电子技术-chapter8第8章半导体存储器和可编程逻辑器件

1、下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1 11 1A0A1字线字线位线位线读出电路读出电路地址译码器地址译码器存储矩阵存储矩阵存储输出存储输出地址输入地址输入W0W1W2W3D0D1D2D3A1A0+UA0A1下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目

2、录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页010AAW 011AAW 012AAW 013AAW 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页01AA01AA01AA01AA010AAW 011AAW 012AAW 013AAW 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1 11 1A0A1字线字线位线位线读出电路读出电路地址译码器地址译码器存储矩阵存储矩阵地址输入地址输入W0W1W2W3D0D1D2D3A1A0+UA0A1“0”“0”0 0 0 1 0 1 0 1下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上

3、一页上一页100WWD311WWD320WWWD2313WWD W3=A1A0m3m2W2=A1A0m1W1=A1A0m0W0=A1A0A0A1地地址址译译码码器器D3D2D1D0下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页D3D2D1D0W2W1W0+UDDW3下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页“1”“0”“0”“0” 1 1 0 1D3D2D1D0W2W1W0+UDDW3下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1 1D31 1D21 1D11 1D0W0W1W2W3负载管负载管+UDD“1”“0”“0”“0” 0 0 1 0 1 1

4、0 1下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页A 加数加数B 加数加数C0 低位进位数低位进位数S 本位和本位和C0 向高位进位数向高位进位数下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页A B C0下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页根据表根据表8.1.2可得：可得：74210000mmmmCBACBACBACBAS 76530000mmmmCBACBACBACBAC WOm0W1m1W2m2W3m3W4m4W5m5W6m6W7m7SCABC0CBA0CBA0CBA0CBA0CBA0CBA0CBA0CBA下一页下一页总目录总目录 章目录章目

5、录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页(b)WOW1W2W3W4W5W6(a)000000001001010010011011100100101101110110D4D3D2D1D0行行译译码码器器A2A1A0读出电路读出电路下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 由图可看出该字符显示器由由图可看出该字符显示器由7行行5 列构成存储矩列构成存储矩阵，将字母阵，将字母R的形状分割成若干部分并在相应的单的形状分割成若干部分并在相应的单元存入信息元存入信息“1”。当地址输入由。当地址输入由 000110周期地循周期地循环变化时环变化时,

6、即可逐行扫描各字线即可逐行扫描各字线, 把字线把字线W0 W7所所存储的字母存储的字母“R”的字形信息从位线的字形信息从位线D0 D4读出。读出。使显示设备一行行的显示出图使显示设备一行行的显示出图8.1.8(b)的字形。的字形。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页地址输入地址输入An-1A0A1地地址址译译码码器器存储矩阵存储矩阵数据线数据线读写读写/控制电路控制电路读读/写控制写控制(R/W)片选片选(CS)输入输入/输出输出 I/O.下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录

7、总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页9GNDCS8A27A16A05A34A43A52A61I/O0A9A8A7UCC121011141315161718I/O1I/O2I/O3R/WRAM2114容量：容量：1024字字 4位位地址线：地址线：A9A0(210=1024)数据线：数据线：I/O3 I/O0下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页将几片的地址端、将几片的地址端、R/W端、端、CS端并接在一起端并接在一起A9 A0 R/W CSRAM2114(1)I/O3I/O7I/O6I/O2IO/5I/O1I/O

8、4I/O0A9 A0 R/W CSI/O3I/O2RAM2114(2)I/O1I/O0I/O0I/O3I/O2I/O1高四位高四位低四位低四位A9A0R/WCS地址码地址码下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页.RAM 21114(1)I/O(2)I/O(3)I/O(4)I/OA11A10A11A102/4线线译译码码器器R/WA0A9I/O3I/O2I/O1I/O0A11A10A11A10A11A10A9 A0R/W CSA9 A0R/W CSA9 A0R/W CSA9 A0R/W CS下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页.RAM 21114(1)I

9、/O(2)I/O(3)I/O(4)I/OA11A10A11A102/4线线译译码码器器R/WA0A9I/O3I/O2I/O1I/O0A11A10A11A10A11A10A9 A0R/W CSA9 A0R/W CSA9 A0R/W CSA9 A0R/W CS000下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页输入电路输入电路 与与 阵列阵列 或或 阵列阵列输出电路输出电路.下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页A B C&YY=AC(a)ACB1Y(b)Y=A+C1Y(c)Y1=AY2=AAY1Y2下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页

10、熔断丝熔断丝位线位线字线字线存储存储“1”存储存储“0”下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页A211A11A0&11D2D111D011 或或 阵列阵列 与与 阵列阵列WOW1W2W3W4W5W6W7固定固定“与与”阵列阵列可编程可编程“或或”阵列阵列下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页)24(8I0I1I2I3uuuu )248(I0I1I2I30uRRuR/RuR/RuR/Ru R0123)24(8UDDDD 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页u10RR/2u11R/4u12R/8u13A0D0D1A1D2A2D3

11、A3PROM二二进进制制计计数数器器CURRR2+-u0RD电子开关电子开关uO O102 3 4 5 6 7 8 9 1011 12 13141516C4UR8UR下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页uo下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1 1 1 1m151 1 1 0m141 1 0 1m131 1 0 0m121 0 1 1m111 0 1 0m101 0 0 1m91 0 0 0m80 1 1 1m70 1 1 0m60 1 0 1m50 1 0 0m40 0 1 1m30 0 1 0m20 0 0 1m10 0 0 0m0A3A2A1A

12、0D3D2 D1 D0地地址址译译码码器器下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页CAY 0CBAY 1DCBDCBADCBAY276320)()()(mmmmDCBACDBADBCABCDADDCBADDBCABBCAY下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页13121)(mmDCBADCBADDCABY1410762)(mmmmDBCADABCBCDADCBAAADBCBCDADCBAY下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页固定固定“与与”阵列阵列DCBAA11B1C1DY0Y1Y2m2m3m6m7m10m12m13m14可编程可编程“或或”阵列阵列1312mm 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1A21A11A0&1D2D11D01可编程可编程“或或”阵列阵列可编程可编程“与与”阵列阵列下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页CAY 0CBAY 1DC