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文档简介

1、常规气体系统管路测试流程及标准一、 保压测试(Pressure Test)目的:保压测试的目的除了在检查管路的接头是否有泄漏之情形外,另一目的则是在于利用高于工作压力之气体压力保持在封闭管路内,经过一段时间后及可侦测出管路焊道上是否有沙孔(沙孔会因过高的压力而造成泄漏)以及接点是否可承受如此高的压力而导致泄漏,以确保管路保压通过。原理:将待测管路通入PN2,使其压力达到管路正常使用压力的1.1倍或是7至9公斤之间,在一端接上记录器,经过一段时间后检查是否有压降现象,若无则表示该管路已通过保压测试;反之,则检查压降之原因,并在原因排除后再做一次保压测试,直到完全没有泄漏为止。步骤:A. 取得气体

2、管路施工图,并核对是否有按图施工?B. 将Panel入口端的接头松开,并利用管路本身的气体预吹扫30秒,并检查Takeoff Point及管路是否正确?C. 将Panel出入口两端用新的Gasket衔接上,并将管路末端的接头Cap起来。D. 将Panel上的Valve及regulator开止Open位置。E. 将所有待测管路Takeoff端的接头用测试管串联起来,并于一端连接记录器(Recorder)。F. 使用PN2将管路内充满压力达79公斤,并检查所有压力表头是否有压力。G. 使用测漏液 snoop,(其漏率可达1.0*10-4)对所有的接头作初步的测漏,尤其是swagelok接头。H.

3、开始测漏。Notice:1. 步骤b中因施工者施工不当,常造成管内有铁屑存留,如未先purge管路而直接衔接上,铁屑可能会被吹入Valve里,而造成Valve的内漏损坏,另一个好处是可确认管路是否正确,以免浪费测试的时间。但是He及特殊气体管路除外,必须另外找PN2管路来purge管路。2. Recorder一定要放在Takeoff Point,因为Panel上的Regulator在OutletInlet时可能会有逆止情形发生而影响测漏的准确度。3. 尽量避免使用Swagelok做转接头,以免因人为因素而影响测漏,造成测试时间的浪费。4. 所有的管路尽可能不要衔接Source Point测试,

4、以免造成气体倒灌而污染主管路。5. 保压Purge用的气体一定使用PN2。6. 不可使用氦气Purge管路,否则会影响氦测漏。7. 本公司所使用之记录器有传统机械转盘记录器与电子记录器。8. 若使用传统机械记录器,记录器范围应与记录纸之压力范围相符。(记录范围如010kg/cm2,或015kg/cm2)9. 当所有步骤都已完成,要将待测管路充满压力时,开气源阀时应放漫速度,以免瞬间压力上升而损坏记录器及压力表。10. 管路系统中有check valve时,应注意其流向,并将记录器放置正确位置。二、氦测漏(He Leak Test)目的:因氦气的分子非常小,可侦测出非常小之漏点,如果说保压测试是

5、测大漏,氦测漏则是测小漏,在庄达人所著的VLSI制造技术一书中提到(气体管路的漏率在每秒10E-9CC才可以送气)如此才不会造成危险。原理:将待测管路用氦测漏机将管路内抽至超近真空状态,当达到客户要求之漏率时,用氦气喷在焊道及接头上。若氦测漏机无反应,表示测漏完成;若有反应,则表示有漏。针对漏点问题排除。步骤:A 确认使用插座之电源与氦侧漏机电源是否吻合。B 暖机510分钟,完成后做测漏本身试抽。C 衔接上待测管路,并开始测漏。D 当待测管路的漏率达到客户要求的范围时,在所有的焊道及接头上喷氦气,并观察测漏机是否有反应,若无,表测漏完成,若有,则针对漏点作处理,直到氦测漏机没反应为止。Noti

6、ce:1. 待测管路串的过多会增加测漏的时间,故尽量将各管路分开来测试。2. PHE的管路如已经衔接会造成氦测漏机吸到,故PHE的管路不可以衔接做氦测漏。3. 待测点喷氦气的原则是由近而远,由上而下。4. 喷完氦气后必须经过一段氦测漏机的反应时间。待没问题后,开始可继续下一个测试点。5. 测试点最好用无尘手套包覆在外,以免氦气挥散或被其他的测试点吸入,而造成误判。6. LR=LeakRate 单位是mbar*l/s,m=10-3,bar=1kg,1升=1 kg;例如;LR=1.5E-9表示漏率为每秒1.5*10-9mbar,解释为:每秒的漏率为1.5*10-9cc=0.0000000015cc

7、。7. PE=Pressure Entrance(入口端的压力)单位是mbar,m=10-3,1bar约等于1kg。例如;PE=3.4*10-3,表示入口端的压力为3.4*10-3mbar,就是说入口端的压力为0.0034mbar真空状态的压力为0,入口端的压力没特别的规定,但是入口端的压力越超近于0越准确,故PE通常都抽到-3。8. 在半导体厂中的机台通常都pump down的功能,所以我们的衔接点都由作pump down来测试我们的衔接点是否有确实,而机台的测漏方式是将chamber先抽至真空状态,待达到指定的真空度时,打开manual valve,此时chamber加我们管路的真空度不可

8、高出0.5Torr。通常pump down需要一天一夜的时间,有时可能会因pump down的时间不够长,而误判管路有漏,如有碰到这种情形时,故再pump down久一点既可解决此问题。1mbar=0.75Torr。9. 测试完毕后,无须将氦测漏机vent,让氦测漏 机内部保持负压,下次使用可缩短自抽的时间。10. 氦测漏机在每次测试前可以做一次校正,如此可防止测漏机测漏产生误差。(三)ParticleAnalyzer(灰尘含量分析)目的:particle在半导体厂中是不良率祸首之一,尤其在现在的制程越来越小的情况下,如管路中含有过多的particle,对生产加工的良率影响很大原理:利用sam

9、ple gas流经雷射头,若particle则会造成crystal的震荡而测的出particle的大小及数量。步骤:A. 先将待测管路预吹4小时以上,找一待测管路衔接至particle count的inlet端。B. 在未开始测试前,先打开bypass valve,以cycle purge的方式将待测管路再预吹数分钟。C. 打开电源,并确认outlet是否有气流出来。D. 开始测试。Notice:1. 测试的压力不可小于40psig,大于150psig。2. 通常我们测试的时间为分钟,而10分钟流过雷射头的气体为1立方英尺,而测试的单位是微米。例如;在记录纸上的0.1的出现2;则表示在10分钟

10、内流经雷射管的气体为1立方英尺,而在1立方英尺的气体中测得大小为0.1um的颗粒有2颗。3. particle counter inlet端所使用的Valve不可使用Ball Valve,因为Ball Valve会产生particle,最好使用Diaphragm Valve。4. 在开始测试之前利用bypass valve做cycle purge,可以缩短测试时间。5. 测试一段时间后如particle的数量仍会有2、3颗的情形,可将测试管路敲一敲。6. 如雷射值低于4.5时,请通知专业人员做雷射头清洁。(四)氧含量分析(Oxygen Analyzer):目的:晶片在生产过程中,原本大气中O2

11、会和Si产生化学反应得O2+Si=SiO2(二氧化矽)为原始的氧化层,如果管路的氧含量过高,原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度,如此会严重影响接下来各阶段的制程。原理:我们利用纯度较高的PN2对待测管路以长时间purge的方式,将微氧带离管路,并在一端接上分析仪器,直到仪器显示的含氧量达到要求的标准为止。步骤:A. 将待测管路预吹至少4小时。B. 取一待测管路衔接至测试仪器的inlet端。C. 打开电源,开始测试。Notice:1. 选用来Purge的source尽量不使用主管路的最后一颗Valve可能会造成值会降不下来。2. 待测管路不宜串接太多,以免压力不足,无法让仪器正常运作。3. 氧

12、分析用的仪器,应随时注意电解液是否已达到警戒线了。4. 如果在仪器的显示屏幕上出现负值,表示目前管路的含氧量的浓度比仪器校正时用的标准气体浓度还纯,并非仪器损坏,欲作手动归零校正,请勿自行校正,通知专业人员。5. 如屏幕上显示的值忽高忽低时,请检查CAP的接头是否都已松开,让气体purge出来。6. 仪器不使用时,仍需利用PN2通入仪器内,以防止电解液坏死。7. 如氧含量一直都降不下来,请确认主管路氮气的含氧量为何。(五)水含量分析(Moisture Analyzer)目的:晶片在生产过程中,原本大气中H2O会和Si产生化学反应得:2H2O+Si=SiO2+2H2,其中二氧化矽为原始的氧化层,

13、如果管路的含水量过高,原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度,如此会影响接下来各阶段的制程。原理:我们利用纯度较高的PN2对待测管路以长时间purge的方法,将水气带离管路,并在一端接上分析仪器,直到仪器显示的含氧量浓度达到客户要求的标准为止。步骤:A. 将待测管路预吹至少4小时。B. 取一待测管路衔接到测试仪器的inlet端。C. 打开电源,开始测试。Notice:1. 选用来purge的source尽量不是所有主管路的最后一颗valve,有可能会造成值降不下来。2. 待侧管路不宜串接太多,以免压力不足,无法让仪器正常运作。3. 在测试的模式中有Inert及Service,在测试时应使用Ine

14、rt模式测试,Inert是真正管路内的水气含量值,Service则是含有仪器本身的水含量。4. 仪器在未使用时,也必须插上电源,以保持仪器内部的cell正常运作。5. 仪器内部的设定值都已做好设定,如非必要,勿自行任意调整。6. 如含水分的值一直都降不下来,请确认主管路氮气的水含量为何?附录G:管道系统测试标准Appendix G: The Certification of Piping SystemPiping SystemPiping CertificationLeak Rate(sccs He)Oxgen(ppb)Moisture(ppb)Particle * 0.1 micron/scfabove background levelN21 x 10-6 = 50 = 50 = 30 H21 x 10-9 = 50 = 50 = 30 He1 x 10-9 = 50 = 50 = 30

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