模拟电路基础参考课件蔡老师模电作业第1章

1、模拟电子技术基础第一章 常用半导体器件作业评讲2009.10.29二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅度。1.3 电路如图P1.3所示，已知 解题思路与分析：D1、D2导通电压D1：3.7V;D2:-3.7V解题过程：ui3.7V,D1导通，D2截止， uo钳位在3.7V；ui-3.7V,D1截止，D2导通， uo钳位在-3.7V；-3.7VuiIZM=25mA稳压管将因功耗过大而损耗。=1.5V,正向电流在515mA时才能正常工作。试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？1.7 在图1.7所示电路中，发光二极管导通电压UD分析及解

2、题过程：（1）S闭合时发光二极管才有正向电流，也才有可能发光；（2）发光二极管的正向电流过小将不发光，过大将可能损坏。Rmin=(V-UD)/IDmax233Rmax=(V-UD)/IDmin=700P1.9所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图解题思路与分析：（1）硅管和锗管主要区别：处于放大状态时，硅管发射结电压约为0.7V；锗管发射结电压约为0.2V；（2）电位相差为0.7V或0.2V的两个极分别为发射极和基极，另一极可确定为集电极。（3）NPN与PNP晶体管各极电压区别为：NPN:VcVbVe(集电极电压最高);PNP:Ve

3、VbVc（集电极电压最低）P1.9所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图答案：注意晶体管标准符号的画法T1,T2,T3为硅管，T4,T5,T6为锗管=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳压电压Uz=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问：当uI=0时uo=?当uI=-5V时uo=?1.11 电路如图P1.11所示，晶体管的=50,|UBE|解题思路与分析：先分析稳压管可能处于那种工作状态，PN结反偏：截止和稳压。（uo输出负电压）取决于三极管的工作状态（截止、放大、饱和）。降|UCES|=0.1V;稳压管的稳压电压

4、Uz=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问：当uI=0时uo=?当uI=-5V时uo=?1.11 电路如图P1.11所示，晶体管的=50,|UBE| =0.2V,饱和管压解题过程：当uI=0时，晶体管截止，稳压管击穿，uo=-Uz=-5V;当uI=-5V时,三极管可处于饱和或放大状态。假设三极管处于放大状态。降|UCES|=0.1V;稳压管的稳压电压Uz=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问：当uI=0时uo=?当uI=-5V时uo=?1.11 电路如图P1.11所示，晶体管的=50,|UBE| =0.2V,饱和管压解题过程：故流过Rc上的电流至少24mARc上的压降至少24VVcc所以假

5、设不成立，三极管处于饱和状态，故uo=-0.1V。也可以先假设三极管处于饱和状态，验证IC/IBVsVgN沟道增强型：VdVgVsN沟道耗尽型：Vd最高，Vg可大于也可小于还可等于Vs、的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是那种管子（结型管、增强型MOS管、耗尽型MOS管），并说明、与g、s、d的对应关系。1.13 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极管分别工作在什么区域。1.15 分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应解题思路及分析：判断T为何种类型管子：N沟道增强型MOS管；管分别工作在什么区域。1.15 分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应解

6、题思路及分析：截止区：uGSUGS(th)且uGDuGS-UGS(th)可变电阻区：uGSUGS(th)且uGDUGS(th)(即uDSuGS-UGS(th)关键是从输出特性曲线中得出开启电压UGS(th)。管分别工作在什么区域。1.15 分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应解题过程：根据T的输出特性可知：电路中管子T的开启电压UGS(th）为5V当uI=4V时，uGS=4V, 小于开启电压，故T截止。 当uI8V时，设T工作在恒流区，根据 输出特性可知iD0.6mA，管压降 uDSVDDiDRd10V 因此，uGDuGSuDS2V，小于开启电压,说明假设成立，即T工作在恒流区。 管

7、分别工作在什么区域。1.15 分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应解题过程：当uI12V时，大于开启电压，T可能工作在恒流区或者可变电阻区，设T工作在恒流区，根据 输出特性可知iD4mA，管压降 uDSVDDiDRd-1.2V 0因此，假设不成立，即T工作在可变电阻区。 恒流区。1.16 分析各电路中的场效应管是否有可能工作在解题思路及分析：关键是对各种场效应管夹断开启电压的理解。可以参照教材P49页。(a)图T为N沟道结型场效应管，其夹断电压UGS(off)0,其栅-源电压有可能在UGS(off)0的某值。且VDD有可能使UGD0因为它们的栅极电位均为0，栅-源电压不可能大于UGS(t