微细加工与MEMS技术张庆中12物理淀积ppt课件

1、 在集成电路制造工艺中，经常需求在硅片的外表淀积各种在集成电路制造工艺中，经常需求在硅片的外表淀积各种固体薄膜。薄膜厚度普通在纳米到微米的数量级，薄膜资料可固体薄膜。薄膜厚度普通在纳米到微米的数量级，薄膜资料可以是金属、半导体或绝缘体。以是金属、半导体或绝缘体。 淀积薄膜的主要方法淀积薄膜的主要方法 热氧化常压热氧化、分压热氧化、高压热氧化等热氧化常压热氧化、分压热氧化、高压热氧化等 物理淀积真空蒸发镀膜、溅射镀膜、分子束外延等物理淀积真空蒸发镀膜、溅射镀膜、分子束外延等 化学汽相淀积化学汽相淀积CVD常压常压 CVD、低压、低压 CVD、等离子、等离子加强加强 CVD、汽相外延等、汽相外延等

2、 随着温度的升高，资料阅历从固相、液相到气相的变化。随着温度的升高，资料阅历从固相、液相到气相的变化。在任何温度下，资料周围都存在蒸汽，平衡蒸汽压为在任何温度下，资料周围都存在蒸汽，平衡蒸汽压为 pe 。温度。温度越高，平衡蒸汽压就越高。资料温度低于熔化温度时，产生蒸越高，平衡蒸汽压就越高。资料温度低于熔化温度时，产生蒸汽的过程称为汽的过程称为 升华；资料熔化后，产生蒸汽的过程称为升华；资料熔化后，产生蒸汽的过程称为 蒸发。蒸发。 被蒸发资料在真空室内加热，使其原子或分子经过蒸发大被蒸发资料在真空室内加热，使其原子或分子经过蒸发大量分开外表，淀积到硅片上构成薄膜。这种技术可以淀积熔点量分开外表

3、，淀积到硅片上构成薄膜。这种技术可以淀积熔点不太高的金属或热稳定性良好的化合物，成膜纯度高。不太高的金属或热稳定性良好的化合物，成膜纯度高。 有极少数资料经过升华的方式淀积薄膜，如有极少数资料经过升华的方式淀积薄膜，如 SiO 。 为了得到适宜的淀积速率，资料的平衡蒸汽压至少应为为了得到适宜的淀积速率，资料的平衡蒸汽压至少应为 10 mTorr。一定温度下，不同资料的平衡蒸汽压相差很大，难熔。一定温度下，不同资料的平衡蒸汽压相差很大，难熔金属如金属如 Ta、W、Mo 、Ti 等的平衡蒸汽压太低，不适宜用蒸发等的平衡蒸汽压太低，不适宜用蒸发的方式淀积薄膜。例如的方式淀积薄膜。例如 W 要超越要超

4、越 3000oC 才有才有 10 mTorr 的平的平衡蒸汽压，而衡蒸汽压，而 Al 在在 1250oC 就有同样的平衡蒸汽压。就有同样的平衡蒸汽压。 蒸发速率：蒸发速率： “液液 气气 过程中单位时间内从单位蒸发源面过程中单位时间内从单位蒸发源面积上蒸发出来的粒子数。蒸发速率只与温度积上蒸发出来的粒子数。蒸发速率只与温度 T 有关。有关。 净蒸发速率：扣除净蒸发速率：扣除 “气气 液液 过程后净蒸发出来的粒子数。过程后净蒸发出来的粒子数。净蒸发速率与温度净蒸发速率与温度 T 和蒸汽压和蒸汽压 p 两个要素有关。两个要素有关。 平衡蒸汽压：假设在一个密封的、且内外表不吸附蒸发物平衡蒸汽压：假设

5、在一个密封的、且内外表不吸附蒸发物质的容器中，在某一固定的温度下进展蒸发，此时蒸发速率是质的容器中，在某一固定的温度下进展蒸发，此时蒸发速率是固定的。但是随着蒸发的进展，容器中的压力增大，固定的。但是随着蒸发的进展，容器中的压力增大，“气气 液液 的数量增大，的数量增大， 使净蒸发速率下降。最后当使净蒸发速率下降。最后当 “液液 气气 和和 “气气 液液 的数量相等时，净蒸发速率降为零，压力那么坚持一个恒的数量相等时，净蒸发速率降为零，压力那么坚持一个恒定值定值 。称此时的蒸汽压为平衡蒸汽压，记为。称此时的蒸汽压为平衡蒸汽压，记为 pe 。pe 是温度是温度 T 的函数，随的函数，随 T 的升

6、高而急剧增大的升高而急剧增大 ( 见图见图 12.2 ) 。 蒸发时同时存在着蒸发时同时存在着 “液液 气气 和和 “气气 液液 两个过程。两个过程。 根据气体分子运动论，单位时间内碰撞到单位蒸发源面积根据气体分子运动论，单位时间内碰撞到单位蒸发源面积上的气体粒子数为上的气体粒子数为 留意，留意，Jn 与与 T、p 有关，而有关，而 Rn 只与只与 T 有关，由于有关，由于 pe 是是 T 的函数。假设容器壁与硅片不淀积蒸发料，那么的函数。假设容器壁与硅片不淀积蒸发料，那么 p = pe ，Jn = Rn ，净蒸发速率为零；反之，那么，净蒸发速率为零；反之，那么 p pe ，Jn Rn ，净蒸

7、发，净蒸发速率为速率为 在平衡形状时，在平衡形状时，p = pe ，故可得蒸发速率，故可得蒸发速率 Rn 为为2n2pJkTm2en2pRkTmnne102RJppkTm 将将 Rn 乘以原子质量乘以原子质量 m 就得到就得到 单位时间内从单位源面积上单位时间内从单位源面积上蒸发出来的质量蒸发出来的质量 RME ，即，即MEe2mRpkT 对大多数金属，当对大多数金属，当 pe = 10-2 Torr 时，时，RME 约约 10-4 g/cm2 s 。 普通情况下普通情况下 p pe ，那么净蒸发速率近似地就是，那么净蒸发速率近似地就是 Rn 。nne102RJppkTm式中，式中， 为粘着系

8、数，为粘着系数，As 为蒸发源外表积，为蒸发源外表积，t 为蒸发时间。再为蒸发时间。再 膜厚及其均匀性膜厚及其均匀性 1、点蒸发源、点蒸发源硅片面积硅片面积元元 dArDxr 由蒸发源蒸发出来的资料总质量为由蒸发源蒸发出来的资料总质量为 M = RMEAst ，经过立，经过立体角元体角元 淀积到硅片上面积元淀积到硅片上面积元 dAr 上的资料质量为上的资料质量为 dM，那，那么么dMLsddd44MMRA t将立体角元将立体角元rr2223 2cosddd()ADArDx 代入上式，得：代入上式，得：MEsr223 2dd4()RAtDMAxD 设薄膜密度为设薄膜密度为 ，硅片架为平板型，硅片

9、架为平板型，那么薄膜厚度那么薄膜厚度 W 为为rd( )dMW xAME2(0)4sRA tWD显然，中心处的膜最厚，显然，中心处的膜最厚， 为改良膜厚的均匀性，可将硅片架为改良膜厚的均匀性，可将硅片架改为球面型改为球面型 ，并将蒸发源置于球心处，并将蒸发源置于球心处 ，此时，此时，ME24sRA tWDDDx0MEs22 3 24()RAtDxD 其特点是蒸汽分子在空间的分布与角其特点是蒸汽分子在空间的分布与角度度 有关，蒸汽分子在与源平面法线方向有关，蒸汽分子在与源平面法线方向的夹角为的夹角为 的立体角元的立体角元 内的几率为内的几率为 2、小平面蒸发源、小平面蒸发源cosdd 故淀积在面

10、积元故淀积在面积元 dAr 上的质量为上的质量为cosddMM2MEsr222d()DRA tADxMEsr2coscosdRA tAr 当采用球面型硅片架，并将蒸发源置于球面上时，当采用球面型硅片架，并将蒸发源置于球面上时，MEs24RA tWrr 当采用平板型硅片架时，当采用平板型硅片架时，2MEs222rMEs2d( )d()(0)RA tMDW xADxRA tWD 为了进一步改良膜厚的均匀性，还可将硅片架设计成按为了进一步改良膜厚的均匀性，还可将硅片架设计成按 “行星方式行星方式 进展旋转。进展旋转。 蒸发工艺的主要缺陷之一是台阶覆盖性差，容易导致金属蒸发工艺的主要缺陷之一是台阶覆盖

11、性差，容易导致金属引线在台阶处断开，严重影响集成电路的可靠性和废品率。由引线在台阶处断开，严重影响集成电路的可靠性和废品率。由于金属化是集成电路制造过程的最后几个步骤，硅片外表的形于金属化是集成电路制造过程的最后几个步骤，硅片外表的形貌高差会比较严重，使台阶覆盖问题变得更加重要。貌高差会比较严重，使台阶覆盖问题变得更加重要。台阶覆盖性差台阶覆盖性差台阶覆盖性好台阶覆盖性好 处理方法处理方法 1、采用旋转硅片架；、采用旋转硅片架； 2、蒸发时对硅片适当加热；、蒸发时对硅片适当加热； 3、蒸发前使硅片平坦化。、蒸发前使硅片平坦化。 电阻加热金属丝、金属舟等电阻加热金属丝、金属舟等 蒸发源加热方式蒸

12、发源加热方式 电子束加热电子束加热 高频感应加热高频感应加热 设备组成：蒸发源、真空室、真空系统、电气控制系统设备组成：蒸发源、真空室、真空系统、电气控制系统 对电阻加热器资料的要求：对电阻加热器资料的要求：1、熔点远高于蒸发源的熔点，、熔点远高于蒸发源的熔点，且蒸汽压极低；且蒸汽压极低；2、蒸发过程中不软化，不与蒸发源生成合金。、蒸发过程中不软化，不与蒸发源生成合金。3、容易加工成所需求的各种外形。常用的电阻加热器资料有、容易加工成所需求的各种外形。常用的电阻加热器资料有钨、钼、钽等。钨、钼、钽等。 电阻加热器电阻加热器 电阻加热方式金属丝电阻加热方式金属丝硅片加热器硅片加热器硅片架硅片架硅

13、片硅片真空室钟罩真空室钟罩蒸发料蒸发料蒸发源加热电极蒸发源加热电极金属舟金属舟抽气抽气 电阻加热的优点是设备简单；缺陷是能够遭到来自加热器电阻加热的优点是设备简单；缺陷是能够遭到来自加热器的的 K+、Na+ 离子的沾污。离子的沾污。 电阻加热方式金属舟电阻加热方式金属舟 电子束加热方式电子束加热方式B电子束电子束加速聚加速聚焦系统焦系统电子枪电子枪硅片架硅片架硅片硅片坩锅坩锅冷却水冷却水蒸发料蒸发料 电子束加热的优点电子束加热的优点 ：(1) 沾污少，膜的纯度高；沾污少，膜的纯度高；(2) 能蒸发能蒸发各种高熔点的难熔金属和非金属。缺陷：各种高熔点的难熔金属和非金属。缺陷：(1) 设备复杂；设

14、备复杂；(2) 有有一定的辐射损伤，蒸发后需进展退火处置。一定的辐射损伤，蒸发后需进展退火处置。高频感应加热方式高频感应加热方式 蒸发工艺中影响薄膜质量的要素蒸发工艺中影响薄膜质量的要素 1、淀积前硅片的清洗、淀积前硅片的清洗 除化学清洗外，可在蒸发前对硅片进展细微的溅射处置。除化学清洗外，可在蒸发前对硅片进展细微的溅射处置。 2、蒸发速率、蒸发速率 蒸发速率过低，金属膜不光亮，电阻大，键合困难；蒸发蒸发速率过低，金属膜不光亮，电阻大，键合困难；蒸发速率过大会在硅片外表构成金属原子团淀积小丘，影响光刻，速率过大会在硅片外表构成金属原子团淀积小丘，影响光刻，且厚度也不易控制。且厚度也不易控制。

15、3、衬底温度、衬底温度 较高的衬底温度可使薄膜与衬底粘附得更好，有利于降低较高的衬底温度可使薄膜与衬底粘附得更好，有利于降低接触电阻。接触电阻。 真空度确实定真空度确实定 为了减小薄膜的沾污和提高薄膜的附着力，要求蒸发物粒为了减小薄膜的沾污和提高薄膜的附着力，要求蒸发物粒子尽量防止与剩余气体分子的碰撞，也就是要求尽量增大剩余子尽量防止与剩余气体分子的碰撞，也就是要求尽量增大剩余气体分子的平均自在程。根据气体分子运动论，室温下，气体分子的平均自在程。根据气体分子运动论，室温下， 普通蒸发设备中，蒸发源到硅片的间距不超越普通蒸发设备中，蒸发源到硅片的间距不超越 50 cm，由此，由此可算出气压应小

16、于可算出气压应小于 10- 4 Torr ，这就是真空蒸发设备中真空度的，这就是真空蒸发设备中真空度的下限。实践的真空度范围为下限。实践的真空度范围为 10-4 10-7 Torr。 325.0 10(cm)2kTpd p 铝的电阻率较低铝的电阻率较低 ，能与硅构成低电阻欧姆接触，能与硅构成低电阻欧姆接触 ，与，与 SiO2 的粘附性强，容易光刻，容易键合，价钱低廉，因此在集成电的粘附性强，容易光刻，容易键合，价钱低廉，因此在集成电路制造工艺中广泛采用铝膜作为互连资料。路制造工艺中广泛采用铝膜作为互连资料。 为防止硅向铝中溶解，为防止硅向铝中溶解，可以在铝中加可以在铝中加 ( 1 2% ) 的

17、的硅；为提高铝膜的抗电迁移硅；为提高铝膜的抗电迁移才干，可以在铝中加才干，可以在铝中加 4 %的的铜，或再加铜，或再加 ( 1 2% ) 的硅。的硅。 但是单纯的铝互连存在硅向铝中溶解引起但是单纯的铝互连存在硅向铝中溶解引起 PN 结穿通，以结穿通，以及抗电迁移才干差的问题。及抗电迁移才干差的问题。 蒸发工艺的主要缺陷之一是在对合金和化合物进展蒸发镀蒸发工艺的主要缺陷之一是在对合金和化合物进展蒸发镀膜时其组分会发生变化。膜时其组分会发生变化。蒸镀合金和化合物时，由于资料中各不同组分在同一温度蒸镀合金和化合物时，由于资料中各不同组分在同一温度下的蒸汽压不同，使所淀积出来的薄膜的组分能够与蒸发源的

18、下的蒸汽压不同，使所淀积出来的薄膜的组分能够与蒸发源的组分不一样。组分不一样。aobababboapMrRpM 设设 pao、pbo 为组分为组分 a、b 在温度在温度 T 时的平衡蒸汽压，时的平衡蒸汽压，Ma、Mb 为为 a、b 的分子量，的分子量，Rab 为为 a、b 在蒸发源中的比例，那么在蒸发源中的比例，那么 a、b 在蒸镀所得薄膜中的比例在蒸镀所得薄膜中的比例 rab 为为 要使薄膜中的组分与蒸发源中的组分一样，那么应该满足要使薄膜中的组分与蒸发源中的组分一样，那么应该满足aoabobpMpM 但实践上存在如下问题但实践上存在如下问题 1、在同一温度下，普通难以恰好满足上式，这就使薄

19、膜中、在同一温度下，普通难以恰好满足上式，这就使薄膜中的组分与蒸发源中的组分不同；的组分与蒸发源中的组分不同； 2、由于各组分在同一温度下的蒸汽压不同，从源中蒸发、由于各组分在同一温度下的蒸汽压不同，从源中蒸发出来的比例将不同于源的比例，这就使源中的组分、进而薄膜出来的比例将不同于源的比例，这就使源中的组分、进而薄膜中的组分随蒸发过程的进展而发生改动。中的组分随蒸发过程的进展而发生改动。 由于以上问题的存在，必需采用一些特殊方法来蒸镀合金由于以上问题的存在，必需采用一些特殊方法来蒸镀合金和化合物。对于合金，可采用闪蒸法和双蒸发源法。和化合物。对于合金，可采用闪蒸法和双蒸发源法。料斗料斗粉状料粉

20、状料偏心轮偏心轮振动器振动器加热器加热器硅片架硅片架 1、闪蒸法、闪蒸法 2、双蒸发源法、双蒸发源法 蒸发源蒸发源 A蒸发源蒸发源 BaoabobpMpM 把两种元素分别装入各自的蒸发源，独立控制每一种蒸发把两种元素分别装入各自的蒸发源，独立控制每一种蒸发源的温度，以控制该元素的蒸汽压使其到达所需求的值。源的温度，以控制该元素的蒸汽压使其到达所需求的值。 对于化合物，可采用对于化合物，可采用 1、反响蒸镀法、反响蒸镀法 在真空室中充入一定量的活泼气体，使之与蒸发资料在硅在真空室中充入一定量的活泼气体，使之与蒸发资料在硅片上发生化学反响构成化合物薄膜。此法主要用于蒸镀高熔点片上发生化学反响构成化

21、合物薄膜。此法主要用于蒸镀高熔点的绝缘化合物薄膜，及其它某些氧化物、氮化物等。的绝缘化合物薄膜，及其它某些氧化物、氮化物等。 2、双蒸发源三温度法、双蒸发源三温度法 此法主要用于淀积化合物半导体单晶薄膜，后来开展成了此法主要用于淀积化合物半导体单晶薄膜，后来开展成了分子束外延技术。三温度是指能独立控制两个蒸发源的温度和分子束外延技术。三温度是指能独立控制两个蒸发源的温度和衬底的温度。衬底的温度。 离子溅射镀膜过程分为三步：离子溅射镀膜过程分为三步：(1) 离子的产生；离子的产生；(2) 离子对离子对靶的轰击引起溅射；靶的轰击引起溅射；(3) 从靶资料溅射出来的粒子在低压气氛中从靶资料溅射出来的

22、粒子在低压气氛中向硅片作渡越运动，碰撞到硅片上并被硅片吸附，完成对硅片向硅片作渡越运动，碰撞到硅片上并被硅片吸附，完成对硅片的淀积。其中前两步与离子溅射刻蚀一样。的淀积。其中前两步与离子溅射刻蚀一样。 溅射镀膜是集成电路制造中替代蒸发而进展金属薄膜淀积溅射镀膜是集成电路制造中替代蒸发而进展金属薄膜淀积的主要方法。溅射镀膜的台阶覆盖性好，对硅片的附着性好，的主要方法。溅射镀膜的台阶覆盖性好，对硅片的附着性好，能淀积合金、化合物与难熔金属，因此防止了蒸发镀膜的主要能淀积合金、化合物与难熔金属，因此防止了蒸发镀膜的主要缺陷。溅射镀膜的主要缺陷是缺陷。溅射镀膜的主要缺陷是 淀积速率较慢。淀积速率较慢。

23、 入射离子打到固体外表时因能量的不同而发生不同情况入射离子打到固体外表时因能量的不同而发生不同情况 。当入射离子的能量很低时，离子从外表反弹回来当入射离子的能量很低时，离子从外表反弹回来 ；当入射离子；当入射离子的能量小于的能量小于 10eV时，离子被吸附于外表；当入射离子的能量为时，离子被吸附于外表；当入射离子的能量为 10 eV 10 keV 时，离子的部分能量以热的方式释放，另外的时，离子的部分能量以热的方式释放，另外的能量那么传送给衬底原子而使其发射出来，构成能量那么传送给衬底原子而使其发射出来，构成 溅射；当入射溅射；当入射离子的能量大于离子的能量大于 10 keV 时，离子可深化到

24、衬底内部。时，离子可深化到衬底内部。 溅射出来的原子能量为溅射出来的原子能量为 10 50 eV ，比蒸发出来的原子能，比蒸发出来的原子能量约量约 大大 100 倍倍 。这使原子到达硅片外表时有较大的迁移才干，。这使原子到达硅片外表时有较大的迁移才干，从而提高了台阶覆盖性。高能量的原子还提高了膜的附着性。从而提高了台阶覆盖性。高能量的原子还提高了膜的附着性。暗暗区区亮区亮区等离子区等离子区靶阴极靶阴极硅片阳极硅片阳极Z RC = KC I US 电流电流 I 主要与电压及气压有关，随电压升高而增大；随气主要与电压及气压有关，随电压升高而增大；随气压降低而先升后降，所以对气压应作折中思索。压降低

25、而先升后降，所以对气压应作折中思索。 相对溅射率相对溅射率 US 与电压、离子种类及入射角的关系已讨论过。与电压、离子种类及入射角的关系已讨论过。当气压高于当气压高于 10 2 Torr 时，时，US 随气压的升高而下降。随气压的升高而下降。 离子溅射镀膜的淀积速率离子溅射镀膜的淀积速率 RC 普通在普通在 10 50 nm/min 的范的范围内，比真空蒸发的要慢。围内，比真空蒸发的要慢。 式中，式中，KC 为设备常数，主要为设备常数，主要与从靶到硅片之间的间隔有关。为与从靶到硅片之间的间隔有关。为提高提高 KC ，硅片应尽量接近靶，硅片应尽量接近靶 ，但不能进入暗区。通常硅片与靶的但不能进入

26、暗区。通常硅片与靶的间距为暗区宽度的两倍左右。间距为暗区宽度的两倍左右。 一、直流溅射一、直流溅射 当溅射金属时，可采用直流溅射。这种技术的设备简单，当溅射金属时，可采用直流溅射。这种技术的设备简单，而且淀积速率较高。而且淀积速率较高。 采用直流高压辉光放电采用直流高压辉光放电产生等离子体。产生等离子体。 典型工艺条件典型工艺条件 直流电压：直流电压：1 10 kV 电极间距：电极间距：1 2 cm 气体：气体：Ar 气压：气压：10-1 10-2 Torr 直流溅射镀膜的直流溅射镀膜的 缺陷：缺陷：(1) 所需气压较高，薄膜易受沾污，所需气压较高，薄膜易受沾污，附着性差；附着性差；(2) 只

27、能淀积金属。只能淀积金属。 改良方法：针对第改良方法：针对第 1 条缺陷，可以添加一个发射电子的热条缺陷，可以添加一个发射电子的热阴极和一个励磁线圈，以添加电子的碰撞几率，从而可以降低阴极和一个励磁线圈，以添加电子的碰撞几率，从而可以降低气压，提高膜的质量与附着性；针对第气压，提高膜的质量与附着性；针对第 2 条缺陷，可以采用射条缺陷，可以采用射频溅射。频溅射。 二、射频溅射 直流溅射只能淀积金属而不能淀积介质，这是由于轰击介质靶材的离子的电荷无法泄放。采用射频溅射可以处理这个问题，从而可以淀积包括导体、半导体和介质在内的几乎任何资料。 射频溅射所用的气压为射频溅射所用的气压为 210-4 T

28、orr，膜的附着性、纯度，膜的附着性、纯度与致密度等都比较好。与致密度等都比较好。 特点特点 1、入射角为、入射角为 60o 左右，能使相对溅射率左右，能使相对溅射率 US 到达最大。到达最大。 2、离子源与淀积室是分别的，使淀积室的真空度可高达、离子源与淀积室是分别的，使淀积室的真空度可高达 10- 5 10- 6 Torr，膜的质量与附着性更好。，膜的质量与附着性更好。离子枪离子枪靶材靶材硅片硅片 三、离子束溅射三、离子束溅射 四、磁控溅射四、磁控溅射 是高密度等离子溅射的一种是高密度等离子溅射的一种 。详细构造很多。详细构造很多 ，共同的特点，共同的特点是：是：1、采用正交的电场与磁场，

29、使电子作复杂运动，添加碰撞、采用正交的电场与磁场，使电子作复杂运动，添加碰撞几率；几率；2、阴极靶与硅片架不是平板型而是某种立体构造，添加、阴极靶与硅片架不是平板型而是某种立体构造，添加了产量，并使膜厚均匀；了产量，并使膜厚均匀；3、硅片架和阳极分别，且添加了屏蔽、硅片架和阳极分别，且添加了屏蔽极以吸收二次电子，消除了二次电子对基片的轰击。极以吸收二次电子，消除了二次电子对基片的轰击。NSNS硅片架硅片架阳极阳极靶阴极靶阴极接地屏蔽极接地屏蔽极环形磁铁环形磁铁 五、反响溅射五、反响溅射 在在 Ar 中混入少量反响气体，使之与从靶中溅射出来的粒子中混入少量反响气体，使之与从靶中溅射出来的粒子发生化学反响而淀积出化合物薄膜。反响溅射时，薄膜的组分发生化学反响而淀积出化合物薄膜。反响溅射时，薄膜的组分可以在一个很大的范围内平滑地控制，驱动等离子体内化学反可以在一个很大的范围内平滑地控制，驱动等离子体内化学反响所需求的能量范围也相当宽，所以能够产生多种化合物。这响所需求的能量范围也相当宽，所以能够产生多种化合物。这时需求选择淀积条件和淀积后的退火条件，以优先构成所希望时需求选择淀积条件和淀积后的退火条件，以优先构成所希望的