电工电子技术(林平勇)电子教案第10章

1、第10章 电子电路中常用的器件电电子子技技术术模拟电子技术模拟电子技术（第（第1013章）章）数字电子技术数字电子技术（第（第1418章）章）实践环节实践环节逻辑门电路逻辑门电路组合逻辑电路组合逻辑电路触发器及其应用（时序逻触发器及其应用（时序逻辑控制）辑控制）常用半导体器件常用半导体器件基本放大电路基本放大电路集成运算放大器集成运算放大器直流稳压电源直流稳压电源&第10章 电子电路中常用的器件电子电路中常用的器件电子电路中常用的器件&第10章 电子电路中常用的器件10.1 半导体的半导体的基本知识基本知识&第10章 电子电路中常用的器件导导 体体: 自然界中很容易导电的物质自然界中很容易导电

2、的物质.例如例如金属金属。绝缘体：绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电电阻率很高的物质，几乎不导电;如如橡皮橡皮、陶瓷陶瓷、塑料塑料和和石英石英等。等。半导体：半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质，导电特性处于导体和绝缘体之间的物质， 例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等半导体的特点半导体的特点当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。明显改变。&第10章 电子电路中常用的器件1. 本征半导体本

3、征半导体GeSi本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理纯净的半导体纯净的半导体。如：硅和锗如：硅和锗1）四价元素）四价元素在原子最在原子最外层轨道上有四个电子。外层轨道上有四个电子。2）共价键）共价键相相邻原子共有电子对邻原子共有电子对+4+4+4+4共价键共用电子对共价键共用电子对+4表示除去价电子后的原子表示除去价电子后的原子&第10章 电子电路中常用的器件共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，常温下束缚电子很难脱离共价键成为键中，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子自由电子，因此本征半导体中的自由电子很，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半

4、导体的导电能力很弱。少，所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4&第10章 电子电路中常用的器件3）在绝对）在绝对0度和没有度和没有外界激发时外界激发时,价电子完全价电子完全被共价键束缚着，本征被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动半导体中没有可以运动的带电粒子（即的带电粒子（即载流子载流子），它的导电能力为），它的导电能力为0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。+4+4+4+44）在

5、热或光激发）在热或光激发下，使一些价电子获下，使一些价电子获得足够的能量而脱离得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为共价键的束缚，成为自由电子自由电子，同时共价，同时共价键上留下一个空位，键上留下一个空位，称为称为空穴空穴。+4+4+4+4空空穴穴束缚束缚电子电子自由自由电子电子&第10章 电子电路中常用的器件在其它力的作用下（例在其它力的作用下（例如电场力），空穴吸引如电场力），空穴吸引临近的电子来填补，这临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因当于正电荷的移动，因此可以认为空穴也是载此可以认为空穴也是载流子。流子

6、。+4+4+4+45）自由电子和空穴的运动形成电流）自由电子和空穴的运动形成电流因热激发而出现的自由电子和空穴是同时因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为成对出现的，称为电子空穴对电子空穴对。&第10章 电子电路中常用的器件两种载流子两种载流子电子电子( (自由电子自由电子) )空穴空穴两种载流子的运动两种载流子的运动自由电子自由电子( (在共价键以外在共价键以外) )的运动的运动空穴空穴( (在共价键以内在共价键以内) )的运动的运动IIPINI = IP + IN+ 电子和空穴两种电子和空穴两种载流子参与导电载流子参与导电 在外电场的在外电场的作用下，自由电作用下，自由电子逆

7、着电场方向子逆着电场方向定向运动形成定向运动形成电电子电流子电流IN 。空穴。空穴顺着电场方向移顺着电场方向移动，形成动，形成空穴电空穴电流流IP 。&第10章 电子电路中常用的器件 自由电子和空穴在运动中相遇重新结合自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。成对消失的过程。自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 在室温或光照下价电子获得足够能量摆在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位中留下一个空位( (空穴空穴) )的过程。的过程。&第10章 电子电路中常用的器

8、件&第10章 电子电路中常用的器件&第10章 电子电路中常用的器件 结论结论:.本征半导体中电子空穴成对出现本征半导体中电子空穴成对出现, 且数量少；且数量少； . 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； . 本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外 界条件有关界条件有关。 本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力很弱。如果有控制、有选择地掺入很弱。如果有控制、有选择地掺入的有用的有用（某种元素），将使其导电能力大大增强，成为具（某种元素），将使其导电能力大大增强，成为具有

9、特定导电性能的有特定导电性能的。&第10章 电子电路中常用的器件（1）N 型半导体型半导体在硅或锗的晶体中掺入五价元在硅或锗的晶体中掺入五价元 素素。N 型型磷原子磷原子自由电子自由电子电子为电子为多多数载流数载流子子空穴为空穴为少少数载流数载流子子载流子数载流子数 电子数电子数+5+4+4+4+4+4正离子正离子多数载多数载流子流子少数载少数载流子流子N 型半导体的简化图示型半导体的简化图示&第10章 电子电路中常用的器件P 型型硼原子硼原子空穴空穴空穴空穴 多子多子电子电子 少子少子载流子数载流子数 空穴数空穴数（2）P 型半导体型半导体在硅或锗的晶体中掺入三价元在硅或锗的晶体中掺入三价元

10、 素素。+4+4+4+4+4+3P型半导体的简化图示型半导体的简化图示多数载多数载流子流子少数载少数载流子流子负离子负离子&第10章 电子电路中常用的器件 结论结论:.杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数载流子和少数载流子（简称多子、少子）载流子和少数载流子（简称多子、少子） . 杂质半导体中多数载流子的数量取决于参杂浓杂质半导体中多数载流子的数量取决于参杂浓度，少数载流子的数量主要取决于温度。度，少数载流子的数量主要取决于温度。. 杂质半导体中起导电作用的主要是多子。杂质半导体中起导电作用的主要是多子。. N型半导体中电子是多子，空穴是少子。型半导

11、体中电子是多子，空穴是少子。 P型半导体中空穴是多子，电子是少子。型半导体中空穴是多子，电子是少子。&第10章 电子电路中常用的器件10.2 PN PN结结&第10章 电子电路中常用的器件（一）载流子的浓度差引起多子的扩散（一）载流子的浓度差引起多子的扩散（二）（二） 复合使交界面形成空间电荷区复合使交界面形成空间电荷区( (耗尽层耗尽层) )无载流子、无载流子、 阻止扩散进行、阻止扩散进行、利于少子的漂移。利于少子的漂移。（三）扩散和漂移达到动态平衡（形成（三）扩散和漂移达到动态平衡（形成PN结）结）扩散电流扩散电流 等于漂移电流，等于漂移电流， 总电流总电流 I = 0。内电场内电场由浓度

12、差引起的载流子运动。由浓度差引起的载流子运动。载流子在电场力作用下引起的运动。载流子在电场力作用下引起的运动。P区区N区区&第10章 电子电路中常用的器件&第10章 电子电路中常用的器件 归纳归纳:.空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中没有载流子。 . 空间电荷区中内电场阻碍多子（空间电荷区中内电场阻碍多子（P中的空穴，中的空穴，N中的电子）的扩散运动。中的电子）的扩散运动。. 空间电荷区中内电场推动少子（空间电荷区中内电场推动少子（P中的电子，中的电子，N中的空穴）的漂移运动。中的空穴）的漂移运动。. P中的电子和中的电子和N中的空穴（都是少子）数量有限，中的空穴（都是少子）数量有限，因此由

13、它们形成的漂移电流很小。因此由它们形成的漂移电流很小。&第10章 电子电路中常用的器件（一）加正向电压（一）加正向电压( (正向偏置正向偏置) )导通导通P 区区N 区区内电场内电场+ UR外电场外电场外电场使多子向外电场使多子向 PN 结移动结移动,中和部分离子中和部分离子使空间电荷区变窄。使空间电荷区变窄。 I限流电阻限流电阻扩散运动加强形成正向电流扩散运动加强形成正向电流 I 。I = I多子多子 I少子少子 I多子多子（二）加反向电压（二）加反向电压( (反向偏置反向偏置) )截止截止P 区区N 区区 +UR内电场内电场外电场外电场外电场使多子背离外电场使多子背离 PN 结移动，结移动

14、， 空间电荷区变宽。空间电荷区变宽。IPN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。反偏截止，电阻很大，电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流漂移运动加强形成反向电流 II = I少子少子 0&第10章 电子电路中常用的器件&第10章 电子电路中常用的器件&第10章 电子电路中常用的器件 PN结的单向导电性结的单向导电性:.正向特性：外电场削弱内电场，正向特性：外电场削弱内电场，PN结电阻小，结电阻小，电流大，导通；电流大，导通；I的大小与外加电压有关。的大小与外加电压有关。. 反向特性：外电场增强内电场，反

15、向特性：外电场增强内电场，PN结电阻大，结电阻大，反向电流很小，截止；反向电流很小，截止；I反的大小与少子的数量有关，与温度有关。反的大小与少子的数量有关，与温度有关。&第10章 电子电路中常用的器件10.3 二极管二极管&第10章 电子电路中常用的器件构成：构成： PN结结 + 引线引线 + 管壳管壳 = 二极管二极管 (Diode)符号：符号：分类：分类：按材料分按材料分硅二极管硅二极管锗二极管锗二极管按结构分按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型点接触型点接触型正极正极引线引线触丝触丝N型锗片型锗片外壳外壳负极负极引线引线负极引线负极引线 面接触型面接触型N型锗型锗PN结结 正极引线正

16、极引线铝合金铝合金小球小球底座底座金锑金锑合金合金平面型平面型正极正极引线引线负极负极引线引线集成电路中平面型集成电路中平面型pNP型支持衬底型支持衬底&第10章 电子电路中常用的器件OuD /ViD /mA正向特性正向特性Uth死区死区电压电压iD = 0Uth = 0.5 V 0.2 V(硅管硅管)(锗管锗管)U UthiD 急剧上升急剧上升0 U Uth 反向特性反向特性U (BR)反向击穿反向击穿U（BR) U 0 iD 0.1 A(硅硅) 几十几十 A (锗锗)U U（BR）反向电流急剧增大反向电流急剧增大(反向击穿反向击穿)击穿击穿电压电压&第10章 电子电路中常用的器件反向击穿类

17、型：反向击穿类型：电击穿电击穿热击穿热击穿反向击穿原因反向击穿原因： 齐纳击穿齐纳击穿： 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。反向电场太强，将电子强行拉出共价键。雪崩击穿：雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子数突增。使自由电子数突增。 PN结未损坏，断电即恢复。结未损坏，断电即恢复。 PN结烧毁。结烧毁。&第10章 电子电路中常用的器件1. IOM 最大整流电流最大整流电流（二极管长期使用时，允许流过二二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。极管的最大正向平均电流。）2. URM 最大反向电压最大反向电压 （二极管正常工作时允许承

18、受的最二极管正常工作时允许承受的最大反向工作电压大反向工作电压。手册上给出的最高反向工作电压。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是一般是UBR的一半。的一半。）3. IRM 最大反向电流最大反向电流（二极管加最大反向电压时的电流，二极管加最大反向电压时的电流，越小单向导电性越好越小单向导电性越好）一、理想二极管一、理想二极管特性特性uDiD符号及符号及等效模型等效模型SS正偏导通，正偏导通，uD= 0 ; 反偏截止，反偏截止， iD= 0&第10章 电子电路中常用的器件二、实际二极管二、实际二极管uDiD例例 硅二极管，硅二极管，R = 2 k ，求出，求出 VDD = 2 V 时时 IO

19、 和和 UO 的值。（忽略二极管正的向工作电压）的值。（忽略二极管正的向工作电压）UOVDDIOR解：解： VDD = 2 V IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA)UO = VDD = 2 VUOVDDIOR硅管硅管 0.6-0.7 V锗管锗管 0.2-0.3 V二极管正的二极管正的向工作电压向工作电压&第10章 电子电路中常用的器件例例 二极管构成二极管构成“门门”电路，设电路，设 D1、D2 均为理均为理想二极管，当输入电压想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压为低电压 0 V 和高和高电压的不同组合时，求输出电压电压的不同组合时，求输出电压 UF 的值。的值。0

20、 V正偏正偏导通导通正偏正偏导通导通0 V0 V 5 V正偏正偏导通导通反偏反偏截止截止0 V5 V 0 V反偏反偏截止截止正偏正偏导通导通0 V5 V 5 V正偏正偏导通导通正偏正偏导通导通5 VFR3 k 12 VD1D2BAUAUBUFR3 k 12 VVDDD1D2BAF输入电压输入电压理想二极管理想二极管输出输出电压电压UAUBD1D20 V 0 V正偏正偏导通导通正偏正偏导通导通0 V0 V 5 V正偏正偏导通导通反偏反偏截止截止0 V5 V 0 V反偏反偏截止截止正偏正偏导通导通0 V5 V6V正偏正偏导通导通反偏反偏截止截止5 V&第10章 电子电路中常用的器件&第10章 电子

21、电路中常用的器件课本课本P155第第10.5题题第10章 电子电路中常用的器件课本课本P155第第10.6题题第10章 电子电路中常用的器件课本课本P155第第10.7题（设二极管为理想二极管）题（设二极管为理想二极管）第10章 电子电路中常用的器件10.4 稳压二极管稳压二极管第10章 电子电路中常用的器件 稳压管是一种特殊的面接触稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。型半导体硅二极管。I/mAUZ /VOUZIZIZM+ 正向正向 +反向反向 UZ IZ符号符号工作条件：工作条件：反向击穿反向击穿&第10章 电子电路中常用的器件1. 稳定电压稳定电压 UZ 稳压二极管在正常工作时管子两

22、端的电压。稳压二极管在正常工作时管子两端的电压。2. 稳定电流稳定电流 IZ 稳压二极管在正常工作时的电流。稳压二极管在正常工作时的电流。3. 最大工作电流最大工作电流 IZM 稳压二极管允许通过的最大反向电流。稳压二极管允许通过的最大反向电流。4. 动态电阻动态电阻 rZrZ = UZ / IZ 电压变化量与电流变化量的比值，越小稳压效果越好。电压变化量与电流变化量的比值，越小稳压效果越好。P ZM = UZ IZM5. 最大允许耗散功率最大允许耗散功率 PZM 稳压二极管不至于发生热击穿而损坏的稳压二极管不至于发生热击穿而损坏的 最大功率损耗。最大功率损耗。&第10章 电子电路中常用的器件

23、 稳压二极管在工稳压二极管在工作时应反接，并作时应反接，并串入一只电阻。串入一只电阻。电阻的作用一是起电阻的作用一是起限流限流作用，以保护稳压管；作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，变化的量由电阻上电压降的变化，变化的量由R R承担，从承担，从而起到稳压作用。而起到稳压作用。UO VDZRRL+&第10章 电子电路中常用的器件例例 稳压二极管稳压二极管DZ1稳定电压为稳定电压为6V，DZ2稳定电压稳定电压为为8V，正向压降都为，正向压降都为0.5V，问下图中，问下图中UO电压值（图电压值（图中上方为中上方为DZ

24、1，下方位，下方位DZ2）。）。20V20V20VUOUOUO&第10章 电子电路中常用的器件课本课本P155第第10.9题题&第10章 电子电路中常用的器件10.5 发光二极管发光二极管第10章 电子电路中常用的器件一、发光二极管一、发光二极管 LED ( (Light Emitting Diode) )工作条件：工作条件：正向偏置正向偏置一般工作电流几十一般工作电流几十 mA， 导通电压导通电压 (1 2) V发光类型：发光类型： 可见光：可见光：红、黄、绿红、黄、绿显示类型：显示类型： 普通普通不可见光：不可见光：红外光红外光，点阵，点阵 LED符号符号七段七段 LED&第10章 电子电

25、路中常用的器件&第10章 电子电路中常用的器件每字段是一只每字段是一只发光二极管发光二极管 低电平驱动低电平驱动二、数码管二、数码管1. 共阳极共阳极abcdefg 高电平驱动高电平驱动2. 共阴极共阴极abcdefgaebcfgdcomcom&第10章 电子电路中常用的器件&第10章 电子电路中常用的器件&第10章 电子电路中常用的器件10.6 晶体管晶体管第10章 电子电路中常用的器件晶体管（晶体管（三极管三极管）是最重要的一种半导体器件。）是最重要的一种半导体器件。部分三极管的外型部分三极管的外型&第10章 电子电路中常用的器件三层半导体材料构成三层半导体材料构成NPN型、型、PNP型型

26、NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbasecollectorNPN 型型ECB各区主要作用及结构特点：各区主要作用及结构特点：发射区：发射区：作用：作用：发射载流子发射载流子 特点：特点：掺杂浓度高掺杂浓度高基区：基区：作用：作用：传输载流子传输载流子 特点：特点：薄、掺杂浓度低薄、掺杂浓度低集电区：集电区：作用：作用：接收载流子接收载流子 特点：特点：面积大面积大&第10章 电子电路中常用的器件PPNEBC按材料分：按材料分： 硅管、锗管硅管、锗管按结构分：按结构分： NPN、 PNP按使用频率分：按

27、使用频率分： 低频管、高频管低频管、高频管按功率分：按功率分：小功率管小功率管 1 WECBPNP 型型二、类型二、类型&第10章 电子电路中常用的器件一、晶体管放大的条件一、晶体管放大的条件1.内部条件内部条件发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电区面积大集电区面积大2.外部条件外部条件发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏二、晶体管的电流分二、晶体管的电流分 配和放大作用配和放大作用实验电路实验电路mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6 A &第10章 电子电路中常用的器件mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6 A1.测量结果测量结果IB

28、/mA00.010.020.030.040.05IC/mA 0.0010.501.001.602.202.90IE/mA 0.0010.511.021.632.242.95IC/ IB5050535558IC/ IB50606070(1)BCEIII 符合符合KCL定律定律(2) IC和和IE比比IB大得多大得多(3) IB 很小的变化可以引起很小的变化可以引起 IC很大的变化。很大的变化。 即：即：&第10章 电子电路中常用的器件2.晶体管内部载流子的运动规律晶体管内部载流子的运动规律(1) 发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电子电子， 形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CE多数

29、向多数向 BC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICE。IE少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IBE 。I BE基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供( (IB) )集电区少子漂移集电区少子漂移( (ICBO) )I CBOIBIBE = IB + ICBO即：即：IB = IBE ICBO (3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 ICICI C = ICE + ICBO (2)电子到达基区后电子到达基区后&第10章 电子电路中常用的器件3. 晶体管的电流分配关系晶体管的电流分配关系 当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、当

30、管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电区面积等是确定的，故电流的比例关系确定，即：集电区面积等是确定的，故电流的比例关系确定，即：IB = I BE ICBO IC = ICE + ICBOBECEII BCEIII BC II BE )1(II CBOBCBOCIIII BCII (直流电流放大倍数）直流电流放大倍数） 1.晶体管在发射结正向偏置、晶体管在发射结正向偏置、集电结反向偏置的条件下具有电流集电结反向偏置的条件下具有电流放大作用。放大作用。 2.晶体管的电流放大作用，实晶体管的电流放大作用，实质上是基极电流对集电极电流的控质上是基极电流对集电极电流的控制作用。制作用。&第10

31、章 电子电路中常用的器件一、输入特性一、输入特性输入输入回路回路输出输出回路回路常数常数 CE)(BEBuufiRCECiBIERB+uBE +uCE EBCEBiC+ + + BEuBiOV 1CE uV 1CE u与二极管的正向特性类似。（集电结反偏）与二极管的正向特性类似。（集电结反偏）导通电压导通电压 UBESi 管管: (0.6 0.7) VGe管管: (0.2 0.3) V&第10章 电子电路中常用的器件二、输出特性二、输出特性常数常数 B)(CECiufi 1.调整调整RB使基极电流为某使基极电流为某一数值一数值。 2.基极电流不变，调整基极电流不变，调整EC测量测量集电极电流和

32、集电极电流和uCE 电压。电压。输出特性曲线输出特性曲线50 A40 A30 A10 AIB = 020 AuCE /VO 2 4 6 8 4321iC / mAmAICECIBRBEBCEB3DG6 ARCV+uCE &第10章 电子电路中常用的器件二、输出特性二、输出特性常数常数 B)(CECiufiuCE较小时，不能保证集电结较小时，不能保证集电结反向偏置，不能把处于基区的反向偏置，不能把处于基区的电子收集过来，没有电流放大电子收集过来，没有电流放大作用，作用，iC不受不受iB的控制。当的控制。当uCE增加到一定值后，集电结反向增加到一定值后，集电结反向偏置，偏置，iC受受iB控制。控制

33、。输出特性曲线输出特性曲线50 A40 A30 A10 AIB = 020 AuCE /VO 2 4 6 8 4321iC / mAmAICECIBRBEBCEB3DG6 ARCV+uCE &第10章 电子电路中常用的器件iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止区：截止区： IB 0 IC 0条件：条件：两个结反偏两个结反偏2. 放大区：放大区：BCII 3. 饱和区：饱和区：UBC 0， UBE 0 条件：条件：两个结正偏两个结正偏特点：特点：I C IB放大区放大区截止区截止区饱饱和和区区条件：条件：发射结正偏发射

34、结正偏 集电结反偏集电结反偏特点：特点：水平、等间隔水平、等间隔ICEO输出特性曲线输出特性曲线BECIBIEIC&第10章 电子电路中常用的器件特性归纳特性归纳输入特性输入特性同二极管的正向特性同二极管的正向特性UBE IB 输出特性输出特性(NPN为例为例)一组曲线（一个一组曲线（一个IB对应一条曲线对应一条曲线）UBE 0， UBC 0， UBE 0 IC = IB 发射结正偏，集电结正偏发射结正偏，集电结正偏无电流放大作用无电流放大作用放大区放大区截止区截止区饱和区饱和区BCII &第10章 电子电路中常用的器件BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型

35、三极管注意注意！只有：只有：发射结正偏，集电结反偏，发射结正偏，集电结反偏，晶体管才能工作在放大状态。晶体管才能工作在放大状态。CBEVVVCBEVVV&第10章 电子电路中常用的器件一、一、共发射极共发射极电流放大系数电流放大系数iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 00 2 4 6 8 4321 BC一般为几十一般为几十 几百几百Q82A1030A1045. 263 80108 . 0A1010A10)65. 145. 2(63 1.直流电流放大系数直流电流放大系数2.交流电流放大系数交流电流放大系数 BCII &第10章 电子电路中常用的器件 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 二、二、极间反向电流极间反向电流ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开发射极开路时，集电结的反向饱和电流。路时，集电结的反向饱和电流。 即输出特性曲即输出特性曲线线IB=0那条曲线所那条曲线所对应的对应的Y坐标的数值。坐标的数值。 ICEO也称为集电极也称为集电极发射极间穿透电流。发射极间穿透电流。+b