填空判断题DOC

1、一、 判断下列说法是否正确，用“对”或“错”表示判断结果（每题 1分，共 10 分）1.半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。（2.三极管共集电极电路的发射极电阻Re 可以稳定静态工作点。（3.结型场效应管外加的栅 -源电压应使栅 -源间的耗尽层承受反向电压， 才能保证其RGS 大的特点。（ ）4.差分放大电路采用双端输出时，在理想对城情况下其共模抑制比为无穷大。（5.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。6.可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。（7.共集电极电路的输入阻抗高，输出阻抗低，电压放大倍数大。（8.过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。（9.互

2、补输出级应采用共集或共漏接法。 （ ）10.乙类功率放大电路的效率最高，理论上可达 78.5 ，但存在交越失真。（11.因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（12. 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（13. 放大电路的输出功率是由有源元件提供的；（14. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；15. 差分放大电路中的发射极公共电阻对共模信号和差模信号都存在影响，因此，这种电路是靠牺牲差模电压放大倍数来换取对共模信号的抑制作用的。（16. 若放大电路的负载不固定， 为使其电压放大倍数稳定， 可以引入电压

3、负反馈， 也可以引入电流负反馈。（17. 电子电压表不可以用来测量三极管放大电路的静态工作电压。（18. 功放电路的效率是指输出功率与输入功率之比。（19. 迟滞比较器的抗干扰能力比过零比较器强。（）N型半导体。（）fo=1/RC 。（21. 在 P 型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为22. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（23. JFET工作在放大状态时，其栅源间PN结应为正偏。（）24. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（25. 放大电路中由线性电抗元件所引起的失真称非线性失真。（26. 多级放大电路的频带宽度比其中任一单级电路的频带都宽。27.

4、当放大电路的参数确定以后，其增益带宽积为一常数。（28. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。29. 石英晶体在电容三点式振荡电路中，起电感作用。（30. 只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（31. 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。32. 电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。33. 使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。34. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。35. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。36. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。37.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区

5、。38. 集成运放在开环或施加负反馈情况下一定工作在非线性区。39. 只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。40. 直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。41. 只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。42. 引入直流负反馈可以稳定静态工作点。43. 负反馈越深，电路的性能越稳定。44. 零点漂移就是静态工作点的漂移。45. 放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。46. 镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。47. 半导体中的空穴带正电。48. P型半导体带正电，N型半导体带负电。49.实现运算电路不一定非引入负反馈。50.凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区

6、。二、填空题（每空1分，共28 分）1.当PN结正向偏置时，扩散电流.漂移电流，耗尽层。当PN结反向偏置时，扩散电流2.三极管的外加偏置满足时，工作在放大区。3.当温度升高时，晶体三极管的U BE将.场效应管是通过改变来改变,I CEO.。（增大或减小）的，所以它是一个器件；根据结构的.漂移电流。（填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄两种类型。不同，场效应管可分为4.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路，其目的是5.在差分放大电路中，两输入端获得 的一对大小相等，极性相反的信号.信号；而大小相等，极性相同的信号称为信号。6.已知某深度负反馈电路Aud=100, F=0.1，则Au

7、f =7.正弦波振荡电路一般由等四个环节组成，而且缺一不可。8.正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是:9.若采用市电供电，则通过和后可得到稳定的直流电。10.硅二极管的门槛电压约为，导通压降约为11.要使三极管处于放大状态，发射结必须，集电结必须12.根据结构的不同，晶体三极管可分为两种类型。13.理想运算放大器的开环放大倍数Aod为，输入阻抗Rid为，输出阻抗Fbd为_共模抑制比为KCMF为，频带宽度BW为14.功率放大器的基本要求是:1）应有输出功率；2）效率要;3）非线性失真；4）放大管要采取散热等保护措施。15.乙类互补对称功率放大电路的效率高，但存在，解决的方法是采用16.为得到一

8、电流-电压转换电路，应采用负反馈放大电路；为得到一电压 -电流转换电路，应采用负反馈放大电路。17.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是电容和电容的存在。18.P型半导体的多子是,N型半导体的多子是，二极管的最主要特性是19.多级放大器级间耦合方式一般有和变压器耦合三种，其中多用于集成电路中。20.射级输出器具有等特点。21.三极管具有电流放大作用的外部条件是22.已知一个放大器的中频增益为40dB, fL = 100KHZ，则该电路在fL处的增益为dB，该电路的中频放大倍数为23.差动放大电路在不带负载的情况下，其双入双出差模放大倍数是单入双出差模放大倍数的24.在差分电路中，两

9、输入端所获得对地大小相等，极性相反的信号电压称信号，大小相等极性相同的信号电压称信号。25.已知某深度负反馈电路 Aud=50 , F=0.1，则AUf= 。26.差分放大电路是为了而设置的，衡量其对共模信号抑制能力的参数是27.乙类互补对称功率放大电路中存在的失真为28.二极管最主要的特性是29.差分放大电路，若两个输入信号UI1=UI2，则输出电压Uo=；若U l1 = 100AV ,u I 2=80 W,则差模输入电压 Uld=叫；共模输入电压 Ulc=也。A.饱和失真B .截止失真dB,折合为30.若三级放大电路中Aui=Au2=30dB, Au3=20dB，则其总电压增益为倍。31.

10、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =、静态时的电源功耗Pdc =。这类功放的能量转换效率在理想情况下可达到，但这种功放有失真。三、单项选择题3-1所1.测得工作在放大电路中的某晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小和方向如图示。则管子的类型、从左至右的管脚极性和3值分别为）。6,1mA0.1mA图3-1A. NPN c,e,b,61B.PNP, e,c,b,61D.PNP, c,b,e,60C. NPN, c,b,e,602.图3-2所示电路中，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（a.VD导通,Uao=9VB.VD截止,Uao=- 12VC.VD截止,Uao=12VD.VD

11、导通,Uao= 9V3.如果将三极管的基极和发射极短路，则（A.管子深度饱和B .发射结反偏C.管子截结烧坏Q+EcD .集电4.图3-4电路中，当输入1KHZ、5mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，则这种失真是（）；c.交越失真D频率失真为了消除此失真，应（）。A. 减小集电极电阻 Rc B 改换B小的管子C.增大基极偏置电阻 Rb D .减小基极偏置电阻 Rb 5.若要得到一个 PNP型复合管，可选择下列 4种接法中的（）。乙N 口6.(A.直接耦合B.变压器耦合C .阻容耦合7.要得到一个Ri大，Ro小的阻抗变换电路，应选择（）负反馈电路。A. 电压串联B. 电压并联C.

12、电流串联D.电流并联8.对直流通路而言，放大电路中的电容应视为（）。A.直流电源B.开路C.短路9. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是）,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。）放大电路便于集成，但各级的静态工作点不独立，相互影响。A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。C.半导体管的非线性特性D. 放大电路的静态工作点不合适10. 在晶体管放大电路中，测得晶体管的三个电极的电位如下图所示。试判断：管子的类型为三个电极：为A. NPNB. PNP C. b,e,cD. c,e,b E. e,c,b.5V11. 放大电路在已经设置了合理的静态工作

13、点后，若在输入端加入交流信号，这时工作点将A.沿直流负载线移动B.沿交流负载线移动C.不移动D.C不确定112.右图示电路中，当输入 1KHz 5mV的正弦波时,输出信号波形出现了底部削平的失真，则:这种失真是A.饱和失真B .截止失真C .交越失真D. 频率失真为了消除此失真，应A.减小集电极电阻 Rc B .改换B小的管子C.增大基极偏置电阻 Rb D.减小基极偏置电阻Rb13.A.直接耦合B.光电耦合C .阻容耦合14.三极管共集电极电路属于负反馈。A、电压串联B、电压并联C、电流串联D、电流并联电路中各级的静态工作点相互独立，互不影响，但不能用于直流或缓慢变化信号的放大。17.正弦波振

14、荡电路的振幅起振条件是O15.若差分放大电路为双端输入，输出方式由双端输出变为单端输出时，其差模电压放大倍数A增大一倍B.减小一倍C.不变D.不能确定A.提高共模抑制比16.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路，其目的是B .提高电路的稳定性D .增大输入电阻C.提高电路的增益A:耦合电容和旁路电容的存在;B:半导体管极间电容和分布电容的存在。A.|AF| < 1B. |AF|=1C. |AF| > 1D . |AF| = 018.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3KQ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为19.20.A.0.5K Q B

15、. 1K Q C. 2K Q放大电路中某三极管三个管脚测得的对地电压分别为A.N PN锗三极管B.PNP 锗三极管C.NPND.3 K Q-5，-1，-1.7V，则其类型为硅三极管D. PNP 硅三极管若要得到一个NPN型复合管，可选择下列4种接法中的F 上 g21.UGS= 0V时，不能够工作在放大区的场效应管有A. 结型管B.增强型most C. 耗尽型MOSt22.通用型集成运算放大器，其输出级采用的电路形式为A.差分式放大电路B.互补对称式放大电路C.射级输出器23.已知放大电路输入信号电压为 2mV输出电压为0.2V;加入负反馈后，为达到同样输出时需要加的输入信号为20mV该电路的反

16、馈深度为，反馈系数为A: 1 B : 10 C : 0.9 D: 0.0924.为使放大电路的输入电阻增加，输出电流稳定，应采用A.电压串联负反馈B.电压串联负反馈C.电压串联负反馈 D.电压串联负反馈25.某乙类功率放大电路的最大输出功率为Pom，则选取的BJT的最大功耗应A.大于 POM B.大于 0.5Pom c.大于 0.2Pom26.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是C :半导体管的非线性特性D :放大电路的静态工作点不合适27.在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V，-9.3 V，则这只三极管是）。A. NPN型硅管 B.NPN 型锗管

17、C.PNP型硅管 D.PNP 型锗管28.某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。A. P沟道增强型MOSt B 、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOSf D 、N沟道耗尽型MOSf29.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大30. RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成，即RC串并联选频网络和（）。A.基本共射放大电路B. 基本共集放大电路C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路31.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（）。A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器 D.滞回比较

18、器32.与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是a.不用输出变压器b .不用输出端大电容c .效率高 d .无交越失真33.稳压二极管稳压时，其工作在（），发光二极管发光时，其工作在（）。a.正向导通区 b 反向截止区 c反向击穿区34. 1 . N型半导体中的多子是A.电子 B. 空穴 C.正离子D.负离子35.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A.温度 B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷36.当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。A.大于 B. 小于 C.等于37.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B .前者正偏、后者反偏C

19、 .前者正偏、后者也正偏Vo为38.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压。.（设二极管的导通压降为0。）A. 5.6V B. -4.3VC. -5V D. 6V39.当温度升高时,双极型晶体管的3将A.增大 B.减小 C .不变40.设硅稳压管 DZ1和DZ2的稳定电压分别为 5V和8V,正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为A.4.3V B. 8V C. 5V D. 0.7V41.场效应管是控制器件。A.电流 B .电压912 VQ15 VO 14.8V42.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管A. Ge PNP管

20、B . Ge NPN管 C . Si , PNP管 D . Si , NPN管 43.在集成运算放大器中，输入级采用差分放大电路的主要目的是A.提高输入电阻B.稳定放大倍数C.克服温度漂移44.直接耦合放大电路能放大信号，阻容耦合放大电路能放大信号。A.直流.交流C.交、直流45.为稳定输出电流、减小输入电阻，应引入负反馈。A.电压串联.电压并联 C.电流串联D.电流并联46.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用电路。A.微分运算.积分运算.同相比例47.正弦波振荡器的振荡条件为A. AF =1 B . aF = 1 C . Af=O d .* AF=148.石英晶体发生串联谐振时，呈现A.电

21、感性 B .纯阻性 C.电容性49.图示放大电路中，图（a）中T1、T2分别是接法，图（b）中T1、T2分别是法。50.图（a）放大电路是耦合方式，图（b）放大电路是耦合方式。A.阻容.变压器.直接51.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,V0和Vi的相位A.同相 B. 反相C. 相差90度 D.不确定52. 在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入A.交流负反馈和直流负反馈B. 直流负反馈C.交流负反馈D.交流正反馈53. 如果希望减小放大电路从信号源获取的电流，同时希望增加该电路的带负载能力，则应引入A.电流串联负反馈B.电压串联负反馈 C.电流并联负反馈D.电压并联负反馈54.

22、 在甲类放大电路中，放大管的导通角等于。在乙类放大电路中，放大管的导通角等于63.图示放大电路中，T1、T2分别是接法。A. 1800 B.3600 C. 270055. PN结加正向电压时，空间电荷区将A.变宽 B.变窄 C.基本不变56.场效应管是控制器件。.电压A.电流 57.当晶体管工作在饱和区时，发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏后者也反偏B .前者正偏后者反偏C .前者正偏后者也正偏58.图示电路，二极管是理想的，则开关S打开时的输出电压UoA.5.7V B . 6V C . 12V59.当温度升高时，双极型晶体管的3将A.增大 B .减小 C .不变60.放大电路中晶体管各电

23、极的直流电位如图所示，由此可知该管A.Ge PNP管 B . Ge NPN管 C . Si , PNP管 D . Si ,NPN管61.A.提高输入电阻 B .稳定放大倍数C .克服温度漂移62.变压器耦合放大电路能放大信号，直接耦合放大电路能放大信号。A.直流B .交流.交、直流在集成运算放大器中，输入级采用差分放大电路的主要目的是±14TlAcA.共集-共基.共射-共集C 共射-共基64.为稳定输出电流、增大输入电阻，应引入负反馈。A.电压串联B.电压并联C电流串联 D.电流并联65.欲将三角波电压转换成方波电压，应选用电路。A.微分运算积分运算.同相比例66.正弦波振荡器的振荡

24、条件为67.* * * *A. AF =1 B AF = 1C * *AF =0* 4AF=168.石英晶体发生串联谐振时，呈现A .电感性纯阻性电容性69.电压比较器中的运算放大器工作在，运算电路中的运算放大器工作在A .负反馈 B.开环或正反馈70.在图1-1所示的电路中，当电源V=5V时，测得l=1mA。若把电源电压调整到 V=10V则电流的大小将是AI=2mAB.I<2mAC.I>2mA71.设上述电路中保持 V=5V不变。当温度为20摄氏度时，测得二极管正向电压VP=0.7V。当温度上升到40摄氏度时，贝y VP的大小是72.A等于0.7VB.大于0.7C.小于0.7VP

25、N结外加正向电压时，扩散电流.漂移电流，耗尽层A.等于B.大于C.小于D.变宽 E变窄 F.不变73.在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是A饱和失真 B.截止失真C.交越失真D.频率失真 74.为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么电路?A.共射电路 B.共基电路C.共集电路75.用一个PNP型和一个NPN型管组成等效 PNP型符合管时，图1-6所示的abed接法中,是正确的。76.77.图1-6负反馈所能抑制的干扰和噪声是A.输入信号所包含的干扰和

26、噪声;C.反馈环外的干扰和噪声;D.共模抑制比KCMR是A:差模输入信号与共模成分B.反馈环内的干扰和噪声;输出信号中的干扰和噪声。之比。B :输出量中差模成分与共模成分C:差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。78.抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用电路。A:差放；B:正弦；C:数字79.场效应管属于（）控制型器件，晶体三极管则属于（）控制器件。a：电压；b:电流；C：电感；d：电容。80.二极管的最主要特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）和反映反向特性的）。a:单向导电性；b :平均整流电流；C：反向工作电压。81. 一晶体管的极限参数：PCM=150m,WICM=100mA

27、U （ BR） CEO=30V若它的工作电压 UCE=10V则工作电流IC不得超过（）mA若工作电压 UCE =1V则工作电流Ic不得超过（）mA若工作电流lc=1mA,则工作电压 UCE不得超过（）V。a ： 15； b ： 100； C： 30； d： 150。82. 并联反馈的反馈量以（）形式馈入输入回路，和输入（）相比较而产生净输入量。a: 电压 b: 电流 C: 电压或电流83. 产生低频正弦波一般可用（）振荡电路；产生高频正弦波可用（）振荡电路；要求频率稳定性很高，则可用（ ）振荡电路 。a：石英晶体；b : LC； C : RC）。84. 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（a：杂质浓度；b：温度；C：输入；d:电压。85. 电压负反馈可稳定输出（），串联负反馈可使（）提高。a：电压b :电流c :输入电阻d :输出电阻86. 稳压管构成的稳压电路，其接法是（）。a: 稳压二极管与负载电阻串联 b: 稳压二极管与负载电阻并联。87. C:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联88.共模抑制比KCMR是（）之比。a：差模输入信号与共模成分：输出量中差模成分与共模成分 C ：差模放大倍数与共模放大倍