快速充电各种方案简介

1、快速充电方案简介2014.12.11MTK PUMP EXPRESS介绍MTK PUMP EXPRESS介绍PUMP EXPRESS通过设置充电芯片的输入电流来调整VBUS上的脉冲信号MTK PUMP EXPRESS介绍BQ25890简介1.输入最大3.25A，输出最大5A。2. 93% Charge Efficiency at 2 A and 91% Charge Efficiency at 3 A Charge Current3. Converter with up-to 2.4 A Output4.Integrated ADC for System Monitor(Voltage, Te

2、mperature, Charge Current)5.兼容QC2.0与MTK PE+MTK参考设计TI建议魅族设计TI建议魅族设计TI建议魅族设计TI建议魅族设计TI建议魅族设计高通parallel charging高通parallel chargingBUCK电路的损耗分析能量的损耗来源1.Conduction losses2.Switching losses3.Gate drive losses4.Body-diode reverserecovery losses5. Body-diode conduction losses对于HS MOS来说major loss是Switching l

3、oss对于LS MOS来说 major loss是body-diode的reverse recovery和conduction lossTI对比高通TI BQ25890单芯片3A powerloss 1.17W高通parallel 3A充电 powerloss 1.472W如果QC2.0的话，目前BQ2589X系列只能让充电器输出12V，3A充电 powerloss 1.33WTI双charger方案可以更大电流充电，5A、6A。TI对比高通TI的辅助charger是从主charger的PMID上引出的，高通是完全的并行。TI这样会浪费一部分效率，以25m和1A电流来算，0.025W，但是带来

4、的好处是，对于充电器输出电流的控制与充电器最大输出电流的检测更简单一些，完全可以依赖于主charger的能力。高通是完全并行的，对于充电器最大输出能力的监测与输入电流的控制，需要通过软件处理。高通的charger电感前端都接了一个肖特基二极管来提高效率。TI不知道接上去可不可以，对提升效率来说有没有必要？Sometimes small Schottky diode is added in parallel to Sync FET to reduce MOSFET body diode reverse-recovery and conduction lossesTI对比高通ICO AND AIC

5、L:ICO和AICL都是用来检测充电器的最大输出能力以防止充电器过载，只是在高通和TI里叫法不同。 如果输入电流超出检测到的最大电流，芯片会自动给出一个输入限流（最差情况下会复位输入限流），寄存器可以关掉。原理是什么？相比VINDPM有什么区别？高通的AICL使用，需要将辅助charger的一个管脚接到PMI的一个ADC上，然后软件上做一些处理来完成AICL功能的实现，不知道这个管脚上的电压对输入电流的反馈准确不准确，而且软件实现的AICL我觉得应该是有缺陷的TI对比高通高通的parallel charging软件上有电流平衡算法MTK目前未知TI称CC不会有电流不平衡的问题TI对比高通高通采用SMB stepdown来延长PMI的恒流充电时间。TI对比高通TI的双charger充电需要充电芯片到电池连接器的阻抗控制一致，可以是两个芯片同时由CC转入CV模式。（MTK建议）高通的PMI和SMB都有VBAT SENSE，只需要把VBAT SENSE连在一起就可以同时由CC转入CV。但是恒压充电时尽量做到两路电流平衡恒压充电时尽量延长主CHARGER的CC时间，也可以说尽量做到电流不平衡你们认为呢？你们认为呢？TI对比高通关于电量计算，高通和MTK均有内置电量计，高通接在电池正极，MTK接在电池