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文档简介
1、企业级Flash 与 SSD技术介绍技术创新,变革未来What is Flash Obviously, The Flash we are talking about here is not an Player.Here, Flash is short for Flash MemoryFlash memory is an electronic non- volatile computer storage media that can be electrically erased and reprogrammed.Introduced by Toshiba in 1984What is Flash
2、 Flash Memory uses Floating-gate(FG) transistorCategorized by the types of FG:NOR(或非门) FlashNAND(与非门) FlashToday, When we talk about Flash, mostly it refers to NAND Flash.NOR Flash 可以字节读取, 但是擦除很慢Flash Cell Flash 媒介中存储信息的最小单元 (NAND Flash)但是不是人类对Flash 媒介可进行 原子操作的最小单元.(NAND Flash)Flash Cell Flash Cell
3、SLC: Single-Level Cell 一个逻辑 门存储1bit 数据(0,1)MLC:Multi-Level Cell 一个逻辑 门存储2bit数据(00,01,10,11)TLC:Triple-Level Cell, And you got the idea.Flash Cell Flash Media 组织结构 从小到大CellPage/页 (8KB到16KB数据组成一页,不是Cell数量,目前 用的最多的是16KB的)Block/块 (256512页组成一擦除块,48MB)Die/Lun/芯片 (10244096个块组成一个芯片,4GB16GB)Package/封装 (48芯片组
4、成一个封装, 16GB128GB)Flash Media 组织结构 Flash Media 原子操作 Read/读, 检测晶体管导通状态,导通为0,非导通为原子操作单元Page/页(16KB) 4080usWrite/Program/写,对控制门加电压,电子通过隧 道效应进入浮栅极(One Way). 原子操作单元:Page/页(16KB) 0.52msErase/擦除, 一个已经被Program的Page, 在被重 新Program之前需要被擦除(Dirty-Clear),对浮栅 极进行放电. 原子操作单元:Block/块(4MB) 14msFlash Media 原子操作空Its me视线
5、 Flash Media 原子操作满 Flash Media 原子操作放水 Cell 失效放水水锈 Cell 失效满水锈 Cell 失效满水锈 Cell 失效满水锈 Flash Cell 失效 在Erase过程中,由于*效应,浮栅极与硅基层之 间的绝缘层的绝缘能力逐渐下降(水锈)很多次的Erase的积累会导致绝缘能力持续下降进而导致Cell 不能有效储存电荷Cell失效从一个新的Cell到Cell完全失效,Cell被Erase的 次数Flash P/E Cycle (Program/Erase)Flash Cell 失效 MLC典型P/E Cycle:5000次P/E Cycle 决定Flas
6、h Media 的寿命.注意P/E Cycle,不决定Flash存储产品的寿 命(WA,WL)对Flash Media进行读操作不影响Flash Media的寿命Flash 数据持久性满涓涓细流 Flash 数据持久性空涓涓细流 Flash 数据持久性 由于存在浮栅极与基极之间的漏电效应如果Flash长期不加电,浮栅极中的电荷会 逐渐减少.减少到阈值之下,会发生数据错误.新的 P/E Cycle=010年寿命殆尽的 P/E Cycle 接近5000的 3个 月Flash 数据持久性 由于存在浮栅极与基极之间的漏电效应如果Flash长期不加电,浮栅极中的电荷会 逐渐减少.减少到阈值之下,会发生数
7、据错误.新的 P/E Cycle=010年寿命殆尽的 P/E Cycle 接近5000的 3个 月Flash 数据持久性 没事U盘往电脑上插一下没事U盘往电脑上插一下没事U盘往电脑上插一下重要事情说三遍Flash 产品简介 SSD is short for Solid State DiskFlash Media 是一种很不稳定的存储媒介Dont Panic!做Flash 产品其实是在做Flash Media管 理软件Driver/FW(主控)Flash 产品简介 SSD is short for Solid State DiskFlash Media 是一种很不稳定的存储媒介Dont Pani
8、c!做Flash 产品其实是在做Flash Media管 理软件Driver/FW(主控)Flash 产品简介 FTL: Flash Translation Layer由Intel 提出Mapping Table + Flash Media管理物理地址与逻辑地址的映射表操作系统看到的是逻辑地址(从硬件的 角度来看)Flash 产品简介 FTL,RAID,OP,GC,WL Mapping Table一个大的数组,存储地址之间的影 射关系存储在DRAM中为了保证速度要有持久化机制FTL,RAID,OP,GC,WL 数据保护RAIDFTL,RAID,GC,WL FTL,RAID,OP,GC,WL O
9、P过量提供OP目的, 保证Flash产品可运行, 更好的性能 与更好的寿命GC, WL垃圾回收与磨损均衡垃圾回收目的,保证性能磨损均衡目的,保证寿命A1A2A3A4B1B2B3B4C1C2C3C4D1D2D3D4LBAPBA1A12A23A34A45B16B27B38B49C110C211C312C4OverProvisionpageblockPhysical Capacity = 16page User Capacity = 12pageOP = 25%FTL(Flash Translation Layer)Simple SSDA1A2A3A4B1B2B3B4C1C2D1D2D3D4LBAP
10、BAData1A1xa2A2xb3A3xc4A4xd5B1xe6B2xf7B3xg8B4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlxaxbxcxdxexfxgxhxiC3xjC4xkxlWhole Disk WriteA1A2A3A4B1B2B3B4C1C2D1D2D3D4LBAPBAData1A1-D1xa -ya2A2xb3A3xc4A4xd5B1xe6B2xf7B3xg8B4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlyaxexfxgxhxiC3xjC4xkxlxaxbxcxdLBA 1 xa - yaA1A2A3A4B1B2B3B4C1C2D1D2D3D4LBAPBADa
11、ta1D1ya2A2-D2xb-yb3A3xc4A4xd5B1xe6B2xf7B3xg8B4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlyaxexfxgxhxiC3xjC4xkxlxaxbxcxdybLBA 2 xb - ybA1A2A3A4B1B2B3B4C1C2C3C4D1D2D3D4LBAPBAData1D1ya2D2yb3A3-D3xc-yc4A4xd5B1xe6B2xf7B3xg8B4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlyaxexfxgxhxixjxkxlxaxbxcxdybycLBA 3xc - ycA1A2A3A4B1B2B3B4C1C2C3C4D1D2D3D
12、4LBAPBAData1D1ya2D2yb3D3yc4A4xd5B1xe6B2xf7B3xg8B4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlyaxexfxgxhxixjxkxlxaxbxcxdybycLBA 5 xe - yeLBA 5 xe - yeA1A2A3A4B1B2B3B4C1C2D1D2D3D4LBAPBAData1D1ya2D2yb3D3yc4A4xd5B1-D4xe-ye6B2xf7B3xg8B4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlyaxexfxgxhxiC3xjC4xkxlxaxbxcxdybycyeOP空间内至少要有一个free blockLBA 5
13、xe - ye (error)A1A2A3A4B1B2B3B4C1C2C3C4D1D2D3D4LBAPBAData1D1ya2D2yb3D3yc4A4-D4xd5B1xe6B2xf7B3xg8B4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlyaxexfxgxhxixjxkxlxaxbxcxdybycxd54321life(A)=5 life(B)=5 life(C)=5 life(D)=5543215432154321Garbage CollectionA1A2B1B2B3B4C1C2C3C4D1D2D3D4LBAPBAData1D1ya2D2yb3D3yc4D4xd5B1xe6B2xf
14、7B3xg8B4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlyaxexfxgxhxixjxkxlybycxd4321life(A)=4 life(B)=5 life(C)=5 life(D)=5543215432154321OverA3ProvisionA4Garbage CollectionGC是制造free block的过程A1A2A3A4B1B2B3B4C1C2C3C4D1D2D3D4LBAPBAData1D1ya2D2yb3D3yc4D4xd5B1-A1xe-ye6B2xf7B3xg8B4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlyaxexfxgxhxixjxkxlyby
15、cxd4321life(A)=4 life(B)=5 life(C)=5 life(D)=5yeHost write = 16 pageFlash write = 17 page= 1.0625 (Write Amplifier)543215432154321LBA 5 xe - yeA1A2A3A4B1B2B3B4C1C2C3C4D1D2D3D4LBAPBAData1D1ya2D2yb3D3yc4D4xd5A1ye6B2-A2xf7B3-A3xg8B4-A4xh9C1xi10C2xj11C3xk12C4xlyaxexfxgxhxixjyb4321ye543215432154321xfxgycxdxklife(A)=4life(B)=5life(C)=5 life(D)=5xlxhLBA 1 ya - zaLBA 1 ya - zaA1ycxdxklife(A)=4life(B)
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