GaN半导体材料综述-功能纳米材料

1、.1GaN半导体材料综述课程名称:纳米功能材料与器件学生:*学院:新材料技术研究院*:*班级:*任课教师:顾有松评分:2021 -12目录 TOC o 1-3 h z u HYPERLINK l _Toc438225880 1前言 PAGEREF _Toc438225880 h 1 HYPERLINK l _Toc438225881 2GaN材料的性能研究 PAGEREF _Toc438225881 h 1 HYPERLINK l _Toc438225882 2.1物理性质 PAGEREF _Toc438225882 h 1 HYPERLINK l _Toc438225883 2.2化学性质

2、PAGEREF _Toc438225883 h 1 HYPERLINK l _Toc438225884 2.3电学性质 PAGEREF _Toc438225884 h 1 HYPERLINK l _Toc438225885 2.4光学性质 PAGEREF _Toc438225885 h 1 HYPERLINK l _Toc438225886 3GaN材料的制备 PAGEREF _Toc438225886 h 1 HYPERLINK l _Toc438225887 3.1金属有机化学气相外延技术(MOCVD) PAGEREF _Toc438225887 h 1 HYPERLINK l _Toc4

3、38225888 3.2分子束外延(MBE) PAGEREF _Toc438225888 h 1 HYPERLINK l _Toc438225889 3.3氢化物气相外延(HVPE) PAGEREF _Toc438225889 h 1 HYPERLINK l _Toc438225890 4GaN材料的器件构建与性能 PAGEREF _Toc438225890 h 1 HYPERLINK l _Toc438225891 4.1GaN基发光二极管(LED) PAGEREF _Toc438225891 h 1 HYPERLINK l _Toc438225892 4.2GaN基激光二极管(LD) PA

4、GEREF _Toc438225892 h 1 HYPERLINK l _Toc438225893 4.3GaN基电子器件 PAGEREF _Toc438225893 h 1 HYPERLINK l _Toc438225894 4.4GaN基紫外光探测器 PAGEREF _Toc438225894 h 1 HYPERLINK l _Toc438225895 5结论 PAGEREF _Toc438225895 h 1 HYPERLINK l _Toc438225896 参考文献 PAGEREF _Toc438225896 h 1.1前言继硅Si引导的第一代半导体和砷化镓GaAs引导的第二代半导体

5、后，以碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌ZnO、金刚石、氮化铝AlN为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步开展壮大。作为第三代半导体的典型代表，GaN材料是一种直接带隙以及宽带隙半导体材料。室温下其禁带宽度为3.4eV，具有高临界击穿电场、高电子漂移速度、高热导、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优良特性，是制作短波长发光器件、光电探测器以及高温、高频、大功率电子器件的理想材料。随着纳米技术的开展，III族氮化物一维纳米构造在发光二极管、场效应晶体管以及太阳能电池领域都具有极大的潜在应用。进入20世纪90年代以后，由于一些关键技术获得突破以及材料生长和器件工艺水平的不断提高,使GaN材料研究空前活泼，

6、GaN基器件开展十分迅速。基于具有优异性质的纳米尺寸材料制造纳米器件是很有意义的，GaN纳米构造特别是纳米线是满足这种要求的一种很有希望的材料1。本论文主要介绍了GaN材料的性能研究、制备方法研究、器件构建与性能三个方面的容，并最后进展了总结性阐述，全面概括了GaN材料的根本容。GaN材料的性能研究物理性质GaN是一种宽带隙半导体材料，在室温下其禁带宽度约为3.4 eV；Ga和N原子之间很强的化学键，使其具有高达1700的熔点；电子漂移饱和速度高，且掺杂浓度对其影响不大；抗辐射、介电常数小、热产生率低和击穿电场高等特点。通常情况下GaN的晶体构造主要为六方纤锌矿构造和立方闪锌矿构造，前者为稳态

7、构造，后者为亚稳态构造，在极端高压情况下也会表现为立方熔盐矿构造2。目前各种器件中使用到的都是六方GaN，其晶体构造如图2-1所示。图2-1 GaN方纤锌矿构造(a)黑色为Ga原子，灰色为N原子；(b)Ga和N原子的成键形式化学性质GaN的化学性质非常稳定，在室温下它既不与水发生反响，也不和酸或碱发生化学反响，但能缓慢地溶解在热的碱性溶液中。由于GaN的稳定性，对其外表进展刻蚀是非常困难的。目前，在工业生产中主要采用等离子体刻蚀的方法对GaN的外表进展处理2。电学性质电学性能是影响光电器件性能的主要因素。非成心掺杂的GaN一般为n型，其载流子浓度约为1014cm31016cm3。如此高的本征载

8、流子浓度曾一度限制了GaN的P型掺杂，给GaN器件的应用带来了困难。到1989年HAmano等人用电子束照射的方式获得了Mg掺杂的P型GaN，才使得GaN器件的应用有了很大的开展。另外，GaN材料具有较高的电子迁移率，适度掺杂的AlGaN/GaN构造电子迁移率更高，而且还具有高的电子漂移速度和较低的介电常数，是制作高频微波器件的重要材料。光学性质GaN为直接宽带隙半导体材料，在室温下其发光波长为365 nm，位于蓝光波段。InN的禁带宽度为0.77 eV，GaN的禁带宽度为3.43 eV，AlN的禁带宽度为6.2 eV，通过在GaN中掺入不同组分的In和Al，GaN基材料的禁带宽度可以实现从0

9、.77eV到6.2 eV的连续变化，其发光波长实现200 nm656nm的连续变化，覆盖了整个可见光区和近紫外光区，所以，非常适合制作各种发光器件，有可能成为太阳能光伏产业的重要材料。GaN材料的制备要研发与制备高质量、高性能的InGaN/GaN器件，首先就要制备出高质量的GaN材料。GaN在高温下分解为Ga和N2，常压下无法融化，只有在2200以上，6GPa以上的N2压力下才能使GaN融化，所以传统直拉法和布里奇曼法都不能用来生长GaN单晶3。至今，GaN材料的获得仍然以异质外延技术生长为主，即通过在其它晶体衬底上实现。近年来，又有出现了一些较为简单的方法，包括磁控溅射、溶胶一凝胶、脉冲激光

10、沉积和电泳沉积等。在GaN材料的外延生长方面，应用最广泛的外延生长技术主要有：金属有机化学气相外延技术(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)4。下面对这三种生长技术作简要概述。金属有机化学气相外延技术(MOCVD)金属有机化学气相外延又称为金属有机气相外延(MOVPE)，是一种利用有机金属热分解反响进展气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术，是在薄膜生长的众多技术中最经常运用的技术之一，是目前生长族氮化物多层构造最主流的方法，也是目前唯一能制备出高亮度氮化物发光二极管并用于规模化商业生产的生长技术。该方法以三甲基镓(TMGa)为有机镓源，氨气为氮源并以H2和N2或者这种两

11、种气体的混合气体为载体，将反响物载入反响腔并在一定温度下发生反响，生成相应薄膜材料的分子团，在衬底外表上吸附、成核、生长，最后形成所需的外延层。此外，该沉积系统不需要超高真空，反响室可以扩展且设备维护简单，己被广泛应用于大面积、多片GaN外延片的工业生产中。MOCVD法外延GaN的技术已经被广泛应用并局部实现产业化，但是仍存在一些制约因。首先，MOCVD设备本身价格非常昂贵，生产所使用的原料价格也非常昂贵且毒性大；其次，同HVPE一样需要较高温度使氨气发生解离，这就容易引起薄膜出现氮空位、碳污染以及应力，从而影响薄膜的质量5。分子束外延(MBE)分子束外延(MBE)是一种实验室常用的生长III

12、族氮化物的传统方法，但其开展远落后于MOCVD技术，目前还处于开展的前期阶段。图3-1为MBE生长的简单示意图6。在高真空环境中反响物以分子束或者原子束的形式直接射到衬底上，经过氮化反响，生长具有一定趋向性的GaN薄膜。目前，采用MBE技术生长GaN材料主要有两种方法，其一为气源分子束外延(GSMBE)，以单质金属Ga为Ga源，NH3为N源，在衬底外表发生化学反响形成GaN。这种方法的优点是生长温度较低，但较低的温度同样也会带来不利的影响，NH3的分解率很低导致与Ga源的反响速率很慢，产物局部子移动性较差，晶体薄膜的质量不好。其二是金属有机分子束外延(MOMBE)，以三甲基镓为Ga源以等离子体

13、或离子源产生的N束流为N源，在衬底上形成GaN。这种方法解决了在低温条件下NH3的分解率低的问题，获得的GaN薄膜的晶体质量较好。图3-1 MBE系统示意图6MBE与MOCVD相比，它可以在较低温度下(500-800)实现GaN的生长，因此可以选用容易产生热损伤的材料如GaAs、-LiAlO2等作为衬底材料，但由于其生长速率低并且需要极高的真空度，因此不适合应用于工业生产。氢化物气相外延(HVPE)最早被用来进展GaN外延生长的技术是氢化物气相外延(HVPE)技术。在氢化物气相外延技术中，III族源材料使用金属镓，V族源材料使用NH3，载气使用氮气，反响气体是HCl。反响气体和金属镓反响生成G

14、aCl或GaCl3，GaCI与NH3反响生成GaN然后沉积在衬底上。图3-2为HVPE生长的简单示意图。HVPE技术的特点是外延生长速度非常快，薄膜的厚度非常难以准确控制，同时反响后生成的尾气会腐蚀设备，所以该方法比较难以获得高质量的GaN薄膜。经过许多年的研究，人们对HVPE技术进展不断的改进并取得了一定的效果7。图3-2HVPE系统示意图HVPE技术的优势是设备简单，本钱低，生长速率快，可以到达几百微米每小时；利用该方法也能够较容易的实现P型掺杂和n型掺杂；HVPE技术还可以用来生长高质量GaN基激光器材料的同质衬底。但HVPE技术生长异质构造材料比较困难，因此开展比较缓慢。GaN材料的器

15、件构建与性能GaN材料既具有GaAs、InP等材料的高频率特性，又具有SiC的高击穿电压特性，在兼顾器件的频率和功率方面，优于其他材料，应用前景更好。开发GaN器件的主要方向是微波器件，如发光二极管、激光器和紫外探测器等8。另外，良好的衬底绝缘性能和散热性能，有利于制作高温、大功率器件。目前已经成功开发了GaN基MESFET、HEMT、HBT和MOFET等器件9。GaN基发光二极管(LED)由于LED显色性好、体积小、寿命长、响应速度快和高效节能等优点，己广泛应用在光显示、交通信号灯、照明等领域，被称为新一代“绿色光源。随着LED应用的越来越广泛，光显示领域要求其有更好的显色性能，照明领域需要

16、其具有更高的转换效率，极端恶劣环境中的应用要求其具有较好的稳定性等。GaN作为直接跃迁型半导体材料，具有禁带宽度大、电子饱和速率高、击穿电场高、热导率高以及物理化学性质稳定等优点，被认为是制作LED器件的最正确材料。IMSResearch预测分析，在LED电视、显示屏和普通照明领域，GaN蓝/绿LED的市场份额将快速增长。图4-1 GaN多量子阱蓝色发光二极管构造示意图图4-1为GaN多量子阱蓝色发光二极管构造示意图。为了提高LED的发光效率和纯度，目前人们主要采用多量子阱构造作为发光区。2021年Q.Dail1等人采用InGaN/GaN多量子阱构造的LED，其位错密度只有5.3108cm-2

17、，量子效率高达64。目前商业生产中的LED均采用多量子阱构造。随着LED技术的不断开展和各国政策的大力支持，LED将会有巨大的市场前景。GaN基激光二极管(LD)在研究更高效GaN基蓝、绿光LED的同时，蓝光LD器件的开发也成为研究的重点，在信息的高密度光存储领域的应用较其它的激光器有着明显的优势，其存储密度能够到达1Gbs/cm2。日本Nichia公司在1996年先后实现了在室温条件下电注入GaN基LD脉冲和连续工作；Cree-Research公司最先实现了SiC上横向器件构造的蓝光激光器;富士通在此根底上成功研制了可在室温下连续激射的InGaN蓝光LD，为GaN基蓝光LD的大规模应用提供了

18、有力的技术支持。GaN基蓝光LD的开发，使激光点径缩小40左右，提高存储容量至少4倍以上。由于蓝光LD的市场潜力极大，许多大公司和研究机构都纷纷参加到开发GaN蓝光LD的行列中。此外，蓝光LD在水下光通信、探测器、激光打印、材料加工和环境污染监控等领域同样具有广阔的应用前景。GaN基电子器件GaN具有热导率高、击穿电场高、载流子浓度高等优良性能，可以被用来制作微波高频器件及大功率高温电子器件。同GaAs器件相比，GaN的功率密度是其10倍。目前，随着MBE、MOCVD等外延技术的开展，通过生长多种GaN异质构造己成功开发GaN基MESFET、MODFET、HFET等场效应晶体管，在航空、石油勘

19、探、自动化、通信等领域必将发挥着不可或缺的重要作用。GaN基紫外光探测器与SiC、金刚石等半导体材料相比，GaN应用于紫外光探测器有诸多优势，如较高的量子效率、信号陡峭、噪声低、边带可调等优势，从而可以很好的提高紫外光探测的灵敏度；GaN作为直接带隙可调的III族氮化物，在365 nm紫外光波段有很敏锐的截止响应特征，在制作器件时可以降低对滤波器的要求;同时GaN基紫外光探测器在200-400 nm的波段能够实现对太阳盲区的紫外光探测，并且不受长波辐射的影响。因此GaN基紫外光探测器被广泛应用于空间通讯、臭氧监测、水银灯消毒监控、污染监测、激光探测器和火焰传感等方面。结论本文对GaN材料进展了

20、系统的介绍，对GaN材料的有了进一步的认识与了解。GaN材料的制备方法是丰富多样的，每种方法都有各自的优点和局限。GaN具有非常稳定的物理性质和化学性质，其良好的电学性质使得它非常适合制作各种发光器件，有可能成为太阳能光伏产业的重要材料。它因其光学特性而被广泛的用来制作发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。在器件方面，还有GaN基电子器件、GaN基紫外光探测器等。总之，随着计算材料科学的不断完善和实验技术的不断改进，GaN材料的研究必将取得更大的突破，在照明、显示、光探测、信息存储、航空航天等诸多领域的应用将会更加广泛。参考文献1庆. GaN纳米线的制备及特性研究D. 电子科技大学, 2021.2 翟化松. GaN及其掺杂材料的合成与性能研究D. 理工大学, 2021.3 任孟德, 建新, 王金