半导体设备行业跟踪：科创版标的介质刻蚀龙头中微公司

1、 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark37 o Current Document .中微公司vs.北方华创5 HYPERLINK l bookmark39 o Current Document 产品线一一深耕细作vs.全面布局5客户一一覆盖业内顶尖企业6 HYPERLINK l bookmark57 o Current Document 技术一一优势互补，各有千秋7 HYPERLINK l bookmark61 o Current Document .中微公司9 HYPERLINK l bookmark63 o Current Document 半导体设备领域公

2、认的后起之秀9 HYPERLINK l bookmark14 o Current Document 业绩持续增长，各项财务指标稳健15 HYPERLINK l bookmark18 o Current Document 10亿募投工程，助力公司研发扩产17多项优势稳固行业龙头地位193. 风险提示20及先进封装；MOCVD设备在行业领先客户生产线上大规模投入量产，其中氮化钱基 LED MOCVD设备世界排名前列。10 ：公司成立以来主要产品演变情况2004 年2007年2010年2011 年中微有限设立首台CCP刻蚀设 备产品Primo D- RIE研制成功首台深硅刻蚀设备产品研制成功CCP刻

3、蚀设备产 品 Plinio AD-RIE 刻蚀设备研制成 功2016年末电台ICP刻蚀设备 产品 Primo nanova 研制成功2016年初2013 年2012 年2017年初首台VOC设备产 品研制成功CCP刻蚀设备产 iftPrimo SSC AD- RIE刻蚀设备研制 成功首台MOCVD设 备产品Piismo D-Bhie研制成功2017 年2018 年至今MOCVD设备产 品Piismo A7初步 研制成功MOCVD设备产 品Piismo A7初步 研制成功中微公司第100台 MOCVD Prismo A7反响腔付运里 程碑改进 Piimo AD- RIE并进入511nl生产线继续

4、引领国内半 导体设备和技术 的开展资料来源：公司中微公司招股说明书,介质刻蚀设备：公司主要产品包括电容性等离子体刻蚀设备（CCP）和电感性等离子体 刻蚀设备（ICP）两类。2007年，公司推出首台电容性等离子体刻蚀设备Prim。D-RIE, 到目前为止已成功开发了三代刻蚀设备，分别为双反响台Prim。D-RIE、双反响台Prim。 AD-RIE及其增强型Primo AD-RIE-e和单反响台Primo SSCAD-RIE及其改进版Primo SSC HD-RIE,应用领域涵盖65-7纳米逻辑集成电路制造。ICP刻蚀设备的开发时间较CCP 稍晚。2012年，公司开发出首台电感性等离子体刻蚀设备，

5、到目前为止已成功开发单反 应台Prim。nanova刻蚀设备，主要涵盖14纳米以下微观器件的刻蚀应用。中微公司还 针对集成电路先进封装和MEMS传感器产业开展的市场需求，开发了广泛应用于这些领 域的电感性等离子体深硅刻蚀设备。薄膜沉积设备：MOCVD设备市场有广阔的增长空间，包括红黄光LED、紫外光LED、 功率器件和正在推动显示技术革命的Mini LED、Micro LED等。公司于2013年推出第一 代MOCVD设备Prismo D-Blue,主要应用于蓝绿光LED外延片及功率器件生产； 随后历时4年，2017年公司又推出了第二代设备一一Prismo A7,该设备的每个反响腔 都可独立控制

6、，双区喷淋头可实现更好的厚度和组分均匀性，反响腔的产量比前一代设备 的提升2倍以上。目前公司正着力开发第三代更大尺寸设备。VOC设备：公司的第一台VOC设备问世于2016年。该设备的特点是采用机电一体化、 半导体等级的人机防护，具有独特的在线浓度监测功能，能远程实时管理和智能控制，并 可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供可靠、稳定、平安和节能的VOC净化 解决方案。2 ：主要产品情况产品分类产品类别图示应用领域主要应用于集成电路制造 中氧化硅、氮化硅及低介电 系数膜层等电介质材料的 刻蚀电容性等离子体刻蚀设备刻蚀设备电感性等离 子体刻蚀设 备主要应用于在集成电路制 造中单晶硅、多晶

7、硅等材料 的刻蚀主要应用于CMOS图像传 感器、2.5D芯片、3D芯片 和芯片切割等通孔及沟槽 的刻蚀MOCVD设备MOCVD 设备主要应用于LED外延片及 功率器件生产其他设备主要应用于平板显示生产 线等工业用的空气净化资料来源：中微公司招股说明书, 市场份额刻蚀设备全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，泛林半导体、东京电子、应用材料占据主要市场份额。11 ：2017年全球刻蚀设备市场份额情况其他,6%应用材料:泛林半导体, 55%东京电子: 20%资料来源：The Information Network,公司在国内刻蚀设备市场中有突出市场竞争力，近期两家国内知名存储芯片制造企业采 购的刻蚀设备台数

8、订单份额情况如下：企业A的刻蚀设备订单份额（台数占比）企业B的刻蚀设备订单份额（台数占比）其他8%泛林半导体,53%其他,2%24%资料来源：中国国际招标网,资料来源：中国国际招标网,公开资料显示，公司的等离子刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从45纳米到7纳米工 艺的芯片加工制造；硅通孔刻蚀设备已被我国TSV/CIS/MEMS刻蚀机市场所有的先进封 装企业选用，国内市场占有率超过50%,并已开始进入国际市场。公司与台积电已经完 成了 7nm、10nm芯片介质刻蚀设备的订单，5nm刻蚀设备也于近期通过认证，即将进入 量产阶段，同时公司的介质刻蚀设备还占据了中芯国际50%以上新增采购额。此外，近

9、 期公司自主研发的芯片硅刻蚀设备也已进入客户验证阶段，实现批量生产指日可待。MOCVD设备：2017年以前，MOCVD设备主要由维易科和爱思强两家国际厂商垄断。2017年以来，中微公司的MOCVD设备逐步打破上述企业的垄断。根据IHS Markit的统 计，2018年公司在全球氮化像基LED MOCVD设备市场占据主导地位。公司自主研发的 MOCVD设备已被三安光电、华灿光电、乾照光电等多家一流LED制造厂商大批量采购， 国内市场占有率达70%,成为全球MOCVD设备领域的两强之一；第二代Primo A7 MOCVD设备，在国内已经全面取代德国Aixtron和美国Veeco的设备，占市场的80

10、%。2.2业绩持续增长，各项财务指标稳健财务分析营业收入高速增长，营运营业收入高速增长，营运标有望提前实现：公司营业收入主要来源于主营业务收入。2017年度、2018年度公司主营业务收入增长率分别为59.41%、68.66%,年均复合增长率达64.00%o公司营业收入快速增长主要受益于两个方面的原因：一是宏观行也层面,全球半导体产能向中国大陆转移及半导体行业需求不断增长是公司收入快速增长的前提 和基础；二是公司基本面层面，持续研发投入和新产品的不断推出及优质的客户资源和 良好的市场品牌是公司收入快速增长的重要保障。受益于公司营业收入的持续增长，2017 年公司营业利润和净利润首次由负转正，扭亏

11、为盈，2018年度经营业绩继续保持良好增 长的态势。中微公司CEO曾于2017年披露公司长远营运目标：全力挺进2020年实现20 亿元销售目标，并力争2050年到达50亿元跻身国际前五大半导体设备供应商。我们预 计，随着公司业务规模的扩大，公司业绩有望继续保持高速增长，提前实现业绩目标。15 ：2016.2018营业收入、营业利润和净利润14 ：2016.2018主营业务收入2016年度2017年度2( 8年度营业收入/亿 YOY/%201510度22017年度2018年度营业收入/亿营业利润/亿 净利润/亿资料来源：中微公司招股说明书,资料来源：中微公司招股说明书,资料来源：中微公司招股说明

12、书,综合毛利率有所下降，符合预期：公司根据下游客户的产业和市场环境、技术路径、工 艺要求等，对不同的产品实施不同的销售策略以保持市场竞争力。公司刻蚀设备下游客 户主要是集成电路制造商、半导体封测厂商，定制化程度高，综合毛利率较高。公司的 MOCVD设备的下游客户主要是LED芯片制造商，标准化程度相对较高，综合毛利率相对 较低。2016-2018年度，公司主营业务毛利率有所下降，分别为42.52%、38.59%和35.50%。其 中,2017年公司主营业务毛利率下降3.93%,主要系2017年刻蚀设备毛利率降低所致；2018 年公司主营业务毛利率下降3.09%,主要系公司为进一步扩大市场份额和提

13、升销售额，策 略性地降低MOCVD设备产品销售价格，从而导致MOCVD设备毛利率下降了 11.79%。同 时，2018年公司的刻蚀设备由于技术附加值较高，致使毛利率从上涨至47.52%,从而一定程 度上补偿了 MOCVD设备导致的毛利率下降，最终主营业务毛利率下降不大。工程2018年度2017年度2016年度毛利率收入占比毛利率收入占比毛利率收入占比专用设备34.91%85.29%38.23%84.99%42.92%80.07%其中：刻蚀设备47.52%34.51%38.37%29.74%43.13%77.17%MOCVD26.33%50.77%38.13%54.58%33.82%2.56%备

14、品备件37.28%13.83%39.15%13.87%40.06%19.02%设备维护65.16%0.88%58.23%1.13%58.25%0.91%主营业务毛利率35.50%100.00%38.59%100.00%42.52%100.00%资料来源：中微公司招股说明书,：3 ：2016-2018公司主营业务毛利率变动比照同行业可比公司，如应用材料、泛林半导体、东京电子和维易科等企业近3年毛利 率，除2018年外，公司主营业务毛利率仍处于行业内平均水平。行业可比公司毛利率水平资料来源：中微公司招股说明书,公司名称2018财年2017财年2016财年应用材料45.31%44.93%41.67%

15、泛林半导体-46.63%44.97%东京电子-40.30%42.01%维易科35.74%38.02%39.96%爱思强43.76%32.12%28.64%北方华创-36.59%39.73%均值41.60%39.76%39.50%中微公司35.50%38.59%42.52%经营国赃流I旗正值，新结蒯磨：2016-2018年，公司经营性现金流净额分别为-1.02、 -1.50和2.61亿元。2018年，公司经营性净现金流首次实现由负转正，主要原因是公司销售 规模扩大，预收账款增加，应收账款回款。目前，公司资产质量、流动性良好偿债能力 较强，盈利能力增强，研发投入的资源为公司可持续开展提供了保障。2

16、016-2018年，公 司的流动比率分别为。46、1.04和212,速动比率分别为0.26、0.51和1.19。公司资产 和负债结构改善，流动、速动比率逐年提高。经营指标全面向好。2016-2018主营业务毛利率情况17 ：201G2018经营活动现金流净额和流动/速动比率资料来源：中微公司招股说明书,3.00经营活动产生的现金流量净额/亿流动比率速动比率资料来源：中微公司招股说明书,主营业务收入构成与分析 公司主营业务收入按产品分为专用设备、备品备件和设备维护，2016-2018年度，公司专 用设备收入均占比80%以上且呈逐年增长态势，主要系公司业务规模的扩大。公司专用 设备主要为刻蚀设备和

17、MOCVD设备。2016-2018年度，公司刻蚀设备、MOCVD设备的 合计销售收入分别为48,593.68万元、81,927.81万元和139,767.14万元，占专用设备销售 收入的比例分别为99.57%、9921%和100.00%。公司其他设备收入为VOC设备的销售 收入。专用设备收入构成：工程刻蚀设备2018年度2017年度2016年度金额占比金额占比金额占比56560.8540.47%28896.2634.99%47036.196.38%同比/%95.7%15.7%-38.6%-63.7%MOCVD设备83206.2959.53%53031.5664.22%1557.583.19%同

18、比/%56.9%-7.3%3304.7%1913.2%其他设备-652.810.79%210.260.43%同比/%210.5%83.7%合计139767.14100.00%82580.62100.00%48803.93100.00%资料来源：中微公司招股说明书,刻蚀设备销售收入和集成电路制造商新建或扩张产能的投资强度、投资节奏和建设周期 关联性较强，因行业下游厂商集中度较高，公司销售收入会因少数客户资本性支出规划 的变化而出现波动。2017年度，受少数客户资本性支出消减的影响，公司刻蚀设备销量 下滑导致收入同比下降38.6%； 2018年度，中国大陆集成电路制造商投资持续大幅增长， 公司重点

19、加大在中国大陆市场的销售力度，刻蚀设备的销售数量回升带动收入同比增长 95.7%,呈现出快速增长趋势。10亿募投工程，助力公司研发扩产募投项募投项介绍：公司发行股票所募资金拟投资于高端半导体设备扩产升级工程、技术 研发中心建设升级工程和补充流动资金，拟使用募集资金总额100,156.18万元。预计项 目顺利实施后将显著提升公司自主研发能力、科技成果转化能力，切实增强公司技术水平, 进而提升产品质量和性能，满足下游市场快速增长的需求，有效提升公司的核心竞争力 和行业地位。序号募集资金运用方向工程金额/万元总投资额/万元拟投入募集资金1高端半导体设备扩 产升级工程建设装修1,620.0040,05

20、8.9640,000.00硬件投资 软件投资31,228.50175.00预备费1,000.00铺底流动资金6,035.462技术研发中心建设 升级工程建设投资 硬件设备投资5,255.0030,326.0140,097.2240,000.00软件系统投资480.50募集资金使用安排：资料来源：中微公司招股说明书,铺底流动资金4,035.713补充流动资金-20,000.0020,000.00合计-100,156.18100,000.00高端半导体设备扩产升级工程：主要用于扩大公司核心半导体设备产品刻蚀设备和 MOCVD设备的生产能力及在相关领域的应用。公司拟使用发行的局部募集资金用于以 下三

21、个工程：1）高端刻蚀设备扩产升级（包括Primo AD-RIE、Primo SSC HD-RIE和 Primo nanova等）；2）高端MOCVD设备扩产升级（包括高产能蓝绿光LED MOCVD、 高温MOCVD硅基氮化线功率应用MOCVD、基于LED显示应用的MOCVD设备 等）；3）配套建设施工（包括洁净室改造、新增组装测试工位改造以及仓储设施改造）。技术研发中心建设升级项：主要用于改建升级现有的技术研发中心办公楼与研发实验室，完善公司技术研发中心软硬件设备配置，引进优秀的技术人才，对行业前瞻性技术 进行研究开发，储藏工程所需的核心原材料，强化公司核心竞争力。公司拟使用发行的 局部募集资

22、金用于以下四个工程：1）先进刻蚀设备研发（包括先进逻辑电路的CCP刻 蚀设备、用于存储器的CCP刻蚀设备及更先进的14-7纳米ICP刻蚀设备等）；2）先进 MOCVD设备研发（包括下一代高产能蓝绿光LED MOCVD Alpha机、基于下一代硅基 氮化线功率应用MOCVD试验平台、基于Mini LED显示应用的MOCVD试验平台、基 于Micro LED显示应用的新型MOCVD试验平台等）；3）配套建设施工（包括新增实验 室、洁净室扩建、新增设备用房以及新增测试工位）；4）新技术课题的研发。补充流动资金：主要用于优化财务结构，满足现有研发投入和生产销售的资金需求，部 分资金还将用于补充其他与主

23、营业务相关的营运资金。募投工程时间周期和进度安排序号工程名称序号工程名称时间周期和时间进度高端半导体设备扩产升级工程技术研发中心建设升级工程本工程建设期为2年零6个月，分如下五个阶段工作实施：第一阶段为研究与设计阶段，历时3个月，主要是完成工程可行性研 究及规划、初步设计、施工图设计；第二阶段为厂房改建和装修阶段，历时6个月，主要工作为生产车间 生产设施及配套生产设施的改建、装修；第三阶段为设备采购阶段，历时9个月，主要是设备采购、施工安装， 以及软件采购及安装、调试等；第四阶段为人员招聘及培训阶段，主要是生产人员及相关岗位人员招 聘、完成相应培训，可与第三阶段同时进行；第五阶段为设备调试、试

24、产阶段，历时12个月，主要是工程投产准备、 工程试运营投产等。本工程建设期2年，计划分三个阶段实施完成，计划进度安排如下： 第一阶段为工程施工阶段，本阶段主要任务是研发中心装修及实验室 等配套工程施工，历时6个月；第二阶段为设备采购及施工安装阶段，本阶段的主要工作是进行公用 系统安装，空调净化装修，各输配系统工艺管道的安装；此外本阶段 将完成工程设备的采购、招投标等相关工作，历时1年；第三阶段为设备调试、试运行阶段，本阶段是在施工全部完毕后，进 行设备调试、单机设备验证、系统调试及系统验证，历时6个月。资料来源：中微公司招股说明书,多项优势稳固行业龙头地位行业资深创始人和国际化的研究团队公司的

25、创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有35年行业经验， 是国际等离子体刻蚀技术开展和产业化的重要推动者。他曾供职于英特尔和泛林半导体的 核心技术部门，从事核心技术和重点产品的开发，还曾担任应用材料高级管理职务，是 一位高级技术管理型复合人才。此外，尹志尧博士还是89项美国专利和200多项其他海内 外专利的主要创造人，在美国VLSI Research的全球评比中与英特尔董事长、格罗方德 CEO一起被评为2018年国际半导体产业十大领军明星（All Stars）。截至2019年2月，公司 拥有研发及工程技术人员381名，占公司员工总数的58.35%,组成了一支专业功底深厚、 经验

26、丰富、专业互补的国际化人才研发团队，致力于刻蚀设备及MOCVD设备等领域的核 心技术研发工作，为公司持续创新和研发提供后备力量。研发投入逐年增长，科技成果丰富自成立以来，公司一直专注于刻蚀设备和MOCVD设备的自主研发和创新。2016-2018 年，公司研发投入逐年增加，累计研发投入到达10.37亿元，占营业收入的比重平均为 32%o公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2019年2月28日，公司已申请1,201 项专利，已获授权专利951项，其中创造专利800项。公司先后承当了五个国家科技发 展重大专项研发工程，是执行国家科技开展重大专项的标杆单位。公司已顺利完成四个等 离子体刻蚀机的开发

27、和产业化工程，目前正在执行的第五个研发工程已提前两年到达预 定技术指标。技术实力雄厚、核心团队稳定，坚持自主创新是公司的核心优势。工程2018 年2017 年2016 年研发投入（亿元）4.043.303.02营业收入（亿元）16.399.726.10占比24.65%34.00%49.62%资料来源：中微公司招股说明书，全员持股的激励制度公司借鉴国际领先高科技公司的经验，兼顾中国国情，建立了具有中微特色的全员持股 激励制度。科创型企业中技术和管理人员比例较高，人才是构建科创型企业核心竞争力 的根本、资本增值的源泉、企业成长壮大的生命线。规范有效的全员持股激励制度将员 工个人利益和公司利益绑定在

28、一起，大大提升了员工的积极性和创造性。中微公司以合 作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体 设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。优质便捷的售后服务为保证公司的售后服务水平，公司成立了全球业务部统筹公司销售业务，组建了一支经 验丰富的售后服务团队，保证7X24小时响应客户的需求，并在约定时间内到达现场排 查故障、解决问题。相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供更快捷、 更经济的技术支持和客户维护也在业内树立了良好的品牌形象，收获了许多赞誉。公司 在VLSI Research 2018年度全球芯片设备“客户满意度”调查多项排名中位居前列，

29、包括 全球晶圆制造设备供应商排名第三、芯片制造设备专业供应商排名第二、薄膜沉积设备供应 商排名榜首，表达了在客户认证及服务方面的优势。国产化替代趋势和国家政策扶持全球半导体产能向中国大陆转移，推动国内设备行业大力开展。作为全球最大的半导体 消费市场，我国对半导体器件产品的需求持续旺盛，中国半导体市场规模2013年至2018 年年均复合增长率为14.34%。全球产能中心逐步向中国大陆转移，带动了大陆半导体整 体产业规模和技术水平的提高。SEMI发布的近两年全球晶圆厂预测报告显示，2016至 2017年间，新建的晶圆厂达17座，其中中国大陆占了 10座。SEMI进一步预估，2017 年到2020年

30、的四年间，全球预计新建62条晶圆加工线，其中中国大陆将新建26座晶圆 厂，成为全球新建晶圆厂最积极的地区，整体投资金额预计占全球新建晶圆厂的42%, 为全球之最。根据SEMI统计数据，2018年第三季度中国大陆半导体设备销售额同比增 长106%,首次超越韩国，预计2019年将成为全球最大半导体设备市场。近年来国家高 度重视集成电路国产化，中央、地方纷纷出台政策和产业基金予以扶持。目前国产半导 体设备已在个别领域有所突破。两会期间明确了重点降低制造、也和小微企业税收负担， 将制造业等行业现行16%的税率降至13%o国务院批准集成电路大基金二期方案，预计 大基金二期募资规模将超过第一期，半导体设备

31、行业迎来了前所未有的开展契机。3.风险提7F关键技术人员流失；下游客户扩产不及预期；知识产权争议；国际贸易摩擦；行业竞争引发价格战；公司规模 扩张带来的管理和内控风险。I欢迎关注公众号六微信搜一搜Q冷眼看A股|报告存在问题或需求其他报告加微信文档出现排版、乱码等问题，可加上面微信，凭 下载记录，获取PDF版本1011111214141415151616图表目: TOC o 1-5 h z 图1：中微半导体产品线5图2：|北方华创产品线6图3：1中微半导体与北方华创主要客户比照7集成电路制造各环节应用的半导体设备图5：刻蚀分类6：5微*导体核心技术图7：中微公司研发流程图8：1中微公司股权结构图

32、9：中微公司控股和参股公司结构图图10,公司成立以来主要产品演变情况图11：|2017年全球刻蚀设备市场份额情况图12：|企业A的刻蚀设备订单份额（台数占比）图13：企业B的刻蚀设备订单份额（台数占比）14： 2016-2018主营业务收入图15： 12016-2018营业收入、营业利润和净利润图16：|2016-2018主营业务毛利率情况图17： 12016-2018经营活动现金流净额和流动/速动比率 TOC o 1-5 h z 表工：匕方华创主要产品技术节点9表2：庄要产品情况13表3： Ioi6-2O18公司主营业务毛利率变动16 HYPERLINK l bookmark16 o Cur

33、rent Document 表 %亍业可比公司毛利率水平16J5：上用设备收入构成1756：酎集资金使用安排17表&性投工程时间周期和进度安排开发投入及其占营业收入比例情况19.中微公司vs.北方华创随着3月29日上市申请的受理和4月10日获得上交所问询，中微半导体设备（上海） 股份的上市进程进一步加快。身为半导体设备制造龙头企业的北方华创，那么是 中微公司在主板市场的主要对标企业，二者共同引领着集成电路工艺设备国产化，在产 品线、客户群及半导体设备制造技术等方面存在各自的独特优势。产品线深耕细作VS.全面布局 中微半导体深耕刻蚀和MOCVD领先厂商 中微半导体自2005年成立以来，专注于集成

34、电路IC领域的刻蚀设备和LED芯片领域的 MOCVD设备。在刻蚀设备方面，公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户 从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装制造环节。MOCVD设备方面，公司的相关产品也已经在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公 司逐步成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化线基LED设备制造商。目前，公司产 品线以集成电路IC前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等关键设备为主，并已 逐步开发应用于先进封装、MEMS、Mini LED. Micro LED等领域的泛半导体设备产品。 未来，公司拟通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖，并

35、继续探索核心技术在国 计民生中创新性的应用。中微半导体产品线资料来源：中微公司招股说明书,北方华创一覆盖四大领域 相比中微半导体，北方华创可谓集成电路平台型设备厂商的典型代表。公司目前拥有半 导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件四个事业群，为半导体、新能源、 新材料等领域提供全方位整体解决方案。四大产业制造基地支持公司营销服务体系覆盖 欧、美、亚等全球主要国家和地区。公司产品包括等离子刻蚀设备、Etcher物理气相沉积设备、PVD化学气相沉积设备、CVD等近十个系列，应用领域涵盖高端集成电路(IC)、光 伏电池(Photovoltaic)先进封装(Advanced Packaging

36、)、微机电系统(MEMS)等十余 个。北方华创产品线在线湿法刻蚀清洗机在线湿法刻蚀清洗机集成电路IC等离子硅刻蚀机Hardmask PVD设备 单片清洗机立式氧化炉单片退火系统光伏电池 hotovolt先进封装 Advanced Packaging槽式单晶制绒机 卧式扩散氧 PECVDUBM/RDL金属沉积设备 rSV金属沉积设备TSV刻蚀设备LEDLED半导体照 明GaN刻蚀机A1N缓冲层沉积设备ICP刻蚀机微机电系统MEMS咻硅刻蚀设备晚诵备Oxide/Diff氮化铝薄膜沉积设备资料来源：北方华创公司官网，整理1.2客户覆盖业内顶尖企业受益于产品类型多样化，北方华创的客户群覆盖下游IC、L

37、ED、LCD、光伏四大领域的 多企业；中微半导体那么深耕刻蚀设备和MOCVD设备，因此获得了集成电路1C和LED 领域多家国内外龙头企业的供货资质。中微半导体成功跻身国际顶尖设备供应商行列深度聚焦IC与LED领域，经过十余年研发创新历程，中微半导体成功跻身国内半导体 设备企业龙头梯队，成为全球顶级IC和LED制造商的签约供应商，如台积电、中芯国 际、海力士、华力微电子、联华电子、长江存储、三安光电、华灿光电、乾照光电等。以 上客户中，台积电、联华电子及中芯国际在晶圆代工领域均处于国际领先地位；SK海力士 在DRAM制造领域全球市场份额接近30%；三安光电与华灿光电那么是大陆LED领域制 造龙头

38、企业。客户在国内外市场地位决定了供应商的行业地位，身为多家国内外领先龙 头制造企业的设备供应商，中微半导体的业绩持续增长指日可待。同时，受益全球半导 体晶圆厂的投资热潮和大陆半导体产业崛起的双重利好，中微公司或成为半导体设备国产化替代的大赢家。在客户集中度方面，2016-2018年，公司前五大客户收入占比分别 为85.74%、74.52%、60.55%,总体占比拟高，但有逐年降低趋势，且不存在向单个客户 销售比例超过公司当年销售总额50%或严重依赖少数客户的情况，因此客户集中度较高 或许给公司的经营带来一定风险，但风险较小。北方华创一客户涵盖半导体制造多个领域 区别于中微半导体的深耕细作，凭借

39、先进的生产工艺与出色的研发实力，北方华创在IC、 LED、LCD和光伏四大领域积极扩展优质下游客户资源，取得包括隆基股份、三安光电、 京东方、中芯国际与长江存储在内的多个龙头企业的供应商资格。其中，隆基股份是单晶领 域领跑者，已经逐步开展为全球最大的太阳能单晶硅光伏产品制造商，业务覆盖单晶硅 片、电池片、组件以及光伏发电全产业链；三安光电是国内LED制造商的绝对龙头，2017 年公司LED芯片产能占据国内26.50%；京东方是中国最大的面板制造商，生产与技术 实力雄厚，2017年其液晶显示屏出货数量约占全球25%,总出货量全球第一。作为尖端 制造业代表的泛半导体设备制造企业，北方华创的客户涵盖

40、半导体各个制造环节顶尖企业, 前无古人。此外，在客户集中度方面，由于北方华创系列产品多，下游客户类型广泛， 所以客户集中度相对较低，2017年前五名客户合计销售金额占年度销售总额比例只有 21.22%,对前五大客户依赖性较小。中微半导体与北方华创中要客户比照台积电台积电IC中芯国际联华电华力微电fSK海力士长江存鸿华邦电子 喝方科技格罗方德博肚毒法半导体/ MOCVD 设 1 备LED；三安光电琛羽光电隼热光电我期光电；耳L件摘家太阳能 兀I/、除盘及份I rr ，华灿光电 LtU三安光电/ 产、：，/_1、,联芯科技、& 华虹宏力 IC 长江存储./ 中芯国标 步武汉新芯LCD 京东方.1

41、资料来源：北方华创公司官网和中微公司招股说明书,1.3技术优势互补，各有千秋集成电路生产的主要工序包括三个环节：集成电路的设计，晶圆制造加工以及封装与测 试。制造一块集成电路芯片需要上百道工序，可以概括为前道工艺(front-end production) 和后道工艺(back-end production)。前道工艺以单晶硅片的加工为起点，以在单晶硅片上 制成各种集成电路元件为终点；后道工艺即封装测试环节，以最终制成集成电路产品为 终点。集成电路制造各环节应用的半导体设备I海计电路设计图形设计逻辑设计气相外延炉、MBE系统11外延/T散1 11氧化炉氧化1 11CVD/PVD/ALD 设备薄

42、膜沉积1T光刻机、显影机、甩胶10、机、匀胶机、溅射台1兀刘1 1干法阂法蚀刻机1一1刻蚀1扩散炉、离子注入机1 11离子注入111CMP抛光设备11CMP抛光1 11测试机、探针台晶圆检测晶圆加工重复假设干次倒角机、研磨机切片机CM暇备资料来源：产业信息网,按照离子产生技术分类，等离子体刻蚀设备可以分为电容耦合等离子体刻蚀(CCP)和 电感耦合等离子体刻蚀(ICP)；按照刻蚀材料又可以分为介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀。其 中，介质刻蚀机和硅刻蚀机为最主要的刻蚀设备，两者市占率达95%,金属刻蚀市场占 有率逐渐萎缩，目前市占率缺乏5%o资料来源：集成电路产业全书王阳元, 中微半导体深耕IC领域介

43、质刻蚀设备中微半导体核心技术6 ：电容等离子体刻蚀设备核心技术双反响台高产出率技术接触式上电极喷淋板技术晶圆边缘区域气帘技术脉冲阻抗匹配技术等离子体约束技术深硅刻蚀设备（TSV系列）核心技术双反响台高产出率技术侧引入气体均匀化技术高速气体转换技术中微半导体的产品主要应用于IC工序中的薄膜沉积和刻蚀环节，截至目前已掌握多项核心 技术。其中，介质刻蚀相关产品的成功研发并投产使公司成功跻身国际先进刻蚀设备供应 商前列，打破了我国刻蚀设备被国际巨头长期垄断的局面。中微刻蚀设备已成功进入全 球顶级企业台积电7nm 10nm制程，5nm刻蚀机也在近日通过台积电认证，将与国际刻 蚀设备供应商如应用材料、La

44、m、TEL日立科技等展开直接竞争。截至2018年末， 公司累计已有1100多个反响台服务于国内外40余条先进芯片生产线。MOCVD设备核心技术双区可调控工艺气体喷淋头高温度均匀性加热器和带锁托盘驱动技 术高精度可编程托盘传输技术智能化温控技术电感性等离子体刻设备核心技术M 1 低电容耦合线圈技术.抗损耗氧化钮镀膜技术反响腔对称抽气技术资料来源：中微公司招股说明书, 北方华创一广泛布局IC领域，领军硅刻蚀和薄膜设备相比中微半导体，北方华创的产品线覆盖IC工序多个环节，包括氧化扩散、薄膜沉积、 刻蚀和离子注入等。目前，除光刻机外，几乎其他各个环节均有对应系列产品，技术涉及 领域广泛，在国内半导体设

45、备厂商中产品种类最全。在刻蚀领域，中微半导体深耕介质刻 蚀，北方华创那么是国内硅刻蚀设备制造巨头，其生产的NMC 612D 14nm FinFET刻蚀机多 项关键指标到达国际先进水平，深硅刻蚀设备也已成功进入东南亚市场。公司主攻的刻蚀 机、薄膜设备（PVD、CVD）约占半导体设备总体市场规模的一半左右，优势明显。度0北方华创主要产品技术节点资料来源：中国集成电路产业开展蓝皮书中国电子信息产业开展研究院，整理设备种类产品技术节点（nm ）刻蚀硅刻蚀机65/45/28/14薄膜LPCVD65/28/14ALD28/14/7PECVD65/28/14PVD65/45/28/14湿法清洗机65/45/28热工艺处理氧化/扩散炉、单片退火炉、合金炉65/45/282.中微公司半导体设备领域公认的后起之秀公司介绍：中微公司是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司。公 司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向全球集成电路和LED芯片制造商提供极具竞争力的高端设备和高质量服务，为全球半