）错在半导体内部，只有自由电子是载流子。判断题对错（正确答案）在P型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。判断题对（正确答案）错P型半导体带正电，N型半导体带负电。判断题对错（正确答案）在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。判断题对（正确答案）错与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。判断题对（正确答案）错因电场作用所产生的运动称为扩散运动。判断题对

2、错（正确答案）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。判断题对（正确答案）错在PN结中，P区的电势比N区高。判断题对错（正确答案）当PN结外加反向电压时，扩散电流大于漂移电流。判断题对错（正确答案）PN结具有单向导电性，施加正向电压时处于导通，施加反向电压时处于截止，其导通电流的方向由P区流向N区。判断题对（正确答案）错在PN结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从P区到N区。判断题对（正确答案）错漂移运动方向是从N区到P区。判断题对（正确答案）错PN结形成后，参与扩散运动的载流子数量大于参与漂移运动的载流子数量判断题对错（正确答案）PN结外加正向电压变化时，结电容近似为扩散电容。判断题对（正确

3、答案）错PN结的单向导电性与外加电压频率无关。判断题对错（正确答案）结电容是常量。判断题对错（正确答案）本征半导体在温度升高后（）单选题自由电子和空穴数目都不变自由电子和空穴数目都增加且增量相同（正确答案）在杂质半导体中，温度变化时，（）单选题载流子的数目变化（正确答案）少子与多子变化的数目不相同少子与多子浓度的变化相同N型半导体中多数载流子是（）单选题空穴自由电子（正确答案）内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（）单选题P型半导体N型半导体本征半导体（正确答案）下列半导体材料热敏特性突出的是（）单选题本征半导体（正确答案）P型半导体N型半导体半导体获得广泛应用的原因是（）单选题半导体的电

4、阻介于导体与绝缘体之间半导体可以制作成非常纯净的晶体半导体可以通过掺杂工艺制成N型半导体和P型半导体半导体具有热敏性、光敏性和特殊的掺杂特性（正确答案）本征半导体中，自由电子和空穴的数目（）单选题相等（正确答案）自由电子比空穴的数目多自由电子比空穴的数目少P型半导体的空穴数目多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）单选题负电正电电中性（正确答案）PN结加正向电压时，空间电荷区将（）单选题变窄（正确答案）基本不变变宽当PN结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目（）漂移运动的载流子数目。单选题大于等于（正确答案）小于PN结外加反向电压变化时，结电容近似为（）单选题势垒电容（正确答案）扩散电容

5、关于PN结，下列说法中正确的是：（）单选题其内电场方向是由P区指向N区其内电场能够阻挡少子的漂移运动PN结又叫做阻挡层是因为该区有阻挡扩散运动的作用（正确答案）PN结又叫做耗尽层是因为在该区没有任何载流子关于PN结的导电，下列叙述不正确的是：（）单选题PN结加的正向电压够大时，多子的扩散比少子的漂移占优势PN结加反向电压时，少子的漂移比多子的扩散占优势PN结不外加电压时，少子的漂移与多子的扩散达到动态平衡要给PN结加正向电压，P区一侧应接低电位，N区一侧应接高电位（正确答案）点接触型比面接触型二极管的结电容面积小，因此其最高工作频率低。判断题对错（正确答案）普通二极管是由PN结引出电极封装而成

6、的。判断题对（正确答案）错二极管只能通过直流电，不能通过交流电。判断题对错（正确答案）一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。判断题对错（正确答案）晶体二极管击穿后立即烧毁。判断题对错（正确答案）理想二极管模型在直流电路分析中误差很大，因此不能使用。判断题对错（正确答案）若在直流电路中硅二极管导通，则其导通电压均可认为0.7V。判断题对错（正确答案）二极管交流等效电路参数与其静态参数无关。判断题对错（正确答案）二极管存在最高工作频率是因为PN结有电容效应。判断题对（正确答案）错（1）、（2）、（3）三个二极管的正、反向特性如下所示，从单向导电性来评价，你认为哪一个二极管最好（）

7、单选题加0.6V正向电压时的电流：1mA；加10V反向电压时的电流：IpA加0.6V正向电压时的电流：5mA；加10V反向电压时的电流：0.1pA（正确答案）加0.6V正向电压时的电流：10mA；加10V反向电压时的电流：1mA（1）、（2）、（3）三个二极管的正、反向特性如下所示，从单向导电性来评价，你认为哪一个二极管最差（）单选题加0.6V正向电压时的电流：1mA；加10V反向电压时的电流：1pA加0.6V正向电压时的电流：5mA；加10V反向电压时的电流：O.lpA加0.6V正向电压时的电流：10mA；加10V反向电压时的电流：1mA（正确答案）普通小功率硅二极管的正向导通压降约为（B）

8、，反向电流一般（C）；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为（C），反向电流一般（）单选题0.10.3V0.60.8V小于1pA大于1pA（正确答案）在如图所示的电路中，当V增大时，则I（A）；当V保持不变且温度升高时，则I（A）；当V从-40V变化到-10V时，则I的数值（）。单选题增大不变减小（正确答案）设二极管导通电压UD二0.7V,图中所示电路的输出电压值分别为UO1=(C),UO2=(A),UO3=()。单选题0V2V1.3V-1.3V（正确答案）如果二极管正反向电阻都很小，则该二极管（）单选题正常已被击穿（正确答案）内部短路关于PN结的导电，下列叙述不正确的是（）单选题PN结加的正向

9、电压够大时，多子的扩散比少子的漂移占优势PN结加反向电压时，少子的漂移比多子的扩散占优势PN结加正向电压时，P区一侧应接高电位，N区一侧应接低电位PN结加反向电压时，P区一侧应接高电位，N区一侧应接低电位（正确答案）如果一个二极管的阳极的电位是5V,阴极的电位是3V,那么该二极管（）单选题正向导通（正确答案）截止击穿下面的A、B、C、D四个电路图中，稳压二极管Z1和Z2的稳压值分别是8.5V和5.5V，正向电压降都是0.5V；输入电源的电压是15V，限流电阻合适，输出电压为9V的电路是：（）AB（正确答案）CDA,:极管导通，34.71s右图电路中，若二极管为硅管，贝（）B,止，口加c：极管导

10、通，t/nn3.5rrc-:|；单选题ABCD（正确答案）DA乩二极俗导通，B.二极管截止,匚二极曽导通，D.二极曽截止,A（正确答案）图5电路中，若二极管为硅管，则：（）U质H4-7卩%口5口3.3J7单选题当硅二极管加上0.3伏正向电压时，该二极管的状态是（）单选题正向导通（正确答案）截止放大稳压管两端的电压变化量与通过电流的变化量之比称作稳压管的动态电阻。稳压性能良好的稳压管的动态电阻值（）单选题较大较小（正确答案）不定用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻值很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的（）单选题正极负极（正确答案）不能确定电路如图所

11、示，ui=0.1sinet（V当直流电源电压V增大时二极管UD的动态电VD-KL1riv阻rd将（）单选题增大减小（正确答案）保持不变由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以使用时不能互换。判断对（正确答案）错晶体三极管的基区比较薄并且多子浓度很低。判断题对（正确答案）错三极管的发射极和集电极可以互换使用。判断题对错（正确答案）三极管的极间反向饱和电流越小越好。判断题对（正确答案）错晶体三极管饱和时，发射结和集电结都是反偏的。判断题对错（正确答案）晶体三极管的集基反向饱和电流ICBO受温度的影响大，是衡量三极管质量好坏的重要参数。判断题对（正确答案）错集基反向饱和电流ICBO较大的晶体三

12、极管，其穿透电流必然较大。判断题对错（正确答案）无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。判断题对错（正确答案）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。判断题对错（正确答案）晶体管在工作时有多子和少子两种载流子参与导电。判断题对（正确答案）错在选用晶体管时，一般希望ICEO尽量大。判断题对错（正确答案）理想晶体管工作在放大状态时，集电极电流是基极电流的0倍。判断题对（正确答案）错对于小功率晶体管，UCE大于IV时的一条输入特性曲线可以取代UCE大于IV的所有输入特性曲线。判断题对（正确答案）错对（正确答案）输出特性曲线描述基

13、极电流为一常数时，集电极电流与管压降之间的函数关系。判断题对（正确答案）错从输出特性可以看出，晶体管的0处处相等。判断题对错（正确答案）晶体管有饱和、放大、截止三个工作区。判断题对（正确答案）错锗管比硅管的特性受温度的影响小。判断题对错（正确答案）只要晶体管的功耗不超过集电极最大耗散功率，它就不会损坏。判断题对错（正确答案）对于理想的晶体管，其共射直流电流放大系数和共射交流电流放大系数相等判断题对（正确答案）错晶体管的管压降UCE增大到一定程度会被击穿。判断题错使晶体管失去电流放大能力的信号频率为特征频率fT。判断题对（正确答案）错为了使更多的电子通过基区到达集电区，晶体管的基区做得最薄，掺杂

14、浓度最小，且集电结面积最大。判断题对（正确答案）错晶体三极管的_值越大，放大能力越强，但在选用晶体三极管时，并不是判断题对（正确答案）错NPN和PNP型晶体管的区别取决于（）单选题所用半导体材料不同掺杂元素的不同掺杂浓度的不同前者基区是P区，而后者基区是N区（正确答案）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）单选题前者反偏、后者也反偏前者正偏、后者反偏（正确答案）前者正偏、后者也正偏当晶体管工作在放大区时，IE由_A_运动形成，IB由（C）运动形成，IC由（）运动形成。单选题扩散漂移（正确答案）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12yA增大到22yA时，IC从1mA变为2mA,

15、那么它的卩约为（）。单选题8391100（正确答案）电路如图所示，电容C对交流信号可视为短路，交流输入电压有效值Ui二5mV,则输出电压交流分量有效值Uo=吕25Q10kQ()单选题03.3mV(正确答案)1mV-1mV随着温度升高，晶体管的电流放大系数卩（）单选题增大（正确答案）减小不变随着温度升高，穿透电流ICEO（）单选题增大（正确答案）减小不变88随着温度升高，在IB不变的情况下b-e结电压流UBE（）单选题增大减小（正确答案）不变89.随着温度升高，晶体管的正向输入特性曲线将（）单选题上移下移左移（正确答案）右移90.随着温度升高，晶体管的输出特性曲线将（）单选题上移（正确答案）下移

16、左移右移91.随着温度升高，晶体管的输出特性曲线的间隔将（）单选题测得电路中一个NPN型三极管的3个电极电位分别为：UC二6V,UB二3V,UE二2.3V,则可判定该三极管工作在（）单选题截止区饱和区放大区（正确答案）下列关于晶体三极管参数与温度的关系的叙述，错误的是（）单选题温度升高，ICBO增大温度升咼，卩增大温度升高，UBE减小温度升高，ICEO减小（正确答案）三极管的电流放大系数卩，随温度的升高会（）单选题减小增大（正确答案）不变处于放大状态时，加在硅材料三极管的发射结正偏电压为（）单选题0.10.3V0.50.8V（正确答案）0.91.0V1.2V在电路板上测得三极管的发射结电压和集

17、电结电压有以下四种情况，其中是NPN管并处于放大状态的是（）AD2rUCESV&US3Q.7VUCC,D.O.Sf7UCD4J7单选题卩=60,ICEO=20pA（正确答案）BC（正确答案）D在电路板上测得三极管的发射结电压和集电结电压有以下四种情况，其中是PNP管并处于放大状态的是（）a,uCEwb.%皿帀S3UUsl.3G.7VgwD.L肚UDO乜卩UCMV单选题ABCD（正确答案）在晶体三极管放大电路中，测得三极管三个电极对地直流电压分列如下。可以断定，其中NPN锗管是：（）单选题U1=3V,U2=2.3V,U3=9VU1=2.3V,U2=3V，U3=12VU1=8V，U2=14V,U3

18、=13.8VU1=18V，U2=14V，U3=13.8V（正确答案）有四个晶体三极管的ICBO、ICEO、卩各参数数值如下，用来构成放大器时宜选用：（）单选题卩=100,ICB0=2MA卩=50,ICBO=0.5pANPN型硅管（正确答案）卩=100,ICEO=4O|1A三极管是一种（）的半导体器件。单选题电压控制型电流控制型（正确答案）既是电压控制又是电流控制三极管的两个PN结都反偏,则该三极管的状态是（）单选题放大截止（正确答案）饱和从提高三极管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外,工艺上还要采取如下措施中的（）单选题发射区掺杂浓度高，集电结面积小发射区掺杂浓度高，集

19、电结面积大（正确答案）发射区掺杂浓度低，集电结面积小发射区掺杂浓度低，集电结面积大晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（）单选题随IB增加而增加（正确答案）随IB增加而减小与IB无关在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是（）单选题NPN型锗管PNP型硅管晶体三极管的发射结正偏，集电极反偏时，则晶体三极管所处的状态是（）单选题放大状态（正确答案）饱和状态截止状态晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）单选题发射结为反向偏置集电结为正向偏置始终工作在放大区（正确答案）实验中测得一个三极管各极对地电压如下：Ub=1.36V

20、,Ue=0.69V,Uc=1.35V,则正确的是（）单选题晶体管是PNP管，处于饱和状态晶体管是NPN管，处于饱和状态（正确答案）晶体管是PNP管，处于放大状态晶体管是NPN管，处于截止状态四个晶体三极管的ICBO、ICEO、卩各参数数值如下，用来构成放大器时宜选用：（）单选题卩=60,ICBO=2pA卩=100,ICBO=lpA卩=60,ICEO=20pA卩=100,ICEO=20pA（正确答案）N沟道结型场效应管的漏极和源极互换使用，特性变化不大。判断题对（正确答案）错场效应管工作在恒流区的条件是uGS大于UGS（off）并且uGD小于UGS（off）。判断题对错（正确答案）结型场效应管的

21、uGS可以控制导电沟道的宽度。判断题对（正确答案）错N沟道结型场效应管工作在恒流区时要求uGS0。判断题对错（正确答案）场效应管的转移特性曲线是指iD与uGS之间的函数关系特性曲线。判断题对错（正确答案）N沟道结型场效应管输出特性的预夹断轨迹由uGD=UGS（off）的点组成。判断题对（正确答案）错当uGS小于UGS（off）时，N沟道结型场效应管工作在夹断区（截止区）判断题错（正确答案）对（正确答案）错当N沟道结型场效应管工作在可变电阻区时，iD几乎仅决定于uGS。判断题对错（正确答案）场效应管的输出特性曲线是指当uGS为常量时，iD与uDS之间的函数关系特性曲线。判断题对（正确答案）错当u

22、GS增大到uGS（th）时，N沟道增强型MOS管形成导电沟道。判断题对（正确答案）错当uGD二uGS（th）时，增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。判断题对（正确答案）错增强型MOS管在uGS0、uGS0、uGS0、uGS=0时均可工作在恒流区。判断题对（正确答案）错结型场效应管在uGS=0时不存在导电沟道；判断题对错（正确答案）增强型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道；判断题对（正确答案）错耗尽型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道；判断题对错（正确答案）结型场效应管只有当g-s反偏时，g-s间等效电阻才很大；判断题对（正确答案）错耗尽型MOS管g-s间等效电阻与g-s所加电压的极性无关。判断题对（正确答案）错场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。判断题对（正确答案）错场效应管放大器与晶体三极管放大器比较，最显著的特点是场效应管放大器的输入电阻比晶体三极管放大器的输入电阻大得多。判断题对（正确答案）错构成放大器时，结型场效应管输入端的PN结必须反偏，晶体三极管输入端的PN结必须正偏。判断题对（正确答案）错结型场效应管放大器是工作在预夹断之后的饱和区。晶体三极管放大器则工作在放大区。判断题对（正确答案）错场效应管的三个工作区域为（）单选题截止区、放大区、可变电阻区截止区、恒流区、