昌大无机题库23固体无机化学

1、普化无机试卷（固体无机化学）一、填空题1.(2300)VO(化学计量为 1 : 1)的密度测得值和理论值分别为 5.92 gcm-3 和 6.49gcm-3，证明VO 晶体中存在的缺陷属于。2.(2304)让 10-3 mol 电子通过温度为 165，在两个 Ag 电极之间夹一片AgI(AgI 是 Ag+ 离子导体)，两电极之间施加的电压为 0.1 V 的电解池，阴极、阳极和 AgI 的质量定量变化(Ag 的原子量 108)为。3.(2305)TiO2 在氢气中加热时显蓝色，表明红光被吸收。Ti(IV)还原为 Ti(III)相当于型掺杂。4.(2306)判断下列物质是否可能为 n 型或 p 型

2、半导体：掺As 的 Ge；掺 Ga 的 Ge：。 (2307)砷化镓是一种有用的半导体。将Se 掺入(在 As 的位置上)属于型半导体。(2310)比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小：。5.6.(1)(2)(3)(4)掺 0.1 mg / kg 的 As；掺 0.1mg / kg 的As 和 0.05mg / kg 的Al；掺 0.1 mg / kg 的 As 和 0.1 mg / kg 的Al；掺 1 mg / kg 的Al。7.(2311)下列半导体：(1) ZnO 加热，表面上发生热分解反应，生成的 Zn 向晶体扩散，生成非整比化合物 Zn1+xO，这是型半导体。(2) NiO 在

3、氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是型半导体。8.(2312)实验测得在 1300 时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是 = 常数。10.(2321)下列半导体：(1) 受X 射线辐照过的 KCl 晶体是型；(2) Li0.05Cu0.95O 是型；(3) WO2.999 是型。11.(2322)下列半导体：GaAs 中少量Zn 代替 Ga 是型；InAs 含有稍微过量的 In 是型。二、计算题12.(2320)氧化铁 FexO 中Fe3+/Fe2+ = 0.1，试计算氧化铁晶体中的 x 值。13.(2329)铝为面心立方结构，其晶格参数为 4.049的八面置；(3) 正

4、离子填满八面体结构的交替层；三种情况各产生什22.(2316)从负离子的立方密堆积出发，(1) 正离子填满所有四面置；(2) 正离子填满一半四类型？面置，如T+位置；(3)正离子填满所有的八面置；(4)正离子填满八面置的交替层。说明四种情况的结构类型。23.(2317)MnO、NiO、CoO 等都有正离子八面体配位的立方岩盐结构，CuO 的结构则不同，它包含显著变形的 CuO6 八面体。试解释。24.(2318)锂最稳定的氧化物是体结构的角度解释。Li2O，但铷和铯的过氧化物和超氧化物比简单氧化物稳定，从晶25.(2323)晶体的缺陷浓度为何随温度升高而加大？(2324)下列哪些晶体会显示出压电性？为什么？NaCl，CaF2，CsCl，ZnS(纤锌矿)，NiAs，TiO2( (2325)下列晶体中占优势的缺陷有哪些？26.)27.(1)(2)(3)(4)(5)用MgCl2 掺杂的NaCl；用Y2O3 掺杂的 ZrO2；用YF3 掺杂的 CaF2； 用As 掺杂的 Si；在一种还原气氛中加热过的WO3。28.(2326)预期下列少量杂质对NaCl 晶体的电导率有何影响？简述原因。KClNaBrCaCl2AgClNa2O (2327)29.下列少量杂质对 AgCl 晶体的导电率AgBrZnCl2Ag2O (2328)说明下列尖晶石的磁性行为：(1)