存储器设计实验报告

1、实验一：存储器设计、实验日的：1、掌握随机存储器RAM的工作特性及使用方法；2、掌握半导体存储器存储和读写数据的工作原理。、实验电路及其原理：实验电路图12短I1=：一1112：13,.21=：一16A3l=Z15A41=)H四51=：一17A612：18A7!=：一19CPMAR1=):VCCWOTINPUT期叫T，期叫T，IKPOT期典rTiju74273DIQID2Q2D3Q3D4Q4D5Q5D6Q6D7Q7D8Q8CLRNCLK-c35OCTAL D-FFRAO两RA2RA：3RA4RA5RAEiRA7LPM.LPMLPMLPMLPMLPMLPM户口 D R ES S_L： Li NT

2、R 0 L=U N REG I STEF： ED FILE=IND.凸工皓REGISTERED”NUr.ifiiiiLiRD! UTD ATF：EG I STEF： ED”WIDTH= 8WIDTH.凸口= 822,AREIZ：21RDl2：30VRl=Z23RAM-BUSl=Z25CPMDRl=ZWUT期典r期典rTiju期叫T，IKPOT日7,可E&F.EiV阳 ！RDARE ；LPM_RAM_DQ data address inclock q. ijiitclockweQ7.OBLII=135B1l=Z29B2l=Z)28B3l=Z37B4l2：P日51=：一32BE；l=Z31B7!=

3、：；期典r 期叫T， 期叫T， IKPOTINPUT 期典r 期叫T， 53CC 期叫T，：3iULiTPUT . r iipUTP叶茹OUTPUT Lf oFTPUT rf Q0OUTPUf；,芯-四辿二.矣.DIQID2Q2D3Q3D4Q4D5Q5D6Q6D7Q7D8Q8CLRNCLK1 GN1 Al1Y11A21Y21 A31Y31A41Y42GN踣12Y12A22Y22A32Y32A42Y42、设计原理存储器就是选择RAM地址，并对其操作存入数据，在需要时对其读取，并把数据输出到数据总线。实验思路大致为：第一个74273用来接收数据存放在RAM里的地址，即A0.7。当CPMAR 有效时

4、数据进入芯片。当WE=1,RD=0时，RAM进行写操作，接收存储在74273里的数传到地 址端口，同时接收从B0.7输入的数据传到数据端口，把数据写到相应RAM里。当WE=0。RD=1时，RAM进行读操作，把对应存储单元的数据传到第二 个74273，通过74273传到74244芯片输出。三、实验步骤1、根据实验原理在maxplus下连接电路图，对其进行编译。2、根据实验原理设计各个输入端的波形图，对其进行仿真模拟获得输出数据， 仿真波形如下图。四、仿真图-WRE-WRRDRAM-BUS-CPMDRCPMARA7A6A51 A4A3A2l-A11 AOHXXHXXHXXHXXHXX070605-

5、04030201OO偷F RA7.OEl7.O旁:34|Data7.O吐 |Address7.Orarn|data7.O敬 |address7.O说明：RAM在 WRE=1时才工作，为方便起见 WRE置为1 ； 74244在 RAM_BUS=0时工作，为方便起见RAM_BUS置为0。因CPMOR为一个周期变 换一次，为了不浪费存储空间，A0为两倍的周期变换，A1为四周期变换，以此 类推。存储的数据从11H起依次增加。五、实验总结通过本次实验熟练掌握MAX+PLUS软件，并运用该软件设计存储器，了解 了存储器的结构设计和工作原理，并在理解的基础上自己设计了一个简单的存储 器。在之后的波形仿真图模拟时，发现自己不能很好控制各个芯片的片选信号， 不知道如何使各个芯片在合适的时间工作，在经过仔细分析后，设置了上图的波 形图，保证每个存储单元都可以存到数，没有刚开始的浪费现象，数据在各个数 据线之间的传输也正常，存储器的数据输出为两个周期输出一次（这是