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文档简介
1、FLASH 烧录原理1关键词 :Access time:存取时间CE:CHIP ENABLE片选使能OE:OUTPUT ENABLE输出使能WE:WRITE NABLE写使能RESET: 复位WP:WRITE PROTECT写保护Sector address :扇区地址tACCAddress to output delay地址建立到数据输出的时间tCEChip enable to output delay片选使能的建立到数据输出的时间tOEOutput enable to output delay 输出使能的建立到数据输出的时间tRCRead cycle time读周期的时间tCSCE# se
2、tup time片选信号建立的时间tDSData setup time数据建立的时间tASAddress setup time地址建立的时间tDHData hold time数据保持的时间tWCWrite cycle time写周期的时间2. FLASH 特性介绍NOR 技术 Flash Memory 具有以下特点: 1程序和数据可放存在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快 速随机读取,允许系统直接从 Flash 中读取代码,而无需先将代码下载至 RAM 中再执行。2可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执 行擦除操作,在对存储器进行重新编程之前需要对块或整块
3、进行预编程和擦 除操作。由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢,而块尺寸较大,因此擦除 和编程操作所要花费的时间很长。3. READFigure.1:Read Operati on Tti mings根据Comma nd Defini tio ns 附录TABLE1中,因为在芯片上电以后, 直接进入读模式。因此,可以直接将地址送到IC的地址端口,然后从数据端 口读出数据,时序参考 READ时序Figure.1。如以下图:CE#为片选引脚,在为低时,选中IC。当地址端口送入地址数据 以后,IC在CE#的下降沿时将地址端口的数据锁定; OE#为数据输出使能, 并在CE#和 OE
4、#的都为低以后,输出数据出现在数据端口。4. ERASE根据 Comma nd Defi nitio ns附录 TABLE1 丨中,将 CHIP ERASE 或者 SECTOR ERASE的命令字送入芯片的命令存放器,在命令存放器收到指令后,对存储 区域进行擦除操作,通过足够时间,使芯片相应的区域能够完全擦除。具体 时序参考以下图Figure.2具体步骤:1分别送命令OxOOaa到地址0x0555,送命令0x0055到地址0x02aa,前2个周期为解锁周期uniock cycle送命令0x00a0到地址0x0555, 该周期为一个擦除建立命令set up comma nd。然后,又是2个解锁
5、周期uniock cycle ,最后是送片擦命令送命令0x0010到地址0x0555或者扇区擦除命令送 0x0030到地址0x0555.2延时。CE#为片选引脚,在为低时,选中IC。WE#为写使能,当地址端口和数据端 口分别送地址和命令字以后。在 CE#的下降沿时,地址端口将地址数据锁入 IC;在CE#、WE#的上升沿时,数据端口将命令字锁入 IC。5. PROGRAMFigure.3 : Program Operation FlowFigure.4:Program Operati on Timings根据 Comma nd Defi ni tio ns 附录 TABLE1中,先将 word
6、program 的命令 字送入IC的命令存放器;在命令存放器接到命令后,再将编程地址和数据通 过地址端口和数据端口送入命令存放器,命令存放器对存储区域中相应的地址进行编程操作,延时等待命令存放器完成编程操作,具体流程参考图Figure.3具体步骤:1送命令OxOOaa到地址0x0555,送命令0x0055到地址0x02aa,前2个 周期为解锁周期unlock cycle,通过这2个周期以后,再向命令存放 器送编程建立命令,即:送命令 0x00a0到地址0x0555。2送编程数据到数据端口,编程地址到地址端口。3延时,并从数据端口读出数据,当读出的数据与编程数据相同时,编 程操作完成。4检验编程
7、地址是否是IC的最大地址,如果是,那么编程完成。如果不是 最大地址,那么重复14。具体时序参考Figure 4,CE#为片选引脚,在为低时,选中IC。WE#为写使能, 当地址端口和数据端口分别送地址和命令字以后。在CE#的下降沿时,IC地址端口的数据被锁入;在CE#、WE#的上升沿时,数据端口将命令字锁入命 令存放器。Figure.5 Sector Group Protect Algorithm and Sector Un protect AlgorithmPretext SKtorgrgqp$:Thg in*qMpom 寸 re sectorgnuf-praed algortminut bt
8、 padEned *br 1unprcEcted EEdsrgroups prior %c ssd 隧nt frsTsoorgrcu:£T.甘TLSCHT = 1SeciDrGTk4 Firctecr Mhto BOft to SAilbotRwH伽secD-ajdaress wth 甬4C= 0ks"C13Sector GroupProtectAlgorithmRmcvt %ffrcrr RESET®詢狛rfe猷 OT*TTJHdSstSorGiDLfFr3iec:«xrfp!*laFigure 6: Sector Protect/Unprotect
9、TimeR.MNH-1'At 1 ijj7jaii -f rsJJi Ji DC"PLSCNT =低7wfy Sscxx jra# UnpnitecL Wrl&40httiS4d"inpory SecterGraM>Linp»ctsecir gnxp ad d essRMdiVon 曲叩IW idLr&Si wli 址亠亘qO©1D一 5*Zt-Last 空ctrgro-p-测-=! j vr =Increrrefit PLSCNT'Sector GroupUnprotectAlgorithmCy:le = eth?
10、S« 14 frsl MCtCfflrojp addressSreor SrcupUn protectVe (DRla hwgp icrtss iMt-7-: = < ::IsoflOlO耳 enoMS Tten RESET"Wore; ftr 彌tor weoH 朋 Q 為 J* 沖0 d For swtor gpragct A6 - 1, Al 一 2AD = 口Figure 23, Sector Protect/Umprciitect Timing DiAgrMn根据 Sector Group Protect Algorithm and Sector Group
11、 Un protect Algorithm(Figure.5 )提供的操作方式按照顺序送入IC,具体步骤:1在RESET脚升高压2在数据端口送入0x00603在地址端口送入扇区地址保护地址为扇区地址并上0x0002,解保护地址为扇区地址并上0x0042,同时数据端口送入0x0060。4然后延时保护为15us/sector解保护为15ms/chip5送命令0x0040到IC,然后读出数据0x0001为保护状态/0x0000为不 保护状态,验证IC是否被保护。IC保护重复35IC解保护不再重复。具体时序参考 sector group protect and sector group unprote
12、ct timing diagram .(Figure.6)CE#为片选引脚,在为低时,选中IC。WE#为写使能,当地址端口和数据端 口分别送地址和命令字以后。在 CE#的下降沿时,地址端口将地址数据锁入 IC;在WE#的上升沿时,数据端口将命令字锁入IC。在延时足够长时间以后, 再送读扇区保护状态命令,当地址端口送入地址,在0E#的下降沿将地址锁入,并在0E#的上升沿数据端口锁住输出数据,即为扇区保护状态。当输出 为0x0001时,芯片被保护。否那么,芯片为未保护。Table.1: Comma nd Defi niti onscommand !>aquence (Notes)30 uBu
13、t 匚私俺£ NoU« 1-4FirstSecoivdTlurdFourthFiftliSixtfiAddrDataAddrDahAddDataAddrDaiaAddrD.tc:AddrDataRead :Note 5)1RARDRs»t(No;& E)1XKXFOMaiufacturei, ID4555AA2AA5555£xoaDC01Device D (Mot# 96555AA珈6&655X01227EXOE221CXdF22JC;2201Sec Si tec:orFa:ttry Prefect (Note 9;4555AA2AA55
14、55590xoa(Now 9)Sector Group Retort Verify 眼朋10)斗&55AA2AAbz5559D,yA)KJ2OQ-C1Enter SecSi Sector Region3555AA2AA55555OBL'.fi sbcSi sector Regan4血AA2AAbb5fi6yoXXXGOPijgrar'4站5AA.2AA55AO璃F0Artp in Rirffpr (btote 11)6555AA2A5525: AACPAPDWRLpgPnogrdn' Dufftr to Tbah13A29A.nte 10 Hirtrer Abo
15、rt Kesei (Nate 12)3 'M5AA2AA55FQUnocv 3passA555M2AA5555520Un lax Bypass PnxjrarnBj2XXX&F'APDUnlock 0/wgs R; sot Notet -li2XXX曲XXX00Chip Eu&e<j555AA2AA555530555442AA5595910Sector Erase6555AA2AA5555530555AA2AA55SA3DPnoara r.EraEt 3 uspen j CJoie 15)1GABOProgrrLErase Rosumc ihot© 16)1BA30Cl Qu fry (Nole 17)1Table.2: Am29LV160M Device Bus OperationsT'.blc I. Am2?LV «0M DevicenpMtinnCFiOFXWF4RESET*Add rcsscs NOW 1)DQODQ7DQ8-DQ15BYTE# = vIMBY1E# -vILReadLLHHAjidolttDourDQS-DQH = Hiqh-2HwriteLHLH切如°INDQ15 二 A-lStandbyvcx 士0.3 VXXvcc±0,3VXllh-ZHih-z
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