专利信息分析在 竞争战略中应用

1、专利信息分析在专利信息分析在竞争战略中的应用竞争战略中的应用国家知识产权局发展研究中心国家知识产权局发展研究中心 陈陈 燕燕2009.3 2009.3 二、专利文献检索专利竞争情报获得的关 键步骤 2.12.1专利文献检索概述专利文献检索概述 2.22.2专利分类的应用专利分类的应用 2.32.3检索系统及主要检索入口检索系统及主要检索入口 2.42.4专利检索的专利检索的检索方法检索方法三、专利信息源专利信息源 专利信息源及其利用专利信息源及其利用专利竞争情报获得的基本保证 3.1 3.1 网上专利数据库的特点网上专利数据库的特点 3.2 3.2 网上专利数据库查询途径网上专利数据库查询途径

2、 3.3 3.3 中外专利检索网站介绍中外专利检索网站介绍 3.4 3.4 商业数据库商业数据库3.5 3.5 各国专利文献各国专利文献专利信息分析问题研究专利信息分析问题研究 如何选择专利检索如何选择专利检索的信息源？的信息源？四、专利信息分析 4.14.1专利分析含义专利分析含义 4.24.2专利分析流程专利分析流程 4.34.3专利分析内容专利分析内容 4.44.4专利分析方法专利分析方法 ( (专利指标的类型与应用专利指标的类型与应用) ) 4.54.5专利分析软件专利分析软件 4.64.6专利分析报告专利分析报告 4.74.7专利分析典型案例专利分析典型案例专利信息分析是产生专利竞争

3、情报的关键四、专利信息分析专利信息分析 4.24.2专利信息分析流程专利信息分析流程 拟定拟定目标目标 专利检索专利检索 数据处理数据处理 制作图表制作图表 解读图表解读图表4.34.3专利分析流程专利分析流程 专利信息分析流程通常分为三个阶段：专利信息分析流程通常分为三个阶段： 1 1、准备期、准备期 2 2、分析期、分析期 3 3、应用期、应用期专利技术生命周期示意图基础研究图 2 PVD专 利 申 请 人 数 量 和 专 利 申 请 量 随 时 间 变 化 图 （ 中 国 ）020040060080010001200198519861987198819891990199119921993

4、199419951996199719981999200020012002200320042005时 间数量专 利 申 请 量申 请 人 数 量专利技术生命周期示意图基础研究表2 PVD领域重点技术排名（中国）排名IPC技术主题专利申请量1C23C 14/34以溅射工艺为特征5382H01L 21/00制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备4253C23C 14/35以磁控溅射工艺为特征2694H01J 37/32充气放电的电子管2265H01L 21/306化学或电处理改变半导体材料的表面特性或形状1706H01L 21/3065等离子腐蚀1677H01L 21/205应用气态化合物的

5、还原或分解产生固态凝结物的，即：化学沉积1568H01L 21/68用于晶片定位、定向、或对准等1519C23C 14/06以镀层材料为特征的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆12610H01L 21/768利用互连在器件传输电流125基础研究表4 PVD专利的主要技术领域（EPI代码）EPI 代码涉及的技术主题涉及的专利数占总数的比例U11-C09A溅射及其他物理沉积装置414717.50%M13-G02阴极溅射装置，包括靶材320013.51%V05-F08D1A磁控管、阴极溅射装置257210.85%L04-D02阴极溅射装置20158.50%U11-C05C2传导层的物理沉积技术1906

6、8.04%V05-F05C磁电效应进行等离子刻蚀、溅射设备，如磁控管等18447.78%U11-F02A2晶圆加工过程中的夹具固定器设备17867.54%V05-F05E3溅射装置，如：防过负荷、工件冷却技术或设备、工件固定和传入系统等15486.53%X25-A04阴极溅射中的沉积层12785.39%U11-C09C等离子体、反应离子设备12325.20%M13-G01预处理技术12055.09%M13-G阴极溅射10854.58%L03-H04D离子束技术及微粒加速设备，包括磁控管10634.49%V05-F05E5有关管子的电路或检测8763.70%V05-F04B5C阴极溅射靶材865

7、3.65%基础研究3. 3. 专利技术发展趋势专利技术发展趋势某专利权人重点技术雷达分析图0501001990199119921993199419951996199719981999200020012002A44B19/00A44B19/26B65D33/25A44B19/42A44B19/16基础研究3. 3. 专利技术发展趋势专利技术发展趋势图12 东海公司F23Q2/16、F23Q2/28、 F23Q2/34时序图0123456781992 1993 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002F23Q2/16F23Q2/28F23Q2/34线性 (F2

8、3Q2/16)线性 (F23Q2/28)线性 (F23Q2/34)基础研究 表16 PVD等离子体技术领域主要竞争对手及其技术主题(中国)专利申请人专利申请量涉及技术主题东京毅力科创株式会社160等离子体处理装置拉姆研究公司63等离子体处理系统、等离子体处理器线圈、等离子体处理方法和装置松下电器产业株式会社41等离子体处理的方法及装置应用材料公司41集成电路浅沟槽隔离方法、溅射铜用自离化的等离子体等，涉及的技术较为全面台湾积体电路制造股份有限公司30晶片基座及使用该晶片基座的等离子体工艺大见忠弘27等离子体处理装置旺宏电子股份有限公司25多晶硅间介电层的制造方法、制造具有多层膜的半导体组件的方

9、法，其专利与等离子体处理关系不大三星电子株式会社24感应耦合式等离子体装置、高密度等离子体加工设备等株式会社半导体能源研究所23主要涉及半导体器件的制造方法基础研究5. 5. 专利技术分布861081353756717640200400600800英国法国韩国德国美国日本某领域国际专利技术分布国家申请量基础研究5. 5. 专利技术分布某领域专利技术主要国家分布图US28%JP20%DE14%AU8%FR7%KR7%GB5%CA5%CN4%BR2%USJPDEAUFRKRGBCACNBR基础研究6. 6. 主要主要技术人才技术人才基础研究专利公开年份 1987 1990 1991 1993 19

10、944658018Filed:1/13/1984Process for producing homogeneous colony stimulating factorAssignee :Immunex Corporation(Seattle, WA)4894440Filed: 9/17/1986Method of isolating megakaryocyte stimulatory factorAssignee: Massachusetts Institute of Technology (Cambridge, MA)5032396Filed: 1/17/1989IL-7 to stimul

11、ate platelet productionAssignee: Immunex Corporation (Seattle, WA)5260417Filed: 9/12/1991Megakaryocyte growth promoting activity proteinAssignee: Genetics Institute, Inc. (Cambridge, MA); University of Vermont and State Agricultural College (Burlington, VT)5326558Filed: 6/29/1990Megakaryocytopoietic factorAssignee: Genetics Institute, Inc. (Cambridge, MA)技术发展线路示意图技术发展线路示意图深入分析深入分析时间轴技术主题要素1的技术要素2的技术要素3的技术专利P1专利P2