第1章半导体二极管及其应用

1、2022-6-23模拟电子技术1电子科学与工程学院电子科学与工程学院2022-6-23模拟电子技术2一、模拟电子技术课程是什么一、模拟电子技术课程是什么二、课程地位二、课程地位三、课程研究对象与教学内容三、课程研究对象与教学内容四、课程安排与任务四、课程安排与任务五、如何学习五、如何学习六、何谓学好六、何谓学好七、课程成绩评定方法七、课程成绩评定方法八、答疑时间、地点八、答疑时间、地点绪论绪论2022-6-23模拟电子技术3第第1章章 晶体二极管及其基本电路晶体二极管及其基本电路1.1 半导体物理基础知识半导体物理基础知识1.1.0 概述概述一、导体、绝缘体、半导体一、导体、绝缘体、半导体二、

2、制造半导体器件的材料二、制造半导体器件的材料1.1.1 本征半导体本征半导体 一一 、半导体中的载流子、半导体中的载流子二、本征载流子浓度二、本征载流子浓度2022-6-23模拟电子技术41.1.2 杂质半导体杂质半导体一、一、N型半导体（型半导体（Negative type）二、二、P型半导体（型半导体（Positive type）三、杂质半导体的载流子浓度三、杂质半导体的载流子浓度2022-6-23模拟电子技术51.2 PN结结1.2.1 结的形成结的形成1.2.2 结的单向导电特性结的单向导电特性一、一、P结加正向电压结加正向电压二、二、 P结加反向电压结加反向电压三、三、PN结电流方程

3、结电流方程1.2.3 PN结的击穿特性结的击穿特性一、齐纳击穿一、齐纳击穿二、雪崩击穿二、雪崩击穿2022-6-23模拟电子技术61.2.4 PN结的电容特性结的电容特性一、一、 势垒电容势垒电容二、扩散电容二、扩散电容2022-6-23模拟电子技术71.3.2 二极管的主要参数二极管的主要参数一、直流电阻一、直流电阻 1.3 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路1.3.1 二极管特性曲线二极管特性曲线二二 、交流电阻、交流电阻三、最大整流电流三、最大整流电流 I F四四最大反向工作电压最大反向工作电压 URM五五反向电流反向电流六六最高工作频率最高工作频率 f M2022-6-2

4、3模拟电子技术81.3.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路一、二极管整流电路一、二极管整流电路二、二极管限幅电路二、二极管限幅电路1.3.3 半导体二极管模型半导体二极管模型 2022-6-23模拟电子技术91.4 特殊二极管特殊二极管一、稳压二极管的特性一、稳压二极管的特性二、稳压二极管的主要参数二、稳压二极管的主要参数三、稳压二极管稳压电路三、稳压二极管稳压电路1.4.1 稳压二极管稳压二极管作业作业2022-6-23模拟电子技术10一、模拟电子技术课程是什么一、模拟电子技术课程是什么模拟电子技术课程是一门研究模拟电子技术的基本模拟电子技术课程是一门研究模拟电子技术的基本规律，并注重

5、实践应用的一门专业基础课。规律，并注重实践应用的一门专业基础课。ykx输出信号幅度大输出信号幅度大输出信号失真小输出信号失真小放大放大1mV100mV2022-6-23模拟电子技术112022-6-23模拟电子技术12二、课程地位二、课程地位1.是重要的是重要的专业基础课专业基础课体现学历教育和大学基础的课。课时多，教学内容基本稳定。体现学历教育和大学基础的课。课时多，教学内容基本稳定。专业应用性质课。课时少，内容变化快。专业应用性质课。课时少，内容变化快。专业方向课，课时较多；内容相对稳定。专业方向课，课时较多；内容相对稳定。按照在培养方案中的地位和作用，课程分为按照在培养方案中的地位和作用

6、，课程分为通识教育通识教育、专、专业教育业教育、实践教育实践教育、创新拓展创新拓展（自主学习）四大类模块。（自主学习）四大类模块。 课课程程体体系系框框架架通识教育类通识教育类专业教育类专业教育类实践教育类实践教育类创新拓展类创新拓展类专业基础课程专业基础课程专业课程专业课程2022-6-23模拟电子技术133.是强调硬件应用能力的工程类课程是强调硬件应用能力的工程类课程4.是工程师训练的基本入门课程是工程师训练的基本入门课程5.是很多重点大学的考研课程是很多重点大学的考研课程2.是电气信息类、电子信息科学类专业的主干课程是电气信息类、电子信息科学类专业的主干课程(1) 当前社会对于硬件工程师

7、（特别是具有设计开发当前社会对于硬件工程师（特别是具有设计开发 能力的工程师）需求量很大。能力的工程师）需求量很大。(2)培养硬件工程师比较困难。培养硬件工程师比较困难。(3) 学好并掌握硬件本领将使你基础实，起点高，发学好并掌握硬件本领将使你基础实，起点高，发 展大，受益无穷！展大，受益无穷！2022-6-23模拟电子技术141.模拟信号与数字信号模拟信号与数字信号模拟信号：幅值连续、时间连续模拟信号：幅值连续、时间连续 数字信号：幅值离散、时间离散（通常变化时数字信号：幅值离散、时间离散（通常变化时刻之间的间隔是均匀的）刻之间的间隔是均匀的）00110001010101三、课程研究对象与教

8、学内容三、课程研究对象与教学内容语言信号波形语言信号波形Dt0ut0t1t2t3D0D12022-6-23模拟电子技术152.电子电路的概念、分类及发展电子电路的概念、分类及发展概念概念对弱电类信号进行对弱电类信号进行产生产生、处理处理（如放大）、（如放大）、存储存储、传输传输，由各种元件互相连接而组成的物理实体。，由各种元件互相连接而组成的物理实体。分类：数字电路、模拟电路分类：数字电路、模拟电路线性电路（处理小信号）、非线性电路（处理大信号）线性电路（处理小信号）、非线性电路（处理大信号）模拟电路根据有源器件模型分为模拟电路根据有源器件模型分为低频电路（处理低频信号）、高频电路（处理高频信

9、号）低频电路（处理低频信号）、高频电路（处理高频信号）模拟电路根据信号频率分为模拟电路根据信号频率分为2022-6-23模拟电子技术16发展发展电子管电子管时代时代：晶体管晶体管时代时代：集成电路集成电路时代时代：19061906年诞生年诞生电子三极管，之后出现无线电通信电子三极管，之后出现无线电通信；19471947年诞生年诞生晶体三极管晶体三极管；19581958年出现年出现集成电路，进入微电子时期集成电路，进入微电子时期；0.35m0.25m0.18m0.13mLSI和和VLSI时代时代：(Pentium 4 670 3.80GHz)90nm(Core 2 Duo )65nm(Core

10、i7 )22nm2022-6-23模拟电子技术173.课程内容课程内容第第1 1章章 半导体二极管及其应用半导体二极管及其应用第第2 2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路第第3 3章章 场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路第第5 5章章 集成运算放大电路集成运算放大电路第第6 6章章 反馈反馈第第4 4章章 放大器的频率响应和噪声放大器的频率响应和噪声第第7 7章章 集成运算放大器的应用集成运算放大器的应用第第8 8章章 功率放大电路功率放大电路第第1010章章 正弦波振荡电路正弦波振荡电路第第1111章章 调制与解调调制与解调器器件件模模块块系系统统放大放大频

11、响频响反馈反馈Multisim振荡振荡调制与解调调制与解调三极管三极管二极管二极管场效应管场效应管运放运放2022-6-23模拟电子技术184.教材教材1 黄丽亚黄丽亚 等编著等编著. 模拟电子技术基础模拟电子技术基础.第第2版版. 北京北京:机械工业出版社机械工业出版社, 20122 电子电路教研室电子电路教研室. 模拟电子电路模拟电子电路B补充讲义补充讲义 (修订版修订版). 南京邮电大学校内印刷南京邮电大学校内印刷, 20062022-6-23模拟电子技术195.参考书参考书1 康华光康华光. 电子技术基础（模拟部分）电子技术基础（模拟部分）(第五版第五版). 北京：高等教育出版社北京：

12、高等教育出版社,20062 华成英华成英 童诗白童诗白. 模拟电子技术基础（第四版）模拟电子技术基础（第四版）. 北京：高等教育出版社北京：高等教育出版社,20063 谢嘉奎谢嘉奎. 电子线路（线性部分）电子线路（线性部分）(第四版）第四版）.北京：高等教育出版社北京：高等教育出版社, 1999（2004年印刷）年印刷）4 谢嘉奎谢嘉奎. 电子线路（非线性部分）电子线路（非线性部分）(第四版）第四版）.北京：高等教育出版社北京：高等教育出版社, 1999（2004年印刷）年印刷）2022-6-23模拟电子技术20四、课程安排与任务四、课程安排与任务2.掌握常用半导体器件和典型模拟集成电路的特性

13、掌握常用半导体器件和典型模拟集成电路的特性 与参数；与参数；3.系统地掌握电子线路的系统地掌握电子线路的基本概念基本概念、组成、组成、基本原基本原 理理、性能特点和掌握、性能特点和掌握各类放大器、频率响应、各类放大器、频率响应、 反馈、振荡器、调制解调电路反馈、振荡器、调制解调电路的的基本分析方法基本分析方法 和工程估算方法；和工程估算方法； 1.二学期课二学期课(32学时学时*2、2学分学分*2)，实验课另有安排，实验课另有安排， 单独设课。单独设课。2022-6-23模拟电子技术21五、如何学习五、如何学习1.“爱好爱好”和和“志向志向”很重要！很重要！“兴趣是最好的老兴趣是最好的老师师”

14、。2.入门时可能会遇到一些困难。注意不断改进、入门时可能会遇到一些困难。注意不断改进、总结和调整、提高。总结和调整、提高。基本器件关基本器件关叠加近似关叠加近似关组装调试关组装调试关EDA应用关应用关3.学习方法学习方法“过四关过四关”4.分立为基础，集成是重点，分立为集成服务分立为基础，集成是重点，分立为集成服务电路构成（会看）电路构成（会看）分析方法（会算）分析方法（会算）实践应用（会调）实践应用（会调）设计开发（会选）设计开发（会选）2022-6-23模拟电子技术221.掌握电子技术的硬件理论（理论）掌握电子技术的硬件理论（理论）;六、何谓学好？六、何谓学好？七、课程成绩评定方法七、课程

15、成绩评定方法八、答疑时间、地点八、答疑时间、地点2.掌握电子技术的应用实践能力（实践）掌握电子技术的应用实践能力（实践）;周周5上午上午12:30-13:20 教教3-5172022-6-23模拟电子技术23第一章第一章 晶体二极管及其基本电路晶体二极管及其基本电路（1）了解本征半导体、杂质半导体和）了解本征半导体、杂质半导体和PN结的结的形成及其特性。形成及其特性。（2）掌握晶体二极管的特性和主要参数。）掌握晶体二极管的特性和主要参数。（3）掌握普通二极管、稳压二极管构成的基本）掌握普通二极管、稳压二极管构成的基本电路的组成、工作原理及分析方法。电路的组成、工作原理及分析方法。2022-6-

16、23模拟电子技术241.1 半导体物理基础知识半导体物理基础知识1.1.0 概述概述一、导体、绝缘体、半导体一、导体、绝缘体、半导体1.导体导体(Conductor) ：104scm-12.绝缘体绝缘体(Insulator)：10-10scm-13.半导体半导体(Semiconductor) ：在在10-9103scm-1间间注注 ：为电导率为电导率如铝、金、钨、铜等金属，镍铬等合金。如铝、金、钨、铜等金属，镍铬等合金。如二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等。如二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等。如如硅硅、锗锗、砷化镓、磷化铟、碳化镓等。、砷化镓、磷化铟、碳化镓等。2022-6-23模拟电子技术25二、制造

17、半导体器件的材料二、制造半导体器件的材料+1428 4 硅原子（硅原子（Silicon）锗原子（锗原子（Germanium）图图1.1.1 硅和锗原子结构图和简化模型硅和锗原子结构图和简化模型半导体器件是半导体器件是导体导体、半导体半导体和和绝缘体绝缘体的有机组合体。的有机组合体。+4惯性核惯性核(Inert Ionic Core)价电子价电子(Valence Electron)半导体半导体是构成当代微电子的基础材料。是构成当代微电子的基础材料。+32 218 482022-6-23模拟电子技术26 一一 、半导体中的载流子、半导体中的载流子1.1.1 本征半导体本征半导体(Intrinsic

18、 Semiconductor)纯净的半导体，称为本征半导体。纯净的半导体，称为本征半导体。 在在绝对零度绝对零度(-273)和和没有外界影响没有外界影响时，所有价时，所有价电子都被束缚在共价键内，晶体中没有自由电电子都被束缚在共价键内，晶体中没有自由电子，所以半导体不能导电。晶体中无载流子。子，所以半导体不能导电。晶体中无载流子。 载流子载流子(Carrier)：获得运动能量的带电粒子。：获得运动能量的带电粒子。2022-6-23模拟电子技术27二、本征载流子浓度二、本征载流子浓度kTEiiGTApn2/2/300e ni,pi分别表示自由电子分别表示自由电子(Free Electron)和空

19、穴和空穴(Hole)的浓度的浓度(cm3 )； A0为常数，为常数，Si(Ge):3.87(1.76)1016cm-3K-3/2； EG0为为T=0K时的禁带宽度，时的禁带宽度，Si(Ge):1.21(0.78)eV； k为波尔兹曼常数为波尔兹曼常数(8.6310-6V/K)；2022-6-23模拟电子技术28 本征载流子浓度随温度升高近似按指数规律本征载流子浓度随温度升高近似按指数规律增大，所以增大，所以半导体的导电性能对温度非常敏半导体的导电性能对温度非常敏感感。TEiiGTpnk2/2/300eA 室温下，本征半导体的导电能力很弱。室温下，本征半导体的导电能力很弱。室温下室温下：硅（：硅

20、（Si) 原子密度为原子密度为-322cm105-310cm1043. 1iipn载流子密度为载流子密度为本征载流子浓度讨论本征载流子浓度讨论2022-6-23模拟电子技术291.1.2 杂质半导体杂质半导体(Impurity Semiconductor )一、一、N型半导体（型半导体（Negative type） 在本征硅（或锗）中，掺入少量的五价元素在本征硅（或锗）中，掺入少量的五价元素（磷、砷等），就得到（磷、砷等），就得到N型半导体。型半导体。室温时，室温时，几乎全部杂质原子都能提供一个自由电子。几乎全部杂质原子都能提供一个自由电子。 多子多子(Majority)（多数载流子）：（多数

21、载流子）：自由电子；自由电子； 少子少子(Minority)（少数载流子）：（少数载流子）：空穴；空穴； 多子浓度多子浓度 nnNd（施主杂质浓度）（施主杂质浓度）-310cm1043. 1iipn-314dcm102N2022-6-23模拟电子技术30二、二、P型半导体（型半导体（Positive type） 在本征硅（或锗）中，掺入少量的三价元素在本征硅（或锗）中，掺入少量的三价元素（硼、铝等），就得到（硼、铝等），就得到P型半导体。型半导体。室温时，室温时，几乎全部杂质原子都能提供一个空穴。几乎全部杂质原子都能提供一个空穴。 多子多子（多数载流子）：（多数载流子）：空穴；空穴； 少子少子

22、（少数载流子）：（少数载流子）：自由电子；自由电子； 多子浓度多子浓度 ppNa（受主杂质浓度）（受主杂质浓度）2022-6-23模拟电子技术31 三、杂质半导体的载流子浓度三、杂质半导体的载流子浓度在热平衡下，两者之间有如下关系：在热平衡下，两者之间有如下关系：多子浓度值多子浓度值与少子浓度值的乘积恒等于本征载流子浓度值与少子浓度值的乘积恒等于本征载流子浓度值ni的平方。的平方。对对N型半导体型半导体d2in2in2innNnnnpnpn对对P型半导体型半导体a2ip2ip2ippNnpnnnnp2022-6-23模拟电子技术32杂质半导杂质半导 体类型体类型多子多子少子少子多子多子浓度浓度

23、少子少子浓度浓度载流子浓度载流子浓度与温度关系与温度关系 N型型半导体半导体 P型型半导体半导体杂质半导体载流子小结杂质半导体载流子小结自由自由电子电子空穴空穴空穴空穴自由自由电子电子nnNdppNad2inNnp a2ipNnn 温度变化对温度变化对多子多子浓度影浓度影响响很小很小；对；对少子少子浓度影浓度影响响很大很大 。2022-6-23模拟电子技术331.2 PN结结1.2.1 结的形成结的形成 平衡时，多子扩散与少子漂移达到平衡时，多子扩散与少子漂移达到平衡平衡，即扩，即扩散过去多少多子，就有多少少子漂移过来。散过去多少多子，就有多少少子漂移过来。开始开始扩散运动扩散运动占优势；占优

24、势；内电场形成，阻止内电场形成，阻止多子多子扩散，但引起扩散，但引起少子少子漂移漂移；2022-6-23模拟电子技术341.2.2 结的单向导电特性结的单向导电特性一、一、P结加正向电压结加正向电压 外加电场，多子被强行推向耗尽区，中和部外加电场，多子被强行推向耗尽区，中和部分正、负离子使耗尽区变窄，内电场削弱。分正、负离子使耗尽区变窄，内电场削弱。 由于内电场减弱，有利于多子的扩散，多子由于内电场减弱，有利于多子的扩散，多子源源不断扩散到对方，形成扩散电流，通过源源不断扩散到对方，形成扩散电流，通过回路形成正向电流回路形成正向电流 由于由于UB较小，因此只需较小的外加电压较小，因此只需较小的

25、外加电压U，就能产生很大的正向电流就能产生很大的正向电流2022-6-23模拟电子技术35 外加电场强行将多子推离耗尽区，使耗尽区外加电场强行将多子推离耗尽区，使耗尽区变宽，内电场增强。变宽，内电场增强。内电场增强，多子扩散很难进行，而有利于内电场增强，多子扩散很难进行，而有利于少子的漂移。少子的漂移。 越过界面的少子通过回路形成反向越过界面的少子通过回路形成反向(漂移漂移)电流，电流，反向电流很小。反向电流很小。 外加电压增大时，反向电流基本不增加。外加电压增大时，反向电流基本不增加。二、二、 P结加反向电压结加反向电压2022-6-23模拟电子技术36这种现象称之为这种现象称之为PN结的单

26、向导电特性。结的单向导电特性。 综上所述，综上所述，PN结加正向电压时，电流很大并结加正向电压时，电流很大并随外加电压有明显变化（随外加电压有明显变化（正向导通正向导通），而加反向），而加反向电压时，电流很小，且不随外加电压变化（电压时，电流很小，且不随外加电压变化（反向反向截止截止）。）。2022-6-23模拟电子技术37三、三、PN结电流方程结电流方程)1(/TUuseIi图图1.2.5 PN结的伏安特性结的伏安特性当当T=300K (室温室温)时时,UT=26mV。iu0-U(BR)IS为反向饱和电流。为反向饱和电流。UT = K T/q ,温度电压当量温度电压当量2022-6-23模拟

27、电子技术38 当当u 比比UT大大3倍时倍时,/TUusseIi即呈现指数变化。即呈现指数变化。 当当u7V时为雪时为雪崩击穿崩击穿； UBR 5V时为齐纳击穿时为齐纳击穿； UBR介于介于57V时，两种击穿都有。时，两种击穿都有。 2022-6-23模拟电子技术441.2.4 PN结的电容特性结的电容特性一、一、 势垒电容势垒电容(Barrier Capacitance)PN耗尽区+外电场2022-6-23模拟电子技术451.2.4 PN结的电容特性结的电容特性外加电压变化，耗尽区的宽度变化，则耗尽区中外加电压变化，耗尽区的宽度变化，则耗尽区中的正负离子数目变化，即存储的电荷量变化。的正负离

28、子数目变化，即存储的电荷量变化。一、一、 势垒电容势垒电容(Barrier Capacitance)PN+外电场QQ2022-6-23模拟电子技术461.2.4 PN结的电容特性结的电容特性偏置电压变化偏置电压变化非平衡少子的浓度分布曲线变化非平衡少子的浓度分布曲线变化非平衡少子变化非平衡少子变化电荷变化电荷变化二、扩散电容二、扩散电容(Diffusion Capacitance)2022-6-23模拟电子技术47Cj= CT + CD结结 论论Cj CD ，其值通常为，其值通常为几十至几百几十至几百pF；Cj CT,其值通常为其值通常为几至几十几至几十pF。因为因为CT和和CD并不大，所以在

29、高频工作时，才并不大，所以在高频工作时，才考虑它们的影响。考虑它们的影响。正偏时以正偏时以CD为主，为主，反偏时以反偏时以CT为主，为主，（如：（如：变容二极管变容二极管）2022-6-23模拟电子技术481.3 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路PN结加上电极引线和管壳就形成结加上电极引线和管壳就形成半导体二极管半导体二极管。图图1. 3.1 半导半导体二极管结构示意图及电路符号体二极管结构示意图及电路符号 P区区N区区正极正极负极负极（a）结构示意图）结构示意图（b）电路符号）电路符号PN正极正极负极负极2022-6-23模拟电子技术491.3.1 二极管特性曲线二极管特性曲

30、线二极管特性曲线与二极管特性曲线与PN结基本相同，略有差异。结基本相同，略有差异。图图1.3.2 硅硅二极管伏安特性曲线二极管伏安特性曲线 i /mAu/V( A)0102030-5-10-0.50.5特性曲线是描述器件性能的图形表示。特性曲线是描述器件性能的图形表示。硅硅: 0.7VUD(on)锗锗: 0.25V指数段指数段直线段直线段小功率管正常工作电压小功率管正常工作电压硅：硅：0.60.8V锗：锗：0.20.3V锗管：锗管：小于几十微安小于几十微安硅管：硅管：小于小于0.1 A2022-6-23模拟电子技术501.3.2 二极管的主要参数二极管的主要参数一、直流电阻（一、直流电阻（静态

31、电阻静态电阻） 图图1.3.3 二极管电阻的几何意义二极管电阻的几何意义IDUDQ1RD=UD / IDRD 的几何意义：的几何意义：iu0Q2(a)直流电阻直流电阻RDQ点到原点直线斜率的倒数。点到原点直线斜率的倒数。规规 律律RD不是恒定的，正向的不是恒定的，正向的RD随随工作电流增大而减小，反向的工作电流增大而减小，反向的RD随反向电压的增大而增大。随反向电压的增大而增大。参数是描述器件性能的技术指标。参数是描述器件性能的技术指标。2022-6-23模拟电子技术511.正向电阻：几百欧姆；正向电阻：几百欧姆；反向电阻：几百反向电阻：几百千千欧姆；欧姆；2.Q点（点（quiescent）（

32、直流工作点、静态工作点）（直流工作点、静态工作点）不同，测出的电阻也不同；不同，测出的电阻也不同；如：用万用表欧姆档的不同档位（如：用万用表欧姆档的不同档位（10、100、1K等）测得的阻值是不同的。等）测得的阻值是不同的。结结 论论 因此，因此，PN结具有单向导电特性。结具有单向导电特性。2022-6-23模拟电子技术52二二 、交流电阻（、交流电阻（动态电阻动态电阻）二极管在其工作状态二极管在其工作状态(I DQ, UDQ)下的电压微变量下的电压微变量与电流微变量之比。与电流微变量之比。rD的几何意义为的几何意义为Q(IDQ, UDQ)点点处切线斜率的倒数。处切线斜率的倒数。DQDQDQD

33、QUIUIDIUdidur,)mA()mV(26DQDQTIIU iu0Q i u(b)交流电阻交流电阻rD图图1.3.3 二极管电阻的几何意义二极管电阻的几何意义2022-6-23模拟电子技术53rD= rj + rs )mA()mV(26DQDQTjIIUr - PN结电阻结电阻 rs- 体电阻体电阻+引线接触电阻引线接触电阻更确切地讲，二极管交流电阻更确切地讲，二极管交流电阻2022-6-23模拟电子技术54例例1.3.1 已知已知D为为Si二极管，流过二极管，流过D的直流电流的直流电流ID=10mA，交流电压，交流电压 U=10mV，求流过，求流过D的交流的交流电流电流 I=?10VD

34、R0.93K UID解：二极管交流电阻为解：二极管交流电阻为 6 .2)mA(10)mV(26DQTDIUrmA101 . 1)(9306 . 2)mV(102 DrRUI所以交流电流为所以交流电流为2022-6-23模拟电子技术55三、最大整流电流三、最大整流电流 IF四四最大反向工作电压最大反向工作电压 URM五五反向电流反向电流IR允许通过的最大正向平均电流。允许通过的最大正向平均电流。通常取通常取U(BR)的一半，超过的一半，超过U(BR)容易发生反向击穿容易发生反向击穿未击穿时的反向电流。未击穿时的反向电流。IR越小，单向导电性能越好越小，单向导电性能越好六六最高工作频率最高工作频率

35、 f M工作频率超过工作频率超过 f M时，二极管的单向导电性能变坏。时，二极管的单向导电性能变坏。 2022-6-23模拟电子技术561.3.3 半导体二极管模型半导体二极管模型由于二极管的非线性特性，当电路加入二极管时，由于二极管的非线性特性，当电路加入二极管时，便成为便成为非线性电路非线性电路。实际应用时可根据二极管的。实际应用时可根据二极管的应用条件作合理应用条件作合理近似近似，得到相应的等效电路，化，得到相应的等效电路，化为为线性电路线性电路。对电子线路进行定量分析时对电子线路进行定量分析时,电路中的实际器件电路中的实际器件用相应的电路模型来等效表示，称为用相应的电路模型来等效表示，

36、称为“建模建模”。2022-6-23模拟电子技术57iu0 图图1.3.5 1.3.5 理想二极管模型理想二极管模型 （a)a)伏安特性伏安特性（b)b)电路模型电路模型U01（c)c)符号符号U 022022-6-23模拟电子技术58iu0图图1.3.6 1.3.6 恒压降模型恒压降模型 UD(on)（a)a)伏安特性伏安特性U UD(on)（b)b)电路模型电路模型2UD(on) UUD(on)1UD(on)（c)c)符号符号UD(on)硅硅: UD(on) = 0.7V锗锗: UD(on) = 0.25V2022-6-23模拟电子技术59图图1.3.7 1.3.7 折线模型折线模型UD(

37、on)iu0（a)a)伏安特性伏安特性UUD(on)（b)b) 电路模型电路模型1UD(on)rD(on) U UD(on)（c)c)符号符号2UD(on)rD(on)UD(on)rD(on)2022-6-23模拟电子技术60 图图 1.3.8 二极管的交流小信号等效模型二极管的交流小信号等效模型 2UD(on)rD(on)UD(on)rD(on)rD(on)+-UIIDUDQiu0UI（a）伏安曲线）伏安曲线 （b）电路模型）电路模型2022-6-23模拟电子技术611.在大信号应用中如何选择二极管的等效模型？在大信号应用中如何选择二极管的等效模型？以上四种等效电路模型以上四种等效电路模型(

38、 、 、 、)均为二极管近似模型均为二极管近似模型(线性化模线性化模型型)。对不同电路模型可在不同需求时采用。对不同电路模型可在不同需求时采用。思考题：思考题：2.在小信号应用中如何选择二极管的等效模型？在小信号应用中如何选择二极管的等效模型？3. 叙述二极管的死区电压、工作电压范围、叙述二极管的死区电压、工作电压范围、 导通电压的含义及数值。导通电压的含义及数值。2022-6-23模拟电子技术62一、二极管整流电路一、二极管整流电路图图1.3.9 1.3.9 二极管半波整流电路及波形二极管半波整流电路及波形tui0 uot0(b)(b)输入、输出波形关系输入、输出波形关系1.3.4 二极管基

39、本应用电路二极管基本应用电路VRLuiuo( (a)a)电路电路iu02022-6-23模拟电子技术63二、二极管限幅电路二、二极管限幅电路图图1.3.11 1.3.11 二极管上限幅电路及波形二极管上限幅电路及波形t ui/V0 (b) (b) 输入、输出波形关系输入、输出波形关系t0 uo/V2.7-5-55( (a)a)电路电路E2VDRuiuou i E+UD(ON) D 导通，否则截止。导通，否则截止。iuUD(on)02.72022-6-23模拟电子技术641. 稳压二极管的正向特性、反向特性与普通二极稳压二极管的正向特性、反向特性与普通二极管基本相同，区别仅在于反向击穿时，特性曲

40、线管基本相同，区别仅在于反向击穿时，特性曲线更加陡峭更加陡峭2. 稳压管在反向击穿后稳压管在反向击穿后，能通过调节自身电流，能通过调节自身电流， 实现稳定电压的功能。实现稳定电压的功能。，电压几乎不变，为，电压几乎不变，为-UZ。maxminZZZIII即当即当一、稳压二极管的特性一、稳压二极管的特性1.4.1 稳压二极管稳压二极管1.4 特殊二极管特殊二极管2022-6-23模拟电子技术65二、稳压二极管的主要参数二、稳压二极管的主要参数1. 稳定电压稳定电压UZ2. 额定功耗额定功耗PZ击穿后流过管子的电流为规定值时，管子两端的电压值。击穿后流过管子的电流为规定值时，管子两端的电压值。由管子温升所限定的参数，使用时不允许超过此值。由管子温升所限定的参数，使用时不允许超过此值。3. 稳定电流稳定电流IZZZZUPI/max 4. 动态电阻动态电阻rZ5. 温度系数温度系数在击穿状态下，两端电压变化量与其电流变化量的比值。在击穿状态下，两端电压变化量与其电流变化量的比值。表示单位温度变化引起稳压值的相对变化量。表示单位温度变化引起稳压值的相对变化量。一般为几欧姆到几十欧姆（越小越好）。一般为几欧姆到几十欧姆（越小越好）。2022-6-23模拟电子技术66例例 上图为稳压二极管稳压电路，即当上图为稳压