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1、1会计学结型场效应晶体管结型场效应晶体管2DI 图图3.1对称对称n沟沟pn结结JFET的横截面的横截面漏源电压在沟道区产生电场，使多子从源极流向漏极。DI 图图3.1对称对称n沟沟pn结结JFET的横截面的横截面厚度几厚度几十几十几微米微米两边夹两边夹结型结型:大于大于107，绝缘栅，绝缘栅:1091015。VGS=0VGS0VGS0VDS01、 VGS =0的情况：注：a.栅结p+n结近似单边突变结。 b.沟道区假定为均匀掺杂 。（1）器件偏置特点 VDS =0时 栅结只存在平衡时的耗尽层 沿沟长方向沟道横截面积相同 VDS0 漏端附近的耗尽层厚度,向沟道区扩展，沿沟长方向沟道横截面积不同

2、, 漏端截面A最小。VDS较小：VDS增大：VDS较大：增加到正好使漏端处沟道横截面积 =0夹断点：沟道横截面积正好=0线性区过渡区ID存在，且仍由导电沟道区电特性决定零偏栅压小反偏栅压VGS0 漏（源）栅结已经反偏 ； 耗尽层厚度大于VGS =0的情况； 有效沟道电阻增加。DSVDIGSVGSVPVDIGSV结论：栅结反偏压可改变耗尽层大小，从而控制漏电流大小。n肖特基势垒代替PN结耗尽型：加负压耗尽层扩展到夹断（正压情况不行）耗尽型：加负压耗尽层扩展到夹断（正压情况不行）耗尽型：耗尽型：增强型：电压摆幅小，因为所加正压不能太高，否则从电流从栅极走掉了增强型：电压摆幅小，因为所加正压不能太高，否则从电流从栅极走掉了增强型：增强型：DI 图图3.1对称对称n沟沟pn结结JFET的横截面的横截面漏源电压在沟道区

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