MaskAlignerMIDAS中国专业光刻机课件

1、光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 匀胶机 /旋涂仪(Spin coater)MIDAS Systems Co., Ltd.公 司 介 绍第1页，共17页。槪要介绍MIDAS SYSYEM主要研发和生产光罩光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)和匀胶机(Spin Coater)设备。应用领域涉及：半导体、平板显示、MEMS、生物元器件、纳米技术等光刻机/紫外曝光机是我司在韩国首度研发和商品化的产品，目前在不懈地开发完善中，为企业垫定了坚实的技术基础。产品遍及半导体研究和生产、 平板显示研究和生产、MEMS工序研究及MEMS应用商品生产、生物芯片研究及纳米技术研究领域。第

2、2页，共17页。企业槪要公司名Midas System Co.,LtdLee Gon Cheol1998. 10. 18总经理建立时间589, Yongsan-dong, Yuseong-gu, Daejeon, Korea地址+82 42 930 7620http:/www.aligner.co.kr电话网页第3页，共17页。企业历史发展期 2005.09 取得装有空气轴承的光罩对准曝光机之实用创新设计(第2005-0021754号)专利厅2005.10 取得Backside光罩对准曝光机专利(第2004-0007190号)专利厅2005.11 注册高度技术同伴项目风险企业(第0515240

3、32-2-0336号)中小企业厅2006.09 认定为技术革新型中小企业(INNO-BIZ A级)中小企业厅长(第6051-1929号) 2006.12 取得ISO 9001:2001 / KS A 9001:2001半导体设备和产业设备设计、制造、开发Certificate2008.02. 研发提供200/300mm Wafer/probe card用光刻机/紫外曝光机2009.05 取得MDA-400M CE认证 2010. 06 “自动对准曝光机操作/控制程序”注册程序建立初期1998.10 MIDAS SYSYEM单独成立1999.05 半导体电极型传感器制造技术 之专利技术转让09

4、取得企业附设研究所认证2001.06 韩国首度研发和商品化Wafer用光刻机/紫外曝光机2002.12 注册研发投资风险企业2004.07 位于大德科技谷的公司办公楼兼工厂新建竣工稳定&腾飞期2011.07 500mm大型光罩对准曝光机研发交货2011.07 取得MDA-60MS CE认证2011.10 含LED光源冷却模块的曝光机取得专利(第10- 1076193号)专利厅2011.12 搭载紫外线LED模块的光罩对准曝光机申请专利2012.06 开发MDA-400LJ、MDA-150新型号。第4页，共17页。组织图CEO常务董事韩国营销国外营销会计人事、总务采购生产顾客支持营销部管理部技术

5、总部研究所设计质量经营第5页，共17页。光刻机/紫外曝光机是执行半导体显示屏等工艺中的光刻工艺系统,目的是在晶圆片上形成多种类物质的图案.具体体现的系统是在样品晶圆片上涂抹光刻胶后利用带图案的掩膜板,当光透过掩膜板照射到光刻胶上时，光刻胶会发生反应.之后进行显影和刻蚀最终得到想要图案.光刻机/紫外曝光机第6页，共17页。手动对准& 手动曝光半自动对准& 自动曝光手动对准& 自动曝光型号光刻机/紫外曝光机MDA-400SMDA-60MS MDA-80SA/12SA 手动对准& 手动曝光MDA-400M第7页，共17页。技术规格光刻机/紫外曝光机 MDA-400MMDA-400SMDA-60MSM

6、DA-80SA/12SA基底Up to 4” SubstrateUp to 6” SubstrateUp to 6 / 8” SubstrateUp to 8 / 12” Substrate光源功率 350W 350W 1 kW / 2 kW2kW / 5kW分辨率 1um (Thin PRSi Wafer)1um (Thin PRSi Wafer)1um (Thin PRSi Wafer)1um ( Thin PRSi Wafer )对准精度1um1um 1um 1um 光束均匀性3% 3%5%5%最大光束尺寸4.254.25 inch6.256.25 inch8.258.25 inch10

7、.2510.25 inch14.2514.25 inch光束强度 Max. 30mW/cm2 (365nm)Max. 30mW/cm2 (365nm)Max. 25mW/cm2 (365nm)Max. 25mW/cm2 (365nm)模型项目第8页，共17页。全自动光刻机/紫外曝光机型号全自动对准& 自动曝光全自动对准& 自动曝光MDA-40FAMDA-12FA第9页，共17页。技术规格光刻机/紫外曝光机 MDA-40FAMDA-80FAMDA-12FA基底Up to 4” SubstrateUp to 8” SubstrateUp to 12” Substrate光源功率 350W 2 kW

8、2 kW / 5 kW分辨率 1um (Thin PRSi Wafer)1um (Thin PRSi Wafer)1um (Thin PRSi Wafer)对准精度1um1um 1um 光束均匀性3%5%5%最大光束尺寸6.256.25 inch10.2510.25 inch14.2514.25 inch光束强度 Max. 25mW/cm2 (365nm)Max. 25mW/cm2 (365nm)Max. 25mW/cm2 (365nm)模型项目第10页，共17页。简单的操作模式图像抓取和保存数据传输操作用个人电脑 存储 能力 : 100 Recipes 数据记录: 历史管理 全屏和分屏半自动

9、 : PC控制手动 操作模式设定 : 保养 模式软件光刻机/紫外曝光机第11页，共17页。匀胶机是光刻工艺制作薄膜方法中使用最广泛的设备在需要涂抹的样品表面滴上光刻胶,在离心力的作用下，样品表面旋涂，制作出均匀的薄膜. 为了得到均匀的薄膜,根据光刻胶的粘稠度使用正确的配方旋涂.(如许多步骤的转速与加速度设定)匀胶机 /旋涂仪第12页，共17页。型号匀胶机 /旋涂仪手动匀胶&单片衬底手动匀胶&单片衬底手动匀胶&单片衬底Spin-1200D/TSpin-3000D/ASPIN-3000T大尺寸匀胶 & 定制SPIN-5000A第13页，共17页。型号匀胶机 /旋涂仪 SPIN-1200D/TSPI

10、N-3000DSPIN-3000ASPIN-3000TSPIN-5000A基底尺寸 Up to 4 ” SubstrateUp to 6” SubstrateUp to 6 / 8” SubstrateUp to 8 / 12” Substrate大尺寸卡盘旋转速度Max. 7,000 rpmMax. 7,000 rpmMax. 7,000 rpmMax. 7,000 rpmMax. 5,000 rpm增/减速率可调节 (0.1 sec step)可调节 (0.1 sec step)可调节 (0.1 sec step)可调节 (0.1 sec step)可调节 (0.1 sec step)匀胶状态50 Steps / 20 recipes50 Steps / 20 recipes50 Steps / 10 recipes50 Steps / 50 recipes20 Steps / 20 recipes碗腔尺寸8” PP12” STS12” STS12” STS定制选项自动滴胶器自动滴胶器模型项目第14页，共17页。光刻结果AZ 4620THB151NSU-8bumpStacked ChipinterposerBoardn-PadTCOp-GaNn-GaNMQW Ac