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文档简介

1、Get device SpecJudge whether device spec is reasonable Y/NYNModify device SpecDevice Key Sizes DecisionKey Process/Device ConditionOthersStartMeet Target Y/NStopYNAccept Y/NNYChannel length(L)/width(W);L: short channel effect and device reliability;W: narrow width effect LDD implant: for punch throu

2、gh and optimize HCI performance; Hallo/pocket implant for rolling-off and punch throughS/D: Xj(0.3um) and Na/Nd(1e20cm-3)Well: drive in well or retrograde well;Field implant: Field MOS VT adjust;APT : Against Punch through, but induce reverse short channel(TED) Gate oxide: for operation voltage and

3、reliabilityIsolation (junction breakdown & punch-through) or Field MOSDevice and process reliabilityOptimizationCMOS Device Design)R*I-)(VV(VCLWIdsddsthgsoxeffeffeffdsdchdsthgsoxefftotRRR)V(VCW)-(WL)-(LR1/2RdsDG1/2RdsSRchIdB影响：影响： 热载流子被热载流子被SiO2中电激活的陷阱俘获，中电激活的陷阱俘获，Qot改变，改变，Qit产生，增加库伦散射，产生，增加库伦散射，下降；使得下降；使得Vth升高，升高，gm降低，降低，S增大，增大，Idlin降低，降低，Idsat降低；降低； 高碰撞电离产生的高碰撞电离产生的Isub电流在流经衬底电阻，其压电流在流经衬底电阻，其压降降0.6v,源衬结正偏，载流子注入源衬结正偏，载流子注入snapback现象现象优化方

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