模电22(JFET电路)

1、5 5 场效应管放大电路场效应管放大电路5.1 金属金属- -氧化物氧化物- -半导体（半导体（MOS）场效应管）场效应管5.3 结型场效应管（结型场效应管（JFET）*5.4 砷化镓金属砷化镓金属- -半导体场效应管半导体场效应管5.5 各种放大器件电路性能比较各种放大器件电路性能比较5.2 MOSFET放大电路放大电路5.3 结型场效应管结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法放大电路的小信号模型分析法 JFET(N型沟道型沟道)VP(-) VDS(+)JFET(

2、P型沟道型沟道)VP(+)VDS(-)增强型增强型MOSFET(N型沟道型沟道)耗尽型耗尽型MOSFET(N型沟道型沟道)增强型增强型MOSFET(P型沟道型沟道)耗尽型耗尽型MOSFET(P型沟道型沟道)VT(+)VDS(+)VP(-)VDS(+)VT(-)VDS(-)VP(+)VDS(-)P237表表5.5.1注：注：电流假定正向电流假定正向为流进漏极。为流进漏极。各种场效应管各种场效应管的特性比较的特性比较5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法放大电路的小信号模型分析法1. JFET小信号模型小信号模型（1）低频模型）低频模型（2）高频模型）高频模型2PGSDSSD)1(VvIi

3、 VDS = VDD- ID (Rd + R )DDg2g1g2VRRR RID VGS2. JFET共源电路分析共源电路分析（1 1）静态分析）静态分析分析过程与分析过程与MOS管类似，先假设管类似，先假设管子工作在饱和区，求出漏极电管子工作在饱和区，求出漏极电流、漏源电压，再看漏源电压是流、漏源电压，再看漏源电压是否满足假设条件。否满足假设条件。（2 2）动态指标分析）动态指标分析中频小信号模型中频小信号模型1）中频电压增益）中频电压增益2）输入电阻）输入电阻3）输出电阻）输出电阻忽略忽略 rds ， ivgsvRggsmv )1(mgsRg v ovdgsmRg v mvARgRgmdm

4、1 则则)|(g2g1g3iRRRR doRR Rg3的作用？的作用？*5.4 砷化镓金属砷化镓金属- -半导体半导体场效应管场效应管不作教学要求，有兴趣者自学不作教学要求，有兴趣者自学5.5 各种放大器件电路性能比较各种放大器件电路性能比较 解：解：例题例题（1 1）第一级电路：自）第一级电路：自偏压电路偏压电路v vGS =- iD (R1+R2)VGS由由ID在源极电阻在源极电阻R1+R2上的上的压降供给压降供给 称自偏压称自偏压g极不取电流，极不取电流，Rg上无压降，上无压降，放大电路如图所示。已知放大电路如图所示。已知，mS 18m g，100 试求电路的中频增试求电路的中频增益、输

5、入电阻和输出电阻。益、输入电阻和输出电阻。， k 1ber思考：思考：增强型增强型MOS管能用管能用此电路吗？此电路吗？例题例题 gsm1Vg iV gsV2gsm1RVg bIbI bI oVcgsm1cbRVgRI MVA2m1cm11RgRg 6 .128 giRR coRR M 5则电压增益为则电压增益为sgiRRR ioVV由于由于则则 k 20sosMVVAV iosiVVVV MisiVARRR 6 .128M VA根据电路有根据电路有作业：作业：P2505.2.35.5.1图题图题3.4.14.3.11图解图解3.4.13.5.34.4.35.2.9人有了知识，就会具备各种分析能力，明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书，广泛阅读，古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识，培养逻辑思维能力；通过阅读文