第章双极晶体管ppt课件

1、3.4 晶体管的反向特性及基极电阻l反向截止电流：添加器件的空载功耗，对放大无奉献，越小越好l击穿电压：反映晶体管耐压才干，越高越好l基极电阻：添加器件功耗，越小越好3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.1 晶体管反向电流一、定义晶体管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称其反向电流。1、IEBO：集电极极开路，发射极与基极间反偏，流过发射结的电流。2、ICBO：发射极开路，集电极和基极间反偏，流过集电结的电流。3、ICEO：基极开路，发射极和集电极间反偏，流过发射极和集电极的电流。IVIeboIVIcboIVIceo 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻AninDpipn

2、pnpnpNLnqDNLnqDLnqDLpqDJ22000TkEvcigeNNpnn022/100)(反向电流由工艺与资料决议，与任务温度相关反向电流由工艺与资料决议，与任务温度相关3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.2 晶体管反向击穿电压晶体管某一极开路，另二极之间所能接受的最大反向电压即为晶体管反向击穿电压BVebo ：集电极开路 发射极基极间 反向击穿电压BVcbo ：发射极开路 集电极基极间 反向击穿电压BVceo ：基极开路 发射极集电极间 能接受的最高反向电压IVBVeboIVBVcboIVBVceolBVebo，普通情况下eb结正偏，20V以内。lBVcbo，由集电区的掺

3、杂浓度决议,普通要求高。lBVc e0，与BVcbo有联络。 ncbceBVBV0001BVce0小于BVcb0；IVBVeboIVBVcboIVBVceo3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.3 基极电阻EB发射极基区发射区基极发射极发射区基极基区集电区集电极3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.3 基极电阻Sb/2SebSelerB3rB2rB1rconxjcr= rb1+rb2+rb3+rbcr= rb1+rb2+rb3+rbc。 rb1rb1发射区下面的基区电阻，发射区下面的基区电阻， rb2rb2发射极和基极之间的电阻，发射极和基极之间的电阻， rb3rb3基极电极下面的

4、基极电极下面的电阻，电阻， rbcrbc基极电极与半导体外表的接触电阻。基极电极与半导体外表的接触电阻。 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻lrb1 2/1 2)(eBbSxIxIdxLWLdxdrebbebbR1dx薄层电阻dx薄层内耗费的功率: 12)(bbdrxIdP 64R2eebBSLIP12)2(bBrIPeebbebbLSWLdxr6R1eebbjceebbbLSxLSrR2ebbbLSr6R3ebceecbcLSRLSRr22)12R2R12R(1ebcebbeebbeebbLSRLSLSLSnrSb/2SebSelerB3 rB2rB1rconxjc3.4 晶体管的反向特性及

5、基极电阻l降低基极电阻？ l1减小发射区宽度Se、基区宽度Sb、发射区与基区之间间隔Seb、添加条的长度Le，但遭到工艺条件的限制。l2添加发射极条的数目n，但遭到面积限制，条数越多，需求的基底面积越大。l3降低基区方块电阻，可以经过提高基区杂质浓度，但这样会降低发射效率。 )12R2R12R(1ebcebbeebbeebbLSRLSLSLSnr3.5. BJT交流小信号特性l输入电压 )()(tvVtvbeBEBE集电极输出电流： )()(tiIticCC电压、电流随时间变化，使晶体管的电压、电流随时间变化，使晶体管的pn结势垒电容结势垒电容和分散电容充放电。和分散电容充放电。发射极交流电流：发射极交流电流：TECpeneeiiii基极电流基极电流 ：DCTCDETECCCCrbpebiiiiiii交流情况下，同样大小的发射极电流，由于基极电交流情况下，同样大小的发射极电流，由于基极电流增大，会使得输出电流减小，电流放大系数降低。流增大，会使得输出电流减小，电流放大系数降低。 3.5. BJT交流小信号特性放大系数的分贝表示： 6分贝分贝/ 倍倍频频3dB3dBfffT f0电流放大系数dB02021 CBCBVECVecdIdIiiCECEVBCVbcdId